CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom
Świat technologii znów zadrżał w posadach, a tym razem epicentrum wstrząsów zlokalizowane jest w Azji. Mówimy o technologii, która w dużej mierze decyduje dziś o postępie w dziedzinie sztucznej inteligencji, superszybkich obliczeń i centrów danych. Chińska firma CXMT właśnie osiągnęła kamień milowy, wysyłając próbki pamięci HBM3 do Huaweia. To coś więcej niż tylko dostawa. To sygnał, że Państwo Środka uniezależnienia od globalnych gigantów.
Analitycy oceniają, że firma CXMT pozostaje trzy do czterech lat za światowymi liderami, ale ten postęp jest znaczącym krokiem w kierunku wzmocnienia niezależności półprzewodnikowej Chin.
SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
Firma CXMT, będący państwowym producentem pamięci DRAM, dostarczył próbki pamięci HBM3 wykonanych w technologii 16 nm do firmy Huawei oraz innych krajowych gigantów AI. Według DigiTimes jest to zwiastun masowej produkcji, która ma ruszyć jeszcze w tym roku. To przełomowa informacja dla Państwa Środka, które od kilku lat zmaga się z niedoborem pamięci wysokoprzepustowych, które są jednym z najważniejszych komponentów w akceleratorach AI pokroju Huawei Ascend. Problem z dostępem do HBM był dla Chin niczym próba budowy samochodu wyścigowego bez silnika. Chipów do obliczeń AI nie brakowało, ale bez wydajnej pamięci ich potencjał pozostawał niewykorzystany. Pekin polegał dotąd na przedsankcyjnych zapasach HBM, które systematycznie się kurczyły. CXMT odpowiada na tę lukę, wykorzystując własne linie produkcyjne o łącznej wydajności wynoszącej obecnie od 230 do 280 tys. wafli miesięcznie w swoich zakładach. Choć postęp jest wyraźny, dystans do globalnych liderów wciąż pozostaje znaczący. Podczas gdy CXMT dopiero próbkuje HBM3, koreański SK hynix już masowo produkuje HBM3E i testuje HBM4. Samsung i Micron również mają ustabilizowaną produkcję kolejnych generacji. Na rynku pamięci HBM SK hynix kontroluje około 62 proc. udziałów, Micron 21 proc., a Samsung 17 proc. Oznacza to prawie całkowitą dominację graczy spoza Chin. CXMT planuje rozpocząć produkcję HBM3E dopiero w 2026 roku, a więc w momencie, gdy konkurencja będzie już przygotowywać się do wdrożenia standardu HBM4.
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
Jednak liczby produkcyjne CXMT robią wrażenie. Firma systematycznie rozwija swoje moce, osiągając już 80-procentową wydajność w produkcji modułów DDR5. Co więcej, według raportów, CXMT przygotowuje się do IPO w pierwszym kwartale 2026 roku na giełdzie w Szanghaju z oczekiwaną wyceną sięgającą 42 mld dolarów. Te środki mają przyspieszyć inwestycje w zakłady HBM i dalszy rozwój technologiczny. Dla Huaweia dostawy krajowych pamięci HBM3 to potencjalne rozwiązanie wieloletniego problemu. Firma planuje podwoić produkcję swoich akceleratorów Ascend w 2026 roku, ale bez dostępu do zaawansowanych pamięci ten cel pozostawałby nieosiągalny. Amerykańskie sankcje skutecznie odcięły chińskie firmy od produktów SK hynix, Samsunga i Microna, tworząc gigantyczną lukę podażową. CXMT ma ambicje ją zapełnić, choć analitycy wskazują, że wydajność krajowych rozwiązań będzie początkowo niższa.
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
Warto pamiętać, że technologia HBM jest niezwykle skomplikowana, gdyż wymaga precyzyjnego układania wielu warstw pamięci w pionie oraz zaawansowanego pakowania. Obecne rozwiązanie CXMT w technologii 16 nm jest porównywalne do tego, co globalni liderzy oferowali kilka lat temu. To jednak wystarczy, aby podtrzymać krajową produkcję akceleratorów AI na poziomie pozwalającym Chinom rozwijać własne modele językowe i systemy sztucznej inteligencji, choćby nie były one tak wydajne jak amerykańskie odpowiedniki oparte na chipach NVIDII. Chiny świadomie wybierają strategię "wystarczająco dobrze", która pozwala zachować ciągłość rozwoju technologicznego mimo zewnętrznych ograniczeń. Ta filozofia może okazać się podstawą długoterminowej rywalizacji technologicznej między Wschodem a Zachodem.
Powiązane publikacje

Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
8
Crucial wprowadza pamięci LPCAMM2 8533 MT/s. Nowy standard dla laptopów łączy wydajność LPDDR5X z możliwością rozbudowy
27
Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5
SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16







![CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom [1]](/image/news/2025/10/27_cxmt_dostarcza_huawei_probki_pamieci_hbm3_chinski_gigant_polprzewodnikow_rzuca_wyzwanie_globalnym_liderom_1.jpg)
![CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom [2]](/image/news/2025/10/27_cxmt_dostarcza_huawei_probki_pamieci_hbm3_chinski_gigant_polprzewodnikow_rzuca_wyzwanie_globalnym_liderom_0.jpg)





