sk hynix

Rynek pamięci dla segmentu AI oraz HPC rozwija się w błyskawicznym tempie, a zapotrzebowanie na coraz wyższą przepustowość nieustannie rośnie. Producenci prześcigają się w dostarczaniu nowszych i wydajniejszych rozwiązań, które sprostają wymaganiom kolejnych generacji akceleratorów. Standard HBM, czyli High Bandwidth Memory, stał się podstawowym elementem tej układanki. Jego ewolucja jest niezbędna do dalszego postępu w dziedzinie sztucznej inteligencji.

Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.

Rynek pamięci półprzewodnikowych od lat jest zdominowany przez kilku globalnych graczy. Jednak dążenia do niezależności i rosnące znaczenie AI napędzają dynamiczne zmiany. Szczególnie w Chinach, które w obliczu geopolitycznych ograniczeń intensywnie inwestują w rozwój własnych technologii. Najnowsze doniesienia z branży wskazują na możliwość powstania nowego, potężnego sojuszu. Może on w przyszłości znacząco wpłynąć na układ sił w tej branży.

Producenci chipów dążą do zmniejszania rozmiarów tranzystorów, co pozwala na tworzenie wydajniejszych i energooszczędnych układów. Istotną rolę w tym procesie odgrywa litografia w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV). Okazuje się jednak, że dotychczasowe rozwiązania powoli osiągają swoje granice. Na horyzoncie pojawia się nowa generacja tej technologii, która ma otworzyć drzwi do produkcji komponentów w jeszcze niższych procesach technologicznych.

Stosunki między USA a Chinami wciąż się zaostrzają, co ma coraz większy wpływ na globalny przemysł półprzewodników. Amerykańska administracja podjęła decyzję, która może wpłynąć na funkcjonowanie czołowych firm technologicznych działających w Azji. Producenci tacy jak Intel, Samsung i SK Hynix zostali objęci nowymi ograniczeniami, które mogą zahamować ich działalność w Państwie Środka. To kolejny etap napięć w sektorze technologicznym.

SK hynix w ostatnim czasie przegoniło firmę Samsung pod względem udziału na rynku pamięci DRAM. Sytuacja ta była wyjątkowa, ponieważ zdarzyła się po raz pierwszy od ponad trzech dekad. Wpływ na nią miała bliska współpraca SK Hynix z marką NVIDIA, ponieważ ta druga odpowiada za akceleratory AI, do których potrzebne są pamięci HBM, które z kolei tworzy pierwsza firma. SK hynix podzieliło się kolejnym osiągnięciem, aczkolwiek tym razem z segmentu pamięci NAND flash.

Rozwój sztucznej inteligencji mocno napędził produkcję dedykowanych akceleratorów graficznych, a co za tym idzie pamięci, w które muszą zostać wyposażone. Zapewne większość czytelników PurePC zdaje sobie sprawę, że obecnie dominującym producentem omawianych akceleratorów jest firma NVIDIA. Przedsiębiorstwo, które będzie jej partnerem w dostarczaniu pamięci DRAM, może więc oczekiwać lepszych wyników sprzedażowych. Tak właśnie stało się z SK hynix.

Już od dłuższego czasu większość topowych smartfonów czy innych urządzeń mobilnych działa w oparciu o pamięć RAM typu LPDDR5X. Co prawda nadal jest ona w zupełności wystarczająca dla producentów i użytkowników, jednak możemy się spodziewać, że niebawem obowiązującym standardem - przynajmniej w segmencie high-end - stanie się LPDDR6. Organizacja JEDEC właśnie zaprezentowała nowy typ modułów i przedstawiła jego najważniejsze cechy.

Rozwój technologii często przynosi za sobą pozytywne skutki na niektórych polach. Można do nich zaliczyć spadek cen za urządzenia bądź podzespoły, które są na rynku obecne od jakiegoś czasu. Tak na przykład było do tej pory z nośnikami SSD, czy też pamięciami RAM w standardzie DDR4. W drugim przypadku sytuacja zaczyna się jednak zmieniać - aktualnie na niekorzyść potencjalnych klientów, gdyż w wielu przypadkach można zauważyć całkiem spory wzrost cen.

Radeon RX 9070 XT okazał się znakomitym wyborem dla wielu wymagających graczy. Choć absolutnie nie jest to model o topowej wydajności, to jednak i tak mówimy tutaj o hicie sprzedaży - mówiąc krótko, Czerwoni już dawno nie wydali tak udanego GPU. Docierają do nas jednak dosyć niepokojące informacje, że od niedawna dostarczane na rynek modele wyposażone w pamięci VRAM produkcji firmy Samsung okazują się nieco wolniejsze od tych z modułami od SK hynix.

Mimo że standardem w PC są dziś pamięci RAM typu DDR5, nadal dosyć popularne pozostają moduły DDR4, które możemy zainstalować na platformie AMD AM4 czy Intel LGA 1700. Korzysta z nich również wiele przemysłowych stacji roboczych oraz serwerów na całym świecie. Nie oznacza to jednak, że z biegiem czasu będą one coraz tańsze. Tajwański serwis DigiTimes donosi, że ceny pamięci DDR4 drastycznie poszły w górę. Jakie są tego przyczyny?

Rynek półprzewodników przechodzi dynamiczne zmiany, napędzane rosnącym zapotrzebowaniem na nowoczesne rozwiązania technologiczne. Producenci z całego świata intensyfikują swoje działania, aby sprostać wyzwaniom związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i infrastrukturą chmurową. W tym kontekście decyzje największych graczy mogą znacząco wpłynąć na kształtowanie się globalnych trendów i przyszłość branży pamięci.

Jak dobrze wiemy, już od kilku lat flagowe smartfony wyposażone są w pamięć masową typu UFS 4.0, która pozwala na błyskawiczne ładowanie danych oraz aplikacji. Wiele wskazuje jednak na to, że w przyszłym roku branżowi giganci będą przestawiać się na szybsze i nowocześniejsze moduły UFS 4.1. Swoje moduły zaprezentowała właśnie południowokoreańska firma SK hynix. Sprawdźmy, czym konkretnie wyróżnia się nowy rodzaj pamięci.

NVIDIA dopiero od niedawna rozpoczęła dostawy pakietów z chipami GB205 wraz z kośćmi pamięci GDDR7 od SK hynix dla kart graficznych GeForce RTX 5070 Ti z rodziny Blackwell. Jak wiadomo, układy od SK hynix osiągają transfery rzędu 28 Gb/s, jednak jak udowodnili chińscy entuzjaści, wynik ten da się poprawić o 4 Gb/s, dorównując najszybszym kościom od Samsunga. Zadanie to okazało się jednak bardzo ryzykowne, ponieważ wymagało flashowania BIOS-u.

Rosnące zapotrzebowanie na wydajne pamięci wykorzystywane w systemach sztucznej inteligencji napędza konkurencję między największymi producentami. W centrum uwagi znalazły się nowe generacje modułów HBM, które stają się podstawą dla układów przetwarzających ogromne ilości danych. Firmy takie jak Samsung i Micron intensyfikują działania, by zabezpieczyć pozycję na globalnym rynku. Jakie strategie przyjmują i kto może zyskać przewagę?

Od czasu premiery kart graficznych NVIDIA z serii GeForce RTX 5000 z rodziny Blackwell upłynęło już trochę wody w Wiśle. Układy te wykorzystują pamięć VRAM typu GDDR7. Co ciekawe, jej jedynym dostawcą był do tej pory koreański Samsung, jednak sytuacja zaczyna się zmieniać - według doniesień z platformy X, kości pamięci produkcji SK hynix pojawiły się w modelu GeForce RTX 5070. To pierwszy sygnał, że zaczyna się rotacja dostawców, co może wpłynąć na dostępność kart.

Podczas konferencji GTC 2025 SK hynix zaprezentował 12-warstwową pamięć HBM3E oraz SOCAMM, nowy standard dla serwerów AI. Nowe moduły zapewnią 60% wyższą wydajność i ponad 2 TB/s przepustowości, wspierając rozwój nowej generacji AI. SK hynix ogłosił również, że masowa produkcja HBM4 ruszy w drugiej połowie 2025 roku, a technologia ta znajdzie zastosowanie w przyszłych układach NVIDIA Rubin.

Na rynku od dłuższego czasu powszechnie są dostępne moduły DDR5. To jednak nie oznacza, że ten standard upowszechnił się wśród użytkowników komputerów. W praktyce wielu z nich korzysta wciąż z pamięci DDR4, a nawet jeszcze starszego DDR3. Wkrótce zmianę zacznie wymuszać sam rynek, ponieważ firmy Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji starszych rozwiązań. Może to nastąpić już pod koniec bieżącego roku.

W 2023 roku na rynku zadebiutowały po raz pierwszy moduły pamięci LPCAMM. Jest to kompaktowe rozwiązanie przeznaczone do laptopów, które cechuje się lepszą efektywnością energetyczną i wydajnością niż tradycyjne moduły SO-DIMM. NVIDIA oraz czołowe firmy z branży pamięci komputerowej pracują już nad kolejnym rozwiązaniem określanym mianem SOCAMM. Nowy standard ma być dobrze skrojony pod kompaktowe komputery zdolne wykonywać obliczenia AI.

Akceleratory AI bazujące na architekturze Blackwell wciąż są postrzegane jako relatywna nowość. Do odbiorców trafiła bowiem dopiero pierwsza partia serwerów wykorzystujących to rozwiązanie. NVIDIA nie zwalnia jednak tempa. Trwają już obecnie zaawansowane prace nad architekturą kolejnej generacji. Są przesłanki, by sądzić, że akceleratory Rubin zadebiutują szybciej niż oczekiwano, choć raczej nie wyprą one na razie z rynku układów Blackwell.

Rynek sprzętu dedykowanego sztucznej inteligencji jest obecnie jednym z najbardziej zyskownych w całej branży nowych technologii. Kierowane są na niego pokaźne środki, co owocuje dynamicznym rozwojem. Szybki postęp dokonuje się także w przypadku pamięci wykorzystywanej w akceleratorach AI. Jednym z największych jej producentów jest firma SK hynix. Właśnie rozpoczęła ona masową produkcję pamięci HBM3E o najwyższej pojemności na rynku.

Choć postęp w branży pamięci RAM nie jest tak spektakularny, jak w przypadku kart graficznych czy procesorów, to firmy technologiczne nieustannie pracują nad nowymi rozwiązaniami. Jednym z największych producentów w tym segmencie rynku jest SK hynix. Koreańskie przedsiębiorstwo zaprezentowało właśnie pamięć DDR5, która bazuje na procesie technologicznym 1c. Jest to w praktyce szósta generacja procesu klasy 10 nm, która oferuje szereg zalet.

Na przestrzeni ostatnich kilkunastu miesięcy mieliśmy do czynienia z cięciami w produkcji pamięci DRAM przez głównych producentów. Przełożyło się to docelowo na lepsze wyniki finansowe tych firm, ale jednocześnie doprowadziło do wzrostu cen dla konsumentów końcowych. Na tym jednak prawdopodobnie nie koniec, ponieważ jeden z największych producentów pamięci, czyli SK hynix, planuje podnieść ceny DRAM do jeszcze wyższego poziomu.

Wygląda na to, że jeszcze przez kilka najbliższych miesięcy nie zobaczymy kart graficznych nowej generacji. Według ostatnich doniesień NVIDIA dopiero po Nowym Roku zaprezentuje swoje nowe jednostki GeForce RTX 50, aczkolwiek pocieszający może być fakt, że lada moment do masowej produkcji trafią nowoczesne moduły pamięci GDDR7. Firma SK hynix zapowiedziała właśnie, że jest na dobrej drodze do rozpoczęcia wytwarzania.

Branża nowych technologii jest w większości zachwycona potencjałem, który wykazuje sztuczna inteligencja. Wydaje się, że elementy AI zaczynają pojawiać się wszędzie, gdzie to tylko możliwe. Boom zatem trwa w najlepsze, ale nie wszyscy podchodzą do niego w równie entuzjastyczny sposób. Oprócz narzekań klientów, którzy powoli zaczynają odczuwać przesyt, bardziej sceptyczne stanowisko prezentuje także prezes SK Group, czyli spółki, do której należy firma SK hynix.

Sukces w branży nowych technologii nie jest możliwy bez nieustannych inwestycji na badania, rozwój, a w wielu przypadkach także ośrodki produkcyjne. Jest to jeden z najbardziej innowacyjnych obszarów rynku, gdzie przerwa w inwestycjach może skutkować nawet wieloletnim opóźnieniem względem konkurencji. Firma SK hynix doskonale to rozumie, ponieważ w najbliższym czasie zamierza przeznaczyć na rozwój kilkadziesiąt miliardów dolarów.

Obecnie na rynku akceleratorów AI dominują pamięci HBM3 i HBM3E. SK hynix, jako jeden z największych dostawców tego rodzaju pamięci operacyjnej, nie spoczywa na laurach i stale poszukuje nowych, innowacyjnych rozwiązań. Firma właśnie podzieliła się oficjalnymi informacjami dotyczącymi budowy przyszłych kości pamięci 6. i 7. generacji. W ramach tych planów producent zamierza wprowadzić szereg ulepszeń, w tym m.in. przeniesienie kontrolera pamięci operacyjnej do pakietu kości HBM4E.

Na rynku pamięci DRAM królują obecnie standardy DDR4 i DDR5. Starsze rozwiązania są wykorzystywane jedynie przez ograniczoną grupę użytkowników. Używają ich też ciągle niektóre firmy. Cykl życia każdej technologii dobiega jednak ostatecznie końca. Tak będzie już wkrótce w przypadku DDR3. Według najnowszych doniesień, Samsung i SK hynix planują niebawem wygasić linie produkcyjne dla tego typu pamięci oraz zakończyć jej dostawy.

SK hynix to jeden z największych producentów pamięci operacyjnej na świecie, mający swoje korzenie w Korei Południowej. Teraz firma przedstawiła wyniki finansowe, które doskonale odzwierciedlają, jak zapotrzebowanie na układy sztucznej inteligencji wpłynęło na rynek pamięci operacyjnej. Firma zanotowała aż 734% wzrost zysku operacyjnego w porównaniu do poprzedniego kwartału, głównie dzięki boomowi na sztuczną inteligencję oraz zwiększonej produkcji akceleratorów, takich jak NVIDIA H100.

Pamięć HBM, choć wcześniej stosowana była również w konsumenckich układach, obecnie stanowi główny typ pamięć VRAM dla układów profesjonalnych oraz chipów wykorzystywanych w sztucznej inteligencji. Sk hynix ogłosiło, że podpisało kluczową umowę badawczo-rozwojową z tajwańskim TSMC. Ta współpraca ma na celu wprowadzenie licznych ulepszeń w produkcji stosów pamięci HBM4, co m.in. ma przyczynić się do poprawy ich parametrów końcowych.

W ostatnim okresie mogliśmy obserwować cięcia produkcji na rynku pamięci DRAM. W połączeniu z odradzającym się wyraźnie popytem, doprowadziło to do zauważalnego wzrostu cen tych komponentów. Nie jest to jedyny czynnik, który będzie oddziaływał na ten segment rynku. Okazuje się, że niedawne trzęsienie ziemi na Tajwanie doprowadzi prawdopodobnie do wzrostów cen znacząco wykraczających poza niedawne prognozy ekspertów.

Dywersyfikacja produkcji chipów wymaga budowania fabryk poza regionem Dalekiego Wschodu. Takie działania podejmuje między innymi TSMC. Wśród tych firm znajdują się jednak też inne podmioty. Jednym z nich jest południowokoreański SK hynix, który ogłosił powstanie nowego ośrodka produkcyjnego w Stanach Zjednoczonych. Co ważne, będzie to pierwsza tego typu fabryka w USA, zatem przedsięwzięcie pozytywnie wpłynie na stabilność branży.

Wczoraj pisaliśmy o firmie Samsung, która na konferencji GTC 2024 prezentuje swoje pamięci VRAM nowej generacji w postaci kości GDDR7. Okazuje się, że nie jest to jedyne przedsiębiorstwo, które przywiozło na wydarzenie swoje najnowsze rozwiązania. Drugą firmą jest SK hynix, notabene także południowokoreański producent. SK hynix nie tylko zaprezentował kości GDDR7, ale również chwali się parametrami swoich kostek. Te wyglądają optymistycznie.

NVIDIA zaprezentowała podczas GTC 2024 pierwszy układ graficzny z rodziny Blackwell. B200 to rozwiązanie przeznaczone na rynek sztucznej inteligencji. Jedną z cech sprzętu będzie niezwykle szybka pamięć HBM3e. Firma SK hynix ogłosiła właśnie uruchomienie jej produkcji masowej. Dużą część zarezerwowała NVIDIA z myślą o nowych akceleratorach. Warto przy tym odnotować, że SK hynix nie jest pierwszym podmiotem, który rozpoczął produkcję tej pamięci.

Pamięci GDDR6 trafiły na pokład pierwszych kart graficznych już kilka ładnych lat temu. Z biegiem czasu producentom udało się wycisnąć z nich naprawdę imponującą wydajność, czego przykładem są chociażby moduły z Radeona RX 7900 XTX o szybkości 20 Gbps. Mimo wszystko ich epoka dobiega końca. Organizacja JEDEC słynąca z opracowywania standardów dla przemysłu mikroelektroniki ogłosiła właśnie oficjalną specyfikację modułów GDDR7.

Sztuczna inteligencja jest ciągle w trendzie wznoszącym. To między innymi z tego powodu firmy zajmujące się produkcją komponentów, wykorzystywanych w szeroko pojętym segmencie centrów danych, nie mogą narzekać na brak zamówień. Dotyczy to również pamięci HBM, którą produkuje między innymi koreański SK hynix. Okazuje się, że także w tym przypadku klienci muszą ustawiać się w długie kolejki i nic nie wskazuje na to, że w najbliższej przyszłości to się zmieni.