Micron rozpoczął wysyłki próbnych, wydajniejszych kości HBM4 oraz pracuje nad jeszcze szybszymi pamięciami GDDR7

Choć Micron jako ostatni rozpoczął dostawy pamięci GDDR7 dla układów NVIDIA z rodziny Blackwell, nie oznacza to, że pozostaje w tyle za konkurencją. Wręcz przeciwnie - firma poinformowała o pracach nad szybszymi modułami GDDR7 osiągającymi transfer danych do 40 Gb/s, a także rozpoczęła wysyłkę próbek wydajniejszych kości HBM4 o przepustowości 2,8 TB/s. Dodatkowo wiadomo, że firma wraz z TSMC przygotowuje się do opracowania kości HBM4E.

Micron poinformował o wysyłce do partnerów firmy szybszych wariantów kości HBM4 o przepustowości 2,8 TB/s. Nadto firma opracowuje kości GDDR7 o prędkości 40 Gb/s, które mogą trafić do kart graficznych NVIDIA dla rynku profesjonalnego i GeForce RTX 5090 SUPER (o ile takowa powstanie).

Poznaliśmy szczegóły specyfikacji pamięci od HBM4 do HBM8. Wbudowane chłodzenie, wysoka przepustowość i gęstość pamięci

Na rynku serwerowym, w tym wyspecjalizowanym w obsłudze sztucznej inteligencji, dominują obecnie pamięci HBM4 w standardzie JEDEC, oferujące transfer na poziomie 8 Gb/s na pin i łączną przepustowość 2 TB/s. Micron zaprezentował jednak szybsze, 12-warstwowe układy osiągające 11 Gb/s na pin i 2,8 TB/s łącznej przepustowości, co zbliża je do przyszłego standardu JEDEC dla HBM5. Firma podkreśla, że było to możliwe dzięki procesowi technologicznemu 1γ, zaawansowanej matrycy bazowej CMOS oraz innowacjom w zakresie pakowania. Pierwsze próbki trafiły już do partnerów firmy, a szersza dostępność przewidywana jest na 2026 rok.

Micron dołącza do Samsunga i SK hynix jako trzecia firma dostarczająca pamięci GDDR7 dla kart graficznych GeForce RTX 5000

Warto zaznaczyć, że nie tylko Micron opracował szybsze warianty pamięci. SK hynix opracowało własną wersję HBM4 osiągającą 10 Gb/s na pin i łączną przepustowość około 2,56 TB/s. Tymczasem Samsung wciąż zmaga się z problemami przy produkcji podstawowego wariantu HBM4. W przypadku bliższej konsumentom pamięci VRAM GDDR7 sytuacja wygląda inaczej. Micron rozwija wersje o prędkości 40 Gb/s, które mogą zapewnić przepustowość 2,56 TB/s (przy zastosowaniu 16 kości). Samsung pracuje nad podobnymi wariantami, deklarując możliwość osiągnięcia nawet 42,5 Gb/s na pin, w zależności od środowiska użytkowania. W przypadku SK hynix brak obecnie informacji o pracach nad szybszymi wersjami kości GDDR7.

Samsung już wkrótce zaprezentuje pierwsze kości GDDR7 o szybkości 42.5 Gbps i gęstości 24 Gb

Szybsze kości GDDR7 mogą w przyszłości trafić do profesjonalnych kart graficznych NVIDIA, w tym przeznaczonych do obsługi modeli językowych i wnioskowania, a także do potencjalnej wersji GeForce RTX 5090 SUPER. Nie spodziewamy się jednak, że pojawią się w tańszych kartach, gdyż pojawiają się informacje, że odświeżone modele NVIDIA z serii SUPER otrzymają kości o pojemności 3 GB, cechujące się transferem danych 32 Gb/s. Dodatkowo Micron zaprezentował plany dotyczące pamięci HBM4E. W przeciwieństwie do HBM4, która wykorzystuje w pełni wewnętrzną matrycę bazową, HBM4E powstanie we współpracy z TSMC, łącząc matrycę bazową z logiką układów. Premiera HBM4E jest przewidywana na około 2027 rok.