pamięć hbm
Samsung jest głównym dostawcą pamięci HBM4 Gen 6 dla platformy AMD Instinct MI455X i architektury rack-scale Helios
Lisa Su osobiście przyleciała do Korei Południowej, aby usiąść przy stole z Youngiem Hyunem Junem, dyrektorem Samsunga. Ceremonia odbyła się 18 marca 2026 roku w Pyeongtaek, w najnowocześniejszym kompleksie produkcyjnym koreańskiej firmy. Cel wizyty był jeden. Zabezpieczyć dostawy pamięci HBM4 dla akceleratora, od którego AMD zależy bardziej niż od jakiegokolwiek produktu od lat. Wynik negocjacji jest czymś znacznie ważniejszym.
Samsung HBM4E debiutuje na NVIDIA GTC 2026. 16 Gb/s, 4 TB/s przepustowości i 48 GB na stos dla platformy Rubin Ultra
Targi NVIDIA GTC 2026 to nie tylko pokaz kart graficznych i nowych platform obliczeniowych. Dla producentów pamięci to szansa na udowodnienie, że mają coś do zaoferowania przemysłowi AI. Samsung przyjechał do San Jose z szerokim portfolio i jedną premierą, która przyciąga szczególną uwagę, czyli pamięcią HBM4E, po raz pierwszy pokazaną publicznie. Jeszcze nie trafiła do masowej produkcji, ale pokazuje kierunek podążania następnej generacji infrastruktury AI.
CXMT przydziela 20% mocy produkcyjnych na pamięci HBM3 w odpowiedzi na globalny kryzys na rynku AI
CXMT, największy producent pamięci DRAM w Państwie Środka, ma przeznaczyć w tym roku około 20 proc. mocy produkcyjnych na pamięci HBM3, czyli istotny komponent akceleratorów AI. To równowartość 60 tys. wafli miesięcznie, które mają trafić przede wszystkim do rodzimych odbiorców, w tym do Huawei. To ruch w kierunku samowystarczalności w obszarze zaawansowanych półprzewodników, ale jednocześnie budzi pytania o faktyczne możliwości technologiczne firmy.
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.
CEO NVIDIA, Jensen Huang, krytykuje współpracę z Samsungiem, choć wierzy, że firma odzyska prowadzenie na rynku pamięci
Samsung już od pół roku współpracuje z NVIDIA nad certyfikacją swoich pamięci HBM3 i HBM3E do wykorzystania m.in. w układach do treningu i obsługi AI. Koreańska firma jednak w dalszym ciągu boryka się z problemami technicznymi i produkcyjnymi. Najwidoczniej jednak CEO NVIDII, Jensen Huang, jest już zmęczony tym procesem i otwarcie skrytykował współpracę z Samsungiem przed jego zarządem, zarzucając firmie m.in. częste rotacje w kadrze kierowniczej.
USA mogą wkrótce nałożyć kolejne restrykcje na Chiny. Tym razem będą one dotyczyły tranzystorów GAA i pamięci HBM
Amerykańskie sankcje ograniczyły znacząco dostęp Chin do najbardziej zaawansowanych technologii w branży półprzewodników. W sposób szczególny dotyczy to sprzętu wykorzystywanego do treningu i obsługi sztucznej inteligencji. Najwyraźniej jednak administracja USA nie jest w pełni zadowolona z rezultatów. Już wkrótce sankcje mogą zostać rozszerzone. Tym razem ograniczeniom mają podlegać tranzystory GAA, pamięć HBM i powiązane z nimi technologie.

























NVIDIA GeForce RTX 5000 - statystyki cenowe kart graficznych Blackwell na kwiecień 2026. Jak wyglądają kwoty na tle MSRP?
Test procesorów AMD Ryzen 7 7800X3D vs Ryzen 7 9800X3D vs Ryzen 9850X3D - Czy warto dopłacać do szybszych modeli?
Tak będą wyglądać testy kart graficznych od Tyrion83. Tylko uczciwe, obiektywne i realne scenariusze
Sprawdziłem jak działa NVIDIA Dynamic Multi Frame Generation oraz Multi Frame Generation 6X. Jest szybciej, ale czy lepiej?
ASUS ROG Equalizer to nowy przewód 12V-2x6. Producent obiecuje niższe temperatury i równy rozkład prądu