saimemory

W segmencie pamięci dla akceleratorów sztucznej inteligencji coraz rzadziej chodzi wyłącznie o wyższe taktowanie czy kolejną rewizję standardu. Intel i SoftBank sugerują, że wąskie gardło leży głębiej, czyli w samej fizyce stosu DRAM, sposobie prowadzenia połączeń i odprowadzaniu ciepła. Właśnie z tej tezy wyrasta pamięć HB3DM, czyli pierwszy publicznie opisany układ rozwijany w ramach szerszego programu Z-Angle Memory.

Co pewien czas w segmencie pamięci operacyjnej pojawiają się informacje o nowych koncepcjach i przełomowych technologiach, z których wiele ostatecznie znika bez śladu i nigdy nie trafia do realnych wdrożeń. Sytuacja wygląda jednak inaczej, gdy producenci prezentują działający prototyp. Do takiej właśnie sytuacji doszło podczas Intel Connection Japan 2026, gdzie zaprezentowano pamięć ZAM (Z-Angle Memory) dla akceleratorów sztucznej inteligencji.