pamięci AI
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.
Test Battlefield 6 - Analiza jakości obrazu, wydajności DLSS 4 oraz wpływu Multi Frame Generation na opóźnienia systemowe
Test wydajności Battlefield 6 - Wymagania sprzętowe nie zabijają, ale graficznie również bez fajerwerków
Pudełko, sprzęt i dokumentacja - czy potrzeba czegoś więcej? Sony i Apple pokazują, że nie. W ślad za ładowarkami mogą iść przewody...
Pierwsze recenzje techniczne gry Silent Hill f pokazują moc Unreal Engine 5. Konsola PlayStation 5 ze skalowaniem z 360p
Koniec z instalacją Windows 11 bez konta Microsoft. Popularne triki przestają działać w nowych wersjach systemu