pamięć hbm

Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.

Samsung już od pół roku współpracuje z NVIDIA nad certyfikacją swoich pamięci HBM3 i HBM3E do wykorzystania m.in. w układach do treningu i obsługi AI. Koreańska firma jednak w dalszym ciągu boryka się z problemami technicznymi i produkcyjnymi. Najwidoczniej jednak CEO NVIDII, Jensen Huang, jest już zmęczony tym procesem i otwarcie skrytykował współpracę z Samsungiem przed jego zarządem, zarzucając firmie m.in. częste rotacje w kadrze kierowniczej.

Amerykańskie sankcje ograniczyły znacząco dostęp Chin do najbardziej zaawansowanych technologii w branży półprzewodników. W sposób szczególny dotyczy to sprzętu wykorzystywanego do treningu i obsługi sztucznej inteligencji. Najwyraźniej jednak administracja USA nie jest w pełni zadowolona z rezultatów. Już wkrótce sankcje mogą zostać rozszerzone. Tym razem ograniczeniom mają podlegać tranzystory GAA, pamięć HBM i powiązane z nimi technologie.