Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

saimemory

Z-Angle Memory nabiera kształtów. Intel ujawnia plany układu HB3DM, który ma uderzyć w słabe punkty HBM na rynku AI

Z-Angle Memory nabiera kształtów. Intel ujawnia plany układu HB3DM, który ma uderzyć w słabe punkty HBM na rynku AI

W segmencie pamięci dla akceleratorów sztucznej inteligencji coraz rzadziej chodzi wyłącznie o wyższe taktowanie czy kolejną rewizję standardu. Intel i SoftBank sugerują, że wąskie gardło leży głębiej, czyli w samej fizyce stosu DRAM, sposobie prowadzenia połączeń i odprowadzaniu ciepła. Właśnie z tej tezy wyrasta pamięć HB3DM, czyli pierwszy publicznie opisany układ rozwijany w ramach szerszego programu Z-Angle Memory.

Intel po raz pierwszy zaprezentował prototyp pamięci ZAM, która ma być konkurentem dla pamięci HBM na rynku AI

Intel po raz pierwszy zaprezentował prototyp pamięci ZAM, która ma być konkurentem dla pamięci HBM na rynku AI

Co pewien czas w segmencie pamięci operacyjnej pojawiają się informacje o nowych koncepcjach i przełomowych technologiach, z których wiele ostatecznie znika bez śladu i nigdy nie trafia do realnych wdrożeń. Sytuacja wygląda jednak inaczej, gdy producenci prezentują działający prototyp. Do takiej właśnie sytuacji doszło podczas Intel Connection Japan 2026, gdzie zaprezentowano pamięć ZAM (Z-Angle Memory) dla akceleratorów sztucznej inteligencji.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.