hbm

Przy każdej premierze „telefonu z AI” wraca ten sam zgrany, ale wciąż aktualny problem, w którym producenci pompują moc NPU, dorzucają lepsze ISP i szybkie magazyny UFS, a potem cały układ wpada na ścianę, którą stawia pamięć. To nie jest widowiskowy temat, bo trudno sprzedać użytkownikowi opowieść o przepustowości i opóźnieniach DRAM. Tyle że bez tego lokalne modele językowe, generowanie obrazu czy bardziej złożone funkcje aparatu pracują wolniej.

W segmencie akceleratorów AI coraz częściej brakuje miejsca, sensownego kosztowo montażu i marginesu produkcyjnego. Kolejne generacje akceleratorów puchną od HBM i coraz większych matryc, więc temat pakowania przestał być zapleczem dla inżynierów, a wszedł na pierwszy plan. Najnowsze doniesienia wokół NVIDIA Feynman i technologii TSMC CoPoS dobrze pokazują, gdzie dziś naprawdę jest wąskie gardło.

Składanie nowego peceta już od wielu miesięcy jest zabawą głównie dla majętnych osób. O ile jeszcze karty graficzne nadal można dostać za w miarę akceptowalne pieniądze, tak już zupełnie nie da się przejść obojętnie obok horrendalnych cen dysków SSD czy pamięci RAM. Co gorsza, wiele wskazuje na to, że wyraźna poprawa wcale nie nadejdzie zbyt prędko. W tej sprawie wypowiedział się właśnie David McAfee z firmy AMD.

Producenci pamięci HBM dokładają przepustowość, warstwy i pojemność, a fizyka cierpliwie wystawia rachunek. Im ciaśniej upchnięty pakiet obok GPU albo akceleratora, tym szybciej rośnie problem z temperaturą i spadkiem taktowań pod obciążeniem. SK hynix twierdzi, że znalazł sposób, by uderzyć dokładnie w to miejsce, które dotąd grzało się najmocniej. I tym razem nie chodzi o kosmetykę na wierzchu układu, tylko o zmianę w samym wnętrzu pakietu.

Wyścig o mobilną AI wszedł w kluczową fazę rozwoju. Coraz mniejsze znaczenie ma sama liczba TOPS deklarowana przez nowe układy, a coraz większe cały łańcuch dostarczania danych do rdzeni AI w warunkach ograniczonej przestrzeni i energii, jakie narzuca smukły smartfon. W praktyce to przepustowość pamięci, opóźnienia i efektywność przesyłu danych stają się jednym z głównych czynników ograniczających realną wydajność systemów AI na urządzeniu.

Jeszcze niedawno rozmowa o sztucznej inteligencji kręciła się głównie wokół GPU i modeli językowych. Teraz rynek patrzy szerzej, bo nawet najmocniejszy akcelerator bez odpowiednio szybkiej pamięci staje się wąskim gardłem. Właśnie dlatego SK hynix, firma kojarzona kiedyś przede wszystkim z pamięciami, znalazła się o krok od biliona dolarów kapitalizacji. To mówi sporo o tym, gdzie naprawdę leżą zyski z obecnej fali inwestycji w AI.

Rynek pamięci dla akceleratorów związanych ze sztuczną inteligencją zaczyna przypominać wyścig zbrojeń, w którym jedynie moc GPU przestała wystarczać. Gdy producenci śrubują kolejne generacje HBM, obok głównego nurtu rosną projekty próbujące obejść jego koszty, osiągane temperatury i złożone pakowanie. Jednym z nich jest 3D X-DRAM firmy NEO Semiconductor, które właśnie zaliczyło ważny, choć wciąż wczesny test.

Przez lata producenci pamięci zmniejszali klasyczną komórkę pamięci DRAM tak mocno, jak tylko pozwalała na to fizyka. Teraz Samsung próbuje obejść ten problem inaczej, czyli nie tylko litografią, lecz przebudową wnętrza komórki. Na papierze brzmi to jak detal dla inżynierów, ale właśnie z takich detali biorą się później pojemniejsze i oszczędniejsze moduły. Pytanie nie brzmi już, czy da się zejść niżej, tylko jak zrobić to bez rozsypania całej konstrukcji.

Wyścig o produkcję pamięci HBM dawno przestał być technologiczną ciekawostką. Dziś to jeden z najważniejszych czynników decydujących o tym, kto realnie jest w stanie budować akceleratory sztucznej inteligencji na dużą skalę. Chiny chcą stworzyć własne rozwiązania i uniezależnić się od zagranicznych łańcuchów dostaw, jednak najnowsze sygnały pokazują, że między ambicjami a gotowym produktem wciąż pozostaje wyraźna luka do wypełnienia.

Bywa często tak, że o kondycji firmy najlepiej nie mówi wykres, lecz lista premii wypłacanych pracownikom. Właśnie tak wygląda dziś sytuacja koreańskiej firmy SK hynix, która dzięki boomowi na pamięci dla akceleratorów AI weszła na poziom zysków jeszcze niedawno trudny do wyobrażenia. I choć temat brzmi jak ciekawostka z działu gospodarczego, w praktyce mówi sporo o tym, dokąd zmierza cały rynek pamięci DRAM.

Rynek pamięci zwykle budzi emocje dopiero wtedy, gdy rosnące ceny modułów RAM i SSD psują sklepowe tabelki. Tym razem alarm wybrzmiał wcześniej. Michael Dell wygłosił prognozę, która brzmi jak przesada, ale dobrze trafia w nerw całej branży. Chodzi mu o to, że sztuczna inteligencja ma pożreć tyle pamięci, iż tradycyjny podział na segment serwerowy i konsumencki może przestać działać tak, jak było to przez ostatnie lata.

Rynek pamięci przez lata żył starym, zwykłym rytmem. Po okresie niedoborów potrzebnych układów przychodziła ich nadpodaż, a potem pojawiały się przeceny. Ten mechanizm zaczyna się zacinać. Najwięksi gracze zajmujący się sztuczną inteligencją wolą dzisiaj zapłacić za pamęci więcej, ale podpisać umowy na zapewnienie ciągłości dostaw na kilka lat, byle tylko zniwelować ryzyko zatrzymania rozbudowy centrów danych w połowie wyścigu.

Micron to obecnie jedna z największych firm, która odpowiada za produkcję zarówno pamięci HBM (w tym najnowszych generacji HBM4 oraz HBM4e) jak również GDDR7 (najnowsza generacja dla konsumenckich kart graficznych). Obecnie sytuacja na rynku jest jednak jaka jest i większość mocy przerobowych takich firm jak Micron idzie na produkcję pamięci dla akceleratorów AI. Według koreańskich źródeł, producent może opracowywać nowy typ pamięci, będących czymś pomiędzy GDDR7 oraz HBM(4).

Obecnie na rynek serwerów AI wchodzi generacja Vera Rubin, a w przygotowaniu jest już jej mocniejsza wersja Vera Rubin Ultra. Podczas wydarzenia GTC (GPU Technology Conference) 2026, NVIDIA ujawniła nazwę kolejnego procesora ARM przeznaczonego do systemów AI oraz przedstawiła dodatkowe informacje o samym chipie GPU, planowanej dacie premiery i wykorzystanej pamięci operacyjnej typu HBM. Pojawiły się także przewidywania dotyczące planowanego użycia litografii Intela.

Granica między pamięcią operacyjną a magazynem danych nigdy nie była tak płynna. Producenci pamięci flash od kilku lat forsują koncepcję, w której SSD przestaje być tylko dyskiem, a zaczyna funkcjonować jako pełnoprawna warstwa hierarchii pamięciowej. Kioxia robi właśnie kolejny krok w tym kierunku i robi go razem z NVIDIĄ. Na konferencji GTC 2026 firma ogłosiła dwa produkty, które mogą zmienić sposób, w jaki systemy AI zarządzają danymi podczas pracy.

SK Hynix ogłosił zakończenie prac nad układem LPDDR6 wykorzystującym szóstą generację procesu 10 nm, węźle oznaczonym symbolem 1c. To pierwsza na świecie udokumentowana certyfikacja tego rozwiązania. Firma pokazała produkt już na CES w styczniu, jednak dopiero teraz potwierdza ukończenie pełnej walidacji. Dla użytkowników flagowych smartfonów i tabletów może to oznaczać konkretną zmianę w codziennym doświadczeniu z urządzeniem.

Rynek pamięci komputerowych od kilkunastu miesięcy przeżywa wstrząsy, które śledzimy z uwagą. Od dramatycznych podwyżek DDR5, przez wyprzedaną na cały rok produkcję NAND przez Kioxię, aż po limity zakupowe w sklepach. Teraz Gartner opublikował prognozę, która składa wszystkie te fragmenty w jedną, niezbyt optymistyczną całość. Zmiany nie dotkną wyłącznie portfeli. Mogą trwale przemodelować to, co rozumiemy pod pojęciem "dostępność komputerów".

Hierarchia pamięci w serwerach AI zmienia się w zawrotnym tempie. SK Hynix i Sandisk ogłosiły formalne uruchomienie konsorcjum standaryzacyjnego dla technologii HBF (High Bandwidth Flash) pod auspicjami Open Compute Project. Nowy standard ma zapełnić lukę między ultraszybką, ale pojemnościowo ograniczoną pamięcią HBM a tanimi dyskami SSD, i zrobić to akurat wtedy, gdy rynek inferencji AI zaczyna odczuwać realne wąskie gardła pamięciowe.

Japonia nie ukrywa ambicji odbudowy przemysłu półprzewodnikowego. Od lat prowadzi agresywną politykę przyciągania globalnych firm, oferując potężne pakiety wsparcia finansowego, infrastrukturalnego i logistycznego. W gronie zainteresowanych znalazły się także Samsung Electronics i SK Hynix, dwaj z trzech największych światowych producentów pamięci DRAM. Choć propozycje brzzmią obiecująco, koreańskie koncerny od lat odmawiają podjęcia decyzji inwestycyjnej.

Co pewien czas w segmencie pamięci operacyjnej pojawiają się informacje o nowych koncepcjach i przełomowych technologiach, z których wiele ostatecznie znika bez śladu i nigdy nie trafia do realnych wdrożeń. Sytuacja wygląda jednak inaczej, gdy producenci prezentują działający prototyp. Do takiej właśnie sytuacji doszło podczas Intel Connection Japan 2026, gdzie zaprezentowano pamięć ZAM (Z-Angle Memory) dla akceleratorów sztucznej inteligencji.

Rynek smartfonów w 2026 roku stanie przed bezprecedensowym wyzwaniem, czyli globalnym niedoborem pamięci DRAM, który uderza w całą branżę bez wyjątku. Prognozy mówią o 7 proc. spadku dostaw chipsetów i 6,1 proc. kurczeniu się rynku telefonów. W tym ponurym scenariuszu Google z procesorem Tensor G6 może jednak ograniczyć straty lepiej niż konkurencja. Według Counterpoint Research firma z Mountain View osiągnie 18,9 proc. wzrost dostaw rok do roku.

Media na Tajwanie eksplodowały doniesieniami o kolejnym spotkaniu Jensena Huanga z czołówką lokalnych producentów technologicznych. To już czwarte tego typu wydarzenie w tej samej restauracji serwującej tradycyjną kuchnię tajwańską, gdzie CEO NVIDIA gości przedstawicieli firm odpowiedzialnych za globalną infrastrukturę AI. Dla obserwatorów branży to jednak znacznie więcej niż uprzejma kolacja biznesowa. To dowód na unikalną strategię zarządzania łańcuchem dostaw.

Micron Technology podpisał list intencyjny zakupu tajwańskiej fabryki P5 należącej do PSMC za 1,8 mld dolarów. Transakcja, która ma zostać sfinalizowana w drugim kwartale 2026 roku, jest próbą zwiększenia mocy produkcyjnych przy niedoborze pamięci DRAM. Problem w tym, że efekty tego ruchu pojawią się najwcześniej w drugiej połowie 2027 roku, gdy ceny pamięci dla konsumentów mogą wzrosnąć łącznie nawet o 100 proc. w stosunku do poziomów z końca 2025 roku.

SK Hynix postanowił przyspieszyć swoje plany produkcyjne. Firma ogłosiła, że pierwsza fabryka w kompleksie Yongin otworzy się o trzy miesiące wcześniej. czyli już w lutym 2027 roku, podczas gdy zakład M15X w Cheongju rozpocznie produkcję wafli krzemowych dla pamięci HBM już w przyszłym miesiącu. To bezpośrednia odpowiedź na sytuację, którą dyrektor generalny SK Hynix America, Sungsoo Ryu, określił słowami "ogromny i niesamowity popyt".

SK Hynix planuje uruchomienie pierwszej w USA linii masowej produkcji zaawansowanego pakowania 2.5D. Technologia ta łączy pamięci HBM z procesorami AI i jest niemal całkowicie zdominowana przez tajwańskie TSMC. Oficjalny start fabryk w Indianie planowany jest dopiero na drugie półrocze 2028 roku. Widać jednak, że stawka w tej grze jest znacznie wyższa niż sama rozbudowa mocy produkcyjnych. SK Hynix chce przejąć kontrolę nad całym łańcuchem dostaw dla sektora AI.

Rynek pamięci DRAM przeżywa jeden z najgwałtowniejszych wzrostów cen w historii branży, a jak donoszą źródła branżowe, koszmar konsumentów może potrwać jeszcze długo. Samsung Electronics i SK Hynix, kontrolujące łącznie ponad 70% globalnej produkcji DRAM, oficjalnie potwierdziły, że nie zamierzają agresywnie zwiększać mocy produkcyjnych. Wprost deklarują, że priorytetem jest "długoterminowa rentowność", a nie nasycenie rynku konsumenckiego.

Jeśli uważnie śledzicie rynek kart graficznych, na pewno zwróciliście uwagę na stabilizację cen popularnych modeli. Mówiąc krótko, aktualnie mamy dobry czas na zakup wymarzonego układu. A przynajmniej takie można odnieść wrażenie, szczególnie że jeszcze niedawno ceny były przecież wyższe, a już teraz pojawiają się doniesienia o możliwych podwyżkach... Wszystko z powodu problemów z dostępnością pamięci.

Rynek sztucznej inteligencji jest nierozerwalnie związany z ogromnym zapotrzebowaniem na moc obliczeniową. Obecnie sektor ten jest zdominowany przez jednego głównego gracza, co prowadzi do wysokich kosztów i ograniczonej dostępności najważniejszych komponentów. Największe firmy technologiczne coraz intensywniej poszukują alternatywnych rozwiązań, aby zabezpieczyć swoje potrzeby. Jeden z głównych graczy AI postanowił wykonać odważny krok w kierunku sprzętowej niezależności.

Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.

Rynek pamięci półprzewodnikowych od lat jest zdominowany przez kilku globalnych graczy. Jednak dążenia do niezależności i rosnące znaczenie AI napędzają dynamiczne zmiany. Szczególnie w Chinach, które w obliczu geopolitycznych ograniczeń intensywnie inwestują w rozwój własnych technologii. Najnowsze doniesienia z branży wskazują na możliwość powstania nowego, potężnego sojuszu. Może on w przyszłości znacząco wpłynąć na układ sił w tej branży.

Rozwój sztucznej inteligencji mocno napędził produkcję dedykowanych akceleratorów graficznych, a co za tym idzie pamięci, w które muszą zostać wyposażone. Zapewne większość czytelników PurePC zdaje sobie sprawę, że obecnie dominującym producentem omawianych akceleratorów jest firma NVIDIA. Przedsiębiorstwo, które będzie jej partnerem w dostarczaniu pamięci DRAM, może więc oczekiwać lepszych wyników sprzedażowych. Tak właśnie stało się z SK hynix.

W ostatnim czasie rynek technologiczny zmienił swój kurs i mocno rozwija się w kierunku "sztucznej inteligencji". Taki ruch mocno wpłynął na zapotrzebowanie w kwestii wielu podzespołów, takich jak specjalne akceleratory, a co za tym idzie - również pamięci, które trafiają na ich pokład. Wcześniej producenci pokroju firmy Micron mierzyli się z nadwyżkami, natomiast obecnie popyt na pamięci HBM bardzo wzrósł, a podaż jest niewystarczająca. Skutek może być tylko jeden: wzrost cen.

Podczas konferencji GTC 2025 Jensen Huang zaprezentował architekturę Rubin i Rubin Ultra, które mają zrewolucjonizować rynek HPC i AI. Nowe układy GPU zaoferują 100 PFLOPS mocy obliczeniowej FP4 oraz 1 TB pamięci HBM4, a ich działanie wspierać będą procesory Vera z 88 rdzeniami. Rubin Ultra ma zastąpić serię Blackwell, oferując nawet 40% lepszą wydajność. NVIDIA nie zwalnia tempa – premiera przewidziana jest na 2026 rok.

Na wydarzeniu Samsung AI Forum 2024 przedsiębiorstwo przedstawiło swoją strategię dotyczącą rozwoju w obszarze sztucznej inteligencji, skierowaną zarówno do globalnych ekspertów, jak i akcjonariuszy. Samsung zapowiedział, że dział odpowiedzialny za pamięci operacyjne przeznaczone do akceleratorów AI intensywnie pracuje nad rozwojem technologi PIM (Processing in Memory). Celem tej innowacji jest stworzenie konkurencyjnego rozwiązania dla szybkiej pamięci HBM.

Amerykańskie sankcje ograniczyły znacząco dostęp Chin do najbardziej zaawansowanych technologii w branży półprzewodników. W sposób szczególny dotyczy to sprzętu wykorzystywanego do treningu i obsługi sztucznej inteligencji. Najwyraźniej jednak administracja USA nie jest w pełni zadowolona z rezultatów. Już wkrótce sankcje mogą zostać rozszerzone. Tym razem ograniczeniom mają podlegać tranzystory GAA, pamięć HBM i powiązane z nimi technologie.

SK hynix to jeden z największych producentów pamięci operacyjnej na świecie, mający swoje korzenie w Korei Południowej. Teraz firma przedstawiła wyniki finansowe, które doskonale odzwierciedlają, jak zapotrzebowanie na układy sztucznej inteligencji wpłynęło na rynek pamięci operacyjnej. Firma zanotowała aż 734% wzrost zysku operacyjnego w porównaniu do poprzedniego kwartału, głównie dzięki boomowi na sztuczną inteligencję oraz zwiększonej produkcji akceleratorów, takich jak NVIDIA H100.