hbm4e

Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.

Choć Micron jako ostatni rozpoczął dostawy pamięci GDDR7 dla układów NVIDIA z rodziny Blackwell, nie oznacza to, że pozostaje w tyle za konkurencją. Wręcz przeciwnie - firma poinformowała o pracach nad szybszymi modułami GDDR7 osiągającymi transfer danych do 40 Gb/s, a także rozpoczęła wysyłkę próbek wydajniejszych kości HBM4 o przepustowości 2,8 TB/s. Dodatkowo wiadomo, że firma wraz z TSMC przygotowuje się do opracowania kości HBM4E.

NVIDIA, jako lider rynku w projektowaniu układów graficznych, dynamicznie rozwija się w sektorze akceleratorów AI. Niedawno pierwsze układy z rodziny Blackwell trafiły do klientów, a już wiadomo, że prace nad chipami z serii Rubin wyprzedzają harmonogram. Co więcej, w przygotowaniu są także układy Rubin Ultra. Teraz NVIDIA poszła o krok dalej, ujawniając nazwę kolejnej generacji wysokowydajnych procesorów – Feynman.

Obecnie na rynku akceleratorów AI dominują pamięci HBM3 i HBM3E. SK hynix, jako jeden z największych dostawców tego rodzaju pamięci operacyjnej, nie spoczywa na laurach i stale poszukuje nowych, innowacyjnych rozwiązań. Firma właśnie podzieliła się oficjalnymi informacjami dotyczącymi budowy przyszłych kości pamięci 6. i 7. generacji. W ramach tych planów producent zamierza wprowadzić szereg ulepszeń, w tym m.in. przeniesienie kontrolera pamięci operacyjnej do pakietu kości HBM4E.