Intel po raz pierwszy zaprezentował prototyp pamięci ZAM, która ma być konkurentem dla pamięci HBM na rynku AI

Co pewien czas w segmencie pamięci operacyjnej pojawiają się informacje o nowych koncepcjach i przełomowych technologiach, z których wiele ostatecznie znika bez śladu i nigdy nie trafia do realnych wdrożeń. Sytuacja wygląda jednak inaczej, gdy producenci prezentują działający prototyp. Do takiej właśnie sytuacji doszło podczas Intel Connection Japan 2026, gdzie zaprezentowano pamięć ZAM (Z-Angle Memory) dla akceleratorów sztucznej inteligencji.

Intel zaprezentował podczas wydarzenia Intel Connection Japan 2026 działający prototyp pamięci operacyjnej ZAM (Z-Angle Memory) przeznaczonej dla akceleratorów sztucznej inteligencji.

Intel Nova Lake - topowe modele mogą pobierać ponad 700 W przy pełnym obciążeniu. To poziom segmentu HEDT

Nowy typ pamięci operacyjnej przeznaczonej dla wysokowydajnych GPU do zadań związanych ze sztuczną inteligencją jest wynikiem współpracy Intela z firmą Saimemory, spółką zależną SoftBank. Nie jest to jednak rozwiązanie całkowicie rewolucyjne, stanowi raczej rozwinięcie koncepcji pamięci HBM, z którą ma konkurować. Podobnie jak w HBM, mamy tu do czynienia z układaniem warstw DRAM w stosy, jednak kluczowa różnica polega na rezygnacji z pionowych połączeń TSV między warstwami a warstwą logiczną (logic die). Zamiast tego zastosowano ukośne połączenia realizowane w technologii copper-to-copper, bez użycia tradycyjnych mikrolutów. Dodatkowo wewnątrz stosu umieszczono centralny filar termiczny, którego zadaniem jest efektywne odprowadzanie ciepła ku górnej części całej struktury ZAM.

Intel Nova Lake - poznaliśmy specyfikacje chipsetów dla procesorów Core Ultra 400. Producent może pominąć budżetowy segment

Taka konstrukcja, według Intela, ma umożliwić zwiększenie gęstości pojedynczego układu pamięci nawet do 512 GB, a także zapewnić o 40 - 50% niższe zużycie energii w porównaniu z obecnie stosowanymi pamięciami HBM, choć firma nie precyzuje, do której generacji odnosi to porównanie. Dodatkowo produkcja pamięci ZAM ma być prostsza niż w przypadku HBM. Intel podkreśla jednak, że kluczową przewagą nowej technologii są znacznie lepsze właściwości termiczne. Warto też zauważyć, że to dość wyjątkowa sytuacja, ponieważ od kilkunastu lat Intel nie był bezpośrednio obecny na rynku pamięci DRAM. Prezentacja działającego prototypu oraz realistyczne założenia konstrukcyjne sugerują jednak, że pamięć typu ZAM ma realną szansę na wdrożenie na rynku akceleratorów AI w najbliższych latach.