dram

W ostatnim czasie rynek technologiczny zmienił swój kurs i mocno rozwija się w kierunku "sztucznej inteligencji". Taki ruch mocno wpłynął na zapotrzebowanie w kwestii wielu podzespołów, takich jak specjalne akceleratory, a co za tym idzie - również pamięci, które trafiają na ich pokład. Wcześniej producenci pokroju firmy Micron mierzyli się z nadwyżkami, natomiast obecnie popyt na pamięci HBM bardzo wzrósł, a podaż jest niewystarczająca. Skutek może być tylko jeden: wzrost cen.

Rynek pamięci półprzewodnikowych SSD M.2 z interfejsem PCIe 5.0 jest wciąż młody i kosztowny. Choć dostępnych jest zaledwie kilka modeli, liczba rozwiązań systematycznie rośnie. Technologia ta oferuje najwyższą możliwą wydajność na obecnym etapie rozwoju, jednak dla wielu konsumentów przewyższa ich rzeczywiste potrzeby. Tymczasem w sieci pojawiły się doniesienia o nowym nośniku, który ma być najszybszym rozwiązaniem tego typu.

Podczas konferencji GTC 2025 SK hynix zaprezentował 12-warstwową pamięć HBM3E oraz SOCAMM, nowy standard dla serwerów AI. Nowe moduły zapewnią 60% wyższą wydajność i ponad 2 TB/s przepustowości, wspierając rozwój nowej generacji AI. SK hynix ogłosił również, że masowa produkcja HBM4 ruszy w drugiej połowie 2025 roku, a technologia ta znajdzie zastosowanie w przyszłych układach NVIDIA Rubin.

Postęp technologiczny na rynku pamięci DRAM nie przyciąga uwagi tak mocno, jak w przypadku innych segmentów branży komputerowej. W ostatnich miesiącach przejawiał się przede wszystkim we wprowadzeniu pamięci z modułem CKD, który optymalizuje jej pracę, a także wykorzystaniu nowych procesów technologicznych. Teraz Micron zaprezentował układy pamięci DDR5 o pojemności 16 Gb, które będą wykonane w procesie 1γ (1-gamma).

Na rynku od dłuższego czasu powszechnie są dostępne moduły DDR5. To jednak nie oznacza, że ten standard upowszechnił się wśród użytkowników komputerów. W praktyce wielu z nich korzysta wciąż z pamięci DDR4, a nawet jeszcze starszego DDR3. Wkrótce zmianę zacznie wymuszać sam rynek, ponieważ firmy Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji starszych rozwiązań. Może to nastąpić już pod koniec bieżącego roku.

W 2023 roku na rynku zadebiutowały po raz pierwszy moduły pamięci LPCAMM. Jest to kompaktowe rozwiązanie przeznaczone do laptopów, które cechuje się lepszą efektywnością energetyczną i wydajnością niż tradycyjne moduły SO-DIMM. NVIDIA oraz czołowe firmy z branży pamięci komputerowej pracują już nad kolejnym rozwiązaniem określanym mianem SOCAMM. Nowy standard ma być dobrze skrojony pod kompaktowe komputery zdolne wykonywać obliczenia AI.

Rynek półprzewodników przeszedł w 2024 roku spore przetasowanie. Firma Intel nadal borykała się z pewnymi problemami, które dotyczyły nowo wprowadzonych procesorów z serii Arrow Lake. Z tego i kilku innych względów musiała ustąpić pozycji lidera - tę zajęła koreańska firma Samsung. Największy wzrost przychodów odnotowały jednak inne marki, które też szybko pną się do góry - jedna z nich odpowiada za produkcję układów graficznych i akceleratorów, a druga pamięci.

Na rynku pamięci RAM pojawiło się ostatnio trochę innowacji. Część producentów stara się dostarczyć moduły DDR5 o jak najwyższej szybkości. Inni decydują się na obecność sterownika CKD, który ma za zadanie zoptymalizować ich pracę. Niektórzy z kolei skupiają się na zapewnieniu jak najniższych opóźnień. Do tej ostatniej kategorii należą nowe moduły firmy G.SKILL. Nie będą one walczyć o prymat pod względem szybkości, ale ich timingi mogą robić wrażenie.

Pamięci CUDIMM to wciąż świeże rozwiązanie, które dzięki sterownikowi CKD, znajdującemu się bezpośrednio na modułach, ma zapewnić wyższą stabilność pracy, a w przyszłości także wyższą szybkość niż standardowa pamięć DDR5. Jednym z pierwszych producentów, który wprowadził je do swojej oferty jest Crucial. Moduły te nie będą walczyły o palmę pierwszeństwa pod względem szybkości czy pojemności, jednak to się prawdopodobnie zmieni w 2025 roku.

Debiut płyt głównych z chipsetami X870E oraz X870 jest kolejnym krokiem na drodze do upowszechnienia bardzo szybkich modułów RAM. Mowa tutaj o sprzęcie oferującym ponad 8400 MT/s. Producenci będą coraz częściej wprowadzali do sprzedaży takie rozwiązania. Nic też nie stoi na przeszkodzie, żeby podjąć próbę podkręcenia wolniejszych modułów. Taką możliwość zaprezentowała firma G.SKILL. Pamięć DDR5 Trident Z5 Royal Neo dobiła do poziomu 9000 MT/s.

Choć pozyskiwanie danych z komputerów za pośrednictwem promieniowania elektromagnetycznego nie jest zjawiskiem nowym, to badacze prześcigają się w coraz bardziej wyrafinowanych metodach ataku. Najnowsze próby obejmują wykorzystanie promieniowania wydzielanego przez moduły pamięci RAM. Można w ten sposób zdalnie pozyskać dane nawet z komputera, który w danym momencie nie jest podłączony do Internetu. Wymaga to jednak przygotowań.

Choć postęp w branży pamięci RAM nie jest tak spektakularny, jak w przypadku kart graficznych czy procesorów, to firmy technologiczne nieustannie pracują nad nowymi rozwiązaniami. Jednym z największych producentów w tym segmencie rynku jest SK hynix. Koreańskie przedsiębiorstwo zaprezentowało właśnie pamięć DDR5, która bazuje na procesie technologicznym 1c. Jest to w praktyce szósta generacja procesu klasy 10 nm, która oferuje szereg zalet.

Na przestrzeni ostatnich kilkunastu miesięcy mieliśmy do czynienia z cięciami w produkcji pamięci DRAM przez głównych producentów. Przełożyło się to docelowo na lepsze wyniki finansowe tych firm, ale jednocześnie doprowadziło do wzrostu cen dla konsumentów końcowych. Na tym jednak prawdopodobnie nie koniec, ponieważ jeden z największych producentów pamięci, czyli SK hynix, planuje podnieść ceny DRAM do jeszcze wyższego poziomu.

Sukces w branży nowych technologii nie jest możliwy bez nieustannych inwestycji na badania, rozwój, a w wielu przypadkach także ośrodki produkcyjne. Jest to jeden z najbardziej innowacyjnych obszarów rynku, gdzie przerwa w inwestycjach może skutkować nawet wieloletnim opóźnieniem względem konkurencji. Firma SK hynix doskonale to rozumie, ponieważ w najbliższym czasie zamierza przeznaczyć na rozwój kilkadziesiąt miliardów dolarów.

Nikogo już nie zaskakuje pamięć DDR5 o szybkości 8000 MT/s. Jesteśmy jeszcze ciągle daleko od tego, by takie moduły stały się standardem, ale coraz więcej producentów ma je w swojej ofercie. Ciekawe rozwiązanie z tej kategorii zaprezentowała firma Kingston. Pamięć FURY Renegade DDR5 RGB Limited Edition oferuje nie tylko wysoką szybkość, ale także interesujący wygląd, dla którego inspiracją były wyścigi samochodowe oraz powierzchnia włókna węglowego.

Innowacyjność w branży nowych technologii sprawia, że mamy do dyspozycji coraz wydajniejszy sprzęt, który w dodatku cechuje się lepszą efektywnością energetyczną. Także rynek pamięci HBM podlega tym przekształceniom. Firma Samsung planuje już wkrótce wprowadzić do swojej oferty rozwiązania sprzętowe, które zakładają umieszczenie chipów pamięci bezpośrednio na procesorze lub układzie graficznym. Takie podejście będzie miało szereg zalet.

Choć moduły CAMM2 i LPCAMM2 są stosunkowo nowym standardem na rynku, to już zdążyły pojawić się w pierwszych laptopach i notebookach. Pamięci tego typu zawierają kości LPDDR5 i LPDDR5X, jednakże ich rozwój na tym niepoprzestaje. JEDEC i DELL właśnie podzielili się częścią informacji dotyczących specyfikacji projektowanych modułów zawierających kości LPDDR6. Wprowadzone zostaną pewne zmiany w konstrukcji oraz jakości wykorzystanych elementów.

Choć na rynku PC-towym jeszcze w pełni nie przyjął się standard DDR5, to trwają prace nad jego następcą. Stowarzyszenie JEDEC przygotowuje specyfikację DDR6, które ma być znaczącym krokiem naprzód w rozwoju pamięci RAM. Zmiany mają dotyczyć wielu aspektów standardu, ale dla klientów najważniejszym będzie zapewne zwiększenie jego szybkości. Na wdrożenie DDR6 w konsumenckich modułach pamięci przyjdzie nam jednak sporo poczekać.

Na rynku dostępna jest szeroka oferta pamięci RAM. Na popularności coraz bardziej zyskują moduły w standardzie DDR5, który docelowo zastąpi starsze rozwiązania. Firma G.SKILL zaprezentowała swoją nowość z tej kategorii produktów. Pamięci Ripjaws M5 RGB zaoferują dobrą specyfikację pracy i estetyczną, choć utrzymaną w minimalistycznej formie stylistykę. Całość wzbogacono o konfigurowalne przez użytkownika podświetlenie.

Na rynku pamięci DRAM królują obecnie standardy DDR4 i DDR5. Starsze rozwiązania są wykorzystywane jedynie przez ograniczoną grupę użytkowników. Używają ich też ciągle niektóre firmy. Cykl życia każdej technologii dobiega jednak ostatecznie końca. Tak będzie już wkrótce w przypadku DDR3. Według najnowszych doniesień, Samsung i SK hynix planują niebawem wygasić linie produkcyjne dla tego typu pamięci oraz zakończyć jej dostawy.

Amerykański CHIPS and Science Act to bezprecedensowe rozwiązanie w amerykańskiej branży półprzewodników, które ma docelowo doprowadzić Stany Zjednoczone do światowej czołówki w produkcji chipów. Z odpowiednich dofinansowań korzystają już między innymi TSMC, Intel czy Samsung. Źródła donoszą, że na pokaźną dotację może liczyć także Micron. Firma ma imponujące plany inwestycyjne, które sięgają co najmniej 20 lat w przyszłość.

W ostatnim okresie mogliśmy obserwować cięcia produkcji na rynku pamięci DRAM. W połączeniu z odradzającym się wyraźnie popytem, doprowadziło to do zauważalnego wzrostu cen tych komponentów. Nie jest to jedyny czynnik, który będzie oddziaływał na ten segment rynku. Okazuje się, że niedawne trzęsienie ziemi na Tajwanie doprowadzi prawdopodobnie do wzrostów cen znacząco wykraczających poza niedawne prognozy ekspertów.

Według najnowszych doniesień, Stany Zjednoczone planują rozszerzyć sankcje obejmujące chińskich producentów DRAM. Jest to kolejny segment rynku, po układach graficznych, który doczeka się daleko posuniętych restrykcji. Działania te mają między innymi na celu ograniczenie rozwoju chińskiego przemysłu wojskowego. Jest to też forma presji na chińskie władze, która ma skłonić je do złagodzenia konfrontacyjnej w stosunku do państw zachodnich i Tajwanu retoryki.

W ostatnich kilkunastu miesiącach byliśmy świadkami znaczących spadków cen pamięci DDR4, DDR5 i NAND flash. Przyczynami zjawiska były gorsza koniunktura rynkowa, a także pokaźne zapasy, które producenci zdołali zgromadzić. W takiej sytuacji podjęto decyzję o ograniczeniu produkcji. Wiele wskazuje na to, że podejście to zaczęło mocno oddziaływać na ceny. Za pamięć DDR4 i DDR5 trzeba już zapłacić znacznie więcej niż jeszcze kilka miesięcy temu.

Micron nieustannie pracuje nad rozszerzaniem swojej oferty. Niedawno mogliśmy o usłyszeć o pamięci DDR5-7200, która została wykonana w procesie technologicznym 1β (1-beta). W porównaniu do wykorzystywanego wcześniej procesu 1α (1-alfa), możliwe jest uzyskanie lepszej efektywności energetycznej i wydajności. Jedną z najnowszych propozycji amerykańskiego przedsiębiorstwa są bazujące na nowym procesie moduły serwerowe RDIMM.

Wcześniejsze oczekiwania wielu analityków, co do wzrostu cen nośników półprzewodników, zdają się właśnie ziszczać. W ostatnim czasie nośniki SSD byliśmy w stanie kupić w naprawdę korzystnych cenach, natomiast trend ten miał się stopniowo odwracać wraz z czwartym kwartałem 2023 roku. Drastycznego ruchu postanowił dokonać Samsung, który ma zamiar zwiększać ceny pamięci NAND o 20% co każdy kwartał, aż do połowy 2024 roku. Nośników tego producenta z pewnością nie kupimy już tak tanio,...

Micron jest jednym z największych producentów pamięci DRAM na świecie. Firma nie spoczywa jednak na laurach i regularnie dokonuje ulepszeń swoich produktów. Według najnowszej informacji prasowej, przedsiębiorstwo dostarcza już do swoich klientów nową pamięć DDR5, która została wykonana w procesie technologicznym 1β. Rozwiązanie jest przeznaczone zarówno do centrów danych, jak i zwykłych komputerów, które każdy z nas używa na co dzień.

W ostatnim okresie byliśmy świadkami znaczących spadków cen na rynku pamięci DRAM i NAND flash. Skłoniło to wiele firm do ograniczenia produkcji. W sytuacji, gdy mniej sprzętu trafia na rynek, należy spodziewać się wzrostów cen. Reakcja nie jest jednak natychmiastowa, dlatego musieliśmy nieco poczekać na efekty tych działań. Okazuje się, że cięcia produkcji przyniosły z punktu widzenia producentów bardzo dobre efekty.

Postęp w branży komputerów jest jednym z najszybszych. Choć rozwój konsumenckich układów graficznych w obecnej generacji nieco wyhamował, to inne segmenty, ze szczególnym uwzględnieniem sztucznej inteligencji, dynamicznie się rozwijają. Samsung zaprezentował właśnie najpojemniejszą na rynku, 32-gigabitową (32 Gb) pamięć DDR5, która została wykonana w procesie technologicznym 12 nm. Rozwiązanie ma być idealne do zadań powiązanych z AI.

Na początku br. SK hynix, jeden z czołowych producentów DRAM, zaprezentował nowe pamięci LPDDR5T. Według deklaracji miały być najszybszym dostępnym rozwiązaniem przeznaczonym do urządzeń mobilnych. Południowokoreańskie przedsiębiorstwo poinformowało o pomyślnym zakończeniu procesu weryfikacji prędkości nowego standardu, dzięki czemu oficjalnie pobito dotychczasowy rekord ustanowiony przez Samsunga.

Jesteśmy już świeżo po prezentacji smartwatcha Samsung Galaxy Watch6 i producent zaprezentował także szczegółowe dane dotyczące układu Exynos W930, jaki się w nim znalazł. Najnowsza generacja SoC dla urządzeń ubieralnych wyróżnia się lepszą wydajnością oraz większą pojemnością zintegrowanej pamięci DRAM. Ma się to przełożyć na jeszcze lepsze działanie flagowych smartwatchy Samsunga. Choć poza tymi dwoma wymienionymi elementami, nie ujrzymy zbyt wielu zmian.

Od kilku kwartałów można zauważyć wyraźne spadki cen DRAM na rynkach światowych. W celu ich zahamowania, producenci decydują się między innymi na ograniczenia produkcji. Firma analityczna TrendForce spodziewa się, że strategia ta przyniesie tymczasowo dobre rezultaty. Wiele wskazuje bowiem na to, że w trzecim kwartale bieżącego roku nastąpi wyhamowanie spadków. Nie oznacza to jednak całkowicie końca kryzysu dla producentów.

Pamięć typu HBM3 znajduje zastosowanie przede wszystkim w zadaniach związanych ze sztuczną inteligencją. Zapotrzebowanie na tego typu sprzęt wzrasta i nieustannie dokonuje się postęp, dzięki któremu do odbiorców trafią coraz wydajniejsze rozwiązania sprzętowe. Przed pojawieniem się HBM4, SK hynix planuje dostarczyć na rynek pamięć HBM3E, która zaoferuje znaczący wzrost wydajności w porównaniu do swojego starszego odpowiednika.

Pomiędzy Chinami, a światem zachodnim utrzymuje się dosyć duże napięcie. Efektem tego są między innymi amerykańskie sankcje, które mają za zadanie ograniczyć napływ do Państwa Środka najbardziej zaawansowanych technologii. Chiny także podejmują działania, które utrudniają funkcjonowanie przedsiębiorstw ze Stanów Zjednoczonych na tamtejszym rynku. Wiele wskazuje na to, że firma Micron będzie jedną z ofiar ostatnich zawirowań politycznych.

Ostatni okres cechuje się spadkami globalnych cen pamięci. Choć klienci mogą być zadowoleni, to taki scenariusz nie podoba się producentom, którzy odnotowują niższe zyski. Długofalowo może to mieć też negatywny wpływ na całą branżę. Niektóre firmy już teraz podejmują radykalne decyzje, które mają zahamować spadki i ograniczyć potencjalne straty. Jedną z nich jest Samsung, który podjął decyzję o zmniejszeniu produkcji pamięci DDR4.

Zapotrzebowanie na coraz pojemniejsze rodzaje pamięci nieustannie rośnie. Jednym z liderów jej produkcji jest firma SK hynix. Standard HBM3 jest wykorzystywany tam, gdzie sytuacja wymaga przetwarzania olbrzymich ilości danych w stosunkowo krótkim czasie. Koreańskie przedsiębiorstwo rozwija nieustannie ten typ pamięci. Na rynek wkrótce trafią produkty bazujące na 12-warstwowej konstrukcji stosów, co pozytywnie wpłynie na dostępną pojemność.