Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione

Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.

Samsung HBM4E to strategiczne uderzenie w rywalizację AI, oferujące przepustowość 3,25 TB/s i ponad dwukrotnie lepszą efektywność energetyczną niż poprzednicy, zmuszając konkurencję do zrewidowania swoich harmonogramów.

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%

Na kalifornijskiej konferencji OCP Global Summit 2025 Samsung przedstawił konkretne cele rozwojowe dla pamięci HBM4E, której masowa produkcja zaplanowana jest na początek 2027 roku. Koreańczycy zamierzają osiągnąć prędkość 13 Gbps na pin, co przy 2048-bitowej magistrali przełoży się na przepustowość rzędu 3,25 TB/s na pojedynczy stos. To niemal 2,5-krotny wzrost w porównaniu z obecną generacją HBM3E, gdzie maksymalna przepustowość wynosi około 1,28 TB/s przy 9,2 Gbps. Równie istotna jest zapowiedź podwojenia efektywności energetycznej, z obecnych 3,9 pikodżuli na bit do wartości poniżej 2 pikodżuli.

Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4

Plany Samsunga są szczególnie ambitne w kontekście wcześniejszych zmagań z certyfikacją pamięci HBM3E dla NVIDII. Firma długo nie mogła uzyskać kwalifikacji swoich produktów, podczas gdy SK hynix i Micron systematycznie zdobywały kolejne kontrakty. Teraz jednak Samsung stawia na strategię wyprzedzenia konkurencji poprzez osiągnięcie wyższych parametrów już we wczesnej fazie rozwoju następnych generacji. Ta taktyka zaczyna przynosić efekty. W przypadku pamięci HBM4, która zadebiutuje w 2026 roku, Samsung jako pierwszy osiągnął prędkość 11 Gbps na pin, przewyższając oficjalną specyfikację JEDEC, 8 Gbps.

Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku

Decydujący wpływ na te ambitne plany miała NVIDIA, która pod koniec 2024 roku zwróciła się do wszystkich trzech producentów pamięci z żądaniem znacznego podniesienia przepustowości HBM4. Zieloni potrzebują wydajniejszych modułów do nadchodzącej architektury Rubin, której premiera planowana jest na drugą połowę 2026 roku. W odpowiedzi na te wymagania nie tylko Samsung, ale również SK hynix osiągnęli prędkości rzędu 10-11 Gbps, znacznie powyżej pierwotnych założeń. Micron, który początkowo wzbudzał wątpliwości analityków, również potwierdził dostarczenie próbek HBM4 o przepustowości przekraczającej 2,8 TB/s najważniejszemu klientowi, czyli właśnie NVIDII.

Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji

W wyścigu o HBM4E Samsung ma jednak jeszcze jedną istotną przewagę, czyli strukturę kosztową. Firma posiada własny dział foundry, który produkuje zawierające logikę warstwy bazowe w procesie 4 nm wykorzystywane w modułach HBM4. To oznacza pełną kontrolę nad marżami produkcyjnymi i możliwość zaoferowania cen, które według lokalnych mediów mogą być "zbyt atrakcyjne, aby je odrzucić". Strategia polega na zminimalizowaniu zysku jednostkowego, aby zdobyć większy udział w łańcuchu dostaw NVIDII. Dla SK hynix i Microna, którzy muszą korzystać z zewnętrznych zakładów foundry, to poważne wyzwanie.

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko

Jeśli spojrzeć szerzej na harmonogram rozwoju pamięci HBM, wyraźnie widać eskalację parametrów. Jeszcze w styczniu 2025 roku, podczas konferencji ISSCC, Samsung prezentował plany osiągnięcia 10 Gbps na pin w HBM4E, co dawało już 25-procentowy wzrost względem wcześniejszych założeń. Teraz, niecałe dziesięć miesięcy później, cel wzrósł do 13 Gbps. Podobnie jak kiedyś rywalizacja procesorów mierzyła się w gigahercach, dziś arena konkurencji przeniosła się do przepustowości pamięci. To właśnie ona stała się głównym wąskim gardłem dla rozwoju zaawansowanych modeli sztucznej inteligencji.

JEDEC przedstawia LPDDR6, czyli nowy standard pamięci RAM. Można liczyć na szereg ulepszeń względem LPDDR5X

Dla użytkowników końcowych i przedsiębiorstw korzystających z systemów AI oznacza to jedno, możliwości obliczeniowe akceleratorów będą rosły w tempie znacznie szybszym niż w ostatnich latach. Architektura NVIDIA Rubin z pamięciami HBM4 o przepustowości 11 Gbps zaoferuje około 2,8 TB/s na stos, podczas gdy kolejna generacja Rubin Ultra z HBM4E może przekroczyć próg 3,25 TB/s. To nie tylko liczby na papierze. Wyższa przepustowość pamięci przekłada się bezpośrednio na możliwość obsługi większych modeli językowych, szybszego przetwarzania obrazów i bardziej responsywnych systemów generatywnej sztucznej inteligencji.