Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

pamięci AI

Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione

Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione

Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.

Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4

Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4

Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.