Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.
Firma Samsung jest skłonna poświęcić marże zysku, aby wejść do łańcucha dostaw NVIDII dla pamięci HBM nowej generacji.
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
Firma Samsung przeprowadza masową produkcję próbek pamięci HBM4 w ramach intensywnych przygotowań do certyfikacji przez NVIDIĘ. Według informacji branżowych, koreańska firma produkuje około 10 tys. próbek, co jest niespotykaną dotąd ilością dla tego etapu rozwoju produktu. Tak duża skala produkcji próbek wynika z problemów z uzyskiem. Samsung wykorzystuje w pamięciach HBM4 najnowsze układy DRAM 1c, podczas gdy konkurenci SK Hynix i Micron bazują na sprawdzonych już układach 1b. Proces 1c nie osiągnął jeszcze pełnej dojrzałości technologicznej, co przekłada się na niższe uzyski i konieczność wytwarzania większej liczby próbek w celu uzyskania wystarczającej ilości funkcjonalnych układów. Firma nadal nie uzyskała kwalifikacji dla 12-warstwowych pamięci HBM3E, co stawia ją w trudnej sytuacji względem SK Hynix, który już w marcu dostarczył próbki HBM4 do NVIDII.
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
Samsung przygotowuje również rewolucyjną strategię cenową dla pamięci HBM4. Podczas gdy SK Hynix planuje marżę na poziomie 30-40 proc. względem HBM3E, Samsung rozważa marżę poniżej 20 proc., praktycznie rezygnując z zysku w celu wejścia do łańcucha dostaw NVIDII. Koszt produkcji HBM4 jest znacząco wyższy od HBM3E ze względu na outsourcing układów logicznych, redukcję liczby układów na wafel, a także zwiększoną liczbę interfejsów wejścia-wyjścia. Ta agresywna polityka przypomina historyczne "chicken game" Samsunga z poprzednich lat, gdy firma wykorzystywała przewagę finansową i produkcyjną do eliminacji konkurentów z rynku pamięci. Zgodnie ze specyfikacją JEDEC opublikowaną w kwietniu, pamięci HBM4 oferują dwukrotnie wyższą przepustowość względem HBM3, a także lepszą efektywność energetyczną, co sprawia, że są najważniejszym komponentem dla przyszłych akceleratorów AI NVIDII wykorzystujących architekturę Rubin.
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6
Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
30