Samsung HBM4E debiutuje na NVIDIA GTC 2026. 16 Gb/s, 4 TB/s przepustowości i 48 GB na stos dla platformy Rubin Ultra

Targi NVIDIA GTC 2026 to nie tylko pokaz kart graficznych i nowych platform obliczeniowych. Dla producentów pamięci to szansa na udowodnienie, że mają coś do zaoferowania przemysłowi AI. Samsung przyjechał do San Jose z szerokim portfolio i jedną premierą, która przyciąga szczególną uwagę, czyli pamięcią HBM4E, po raz pierwszy pokazaną publicznie. Jeszcze nie trafiła do masowej produkcji, ale pokazuje kierunek podążania następnej generacji infrastruktury AI.

Samsung wchodzi na NVIDIA GTC 2026 z HBM4 w masowej produkcji i pierwszą demonstracją HBM4E o przepustowości 4 TB/s, ale rywalizacja z SK Hynix o dominację na rynku pamięci dla AI dopiero nabiera tempa.

SK Hynix jako pierwszy certyfikuje pamięci LPDDR6 w procesie 1c. Masowa produkcja planowana jest na 2H 2026

Na stoisku Samsunga podczas GTC 2026 wyróżnia się przede wszystkim HBM4, czyli szósta generacja pamięci High Bandwidth Memory, która od połowy lutego 2026 roku jest już wytwarzana masowo w procesie 1c (szóstej generacji technologii DRAM Samsunga, klasy ~10 nm). Przy 11,7 Gb/s na pin wyprzedza branżowy standard o prawie 50 proc., z możliwością zwiększenia szybkości do 13 Gb/s. Chipy trafią do systemów zbudowanych na platformie NVIDIA Vera Rubin, i to właśnie tam Samsung po raz pierwszy od lat wraca do gry po bolesnej lekcji z HBM3E, który nie spełnił wewnętrznych wymagań NVIDII, co opisywaliśmy w 2024 roku.

Pamięć dla AI przyspiesza o 60 proc. Rambus pokazał kontroler HBM4E, na który czekają NVIDIA i AMD

HBM4E to jednak inny kaliber. Pokazana po raz pierwszy publicznie na GTC 2026 pamięć osiąga 16 Gb/s na pin i 4 TB/s przepustowości na stos przy konfiguracji 16-Hi z pojemnością 48 GB. Skalując to dla platformy NVIDIA Rubin Ultra, cztery chipy GPU z szesnastoma slotami HBM, otrzymujemy teoretycznie do 384 GB pamięci i 64 TB/s łącznej przepustowości. To ponad trzykrotnie więcej niż oferuje obecna Vera Rubin z 288 GB HBM4 i 22 TB/s. Najważniejszą rolę w umożliwieniu tworzenia stosów 16-warstwowych i większych odgrywa technologia Hybrid Copper Bonding (HCB), redukująca rezystancję cieplną o ponad 20 proc. w porównaniu z wcześniejszą metodą TCB.

Micron dostarcza próbki modułów SOCAMM2 256 GB. Rekordowa pojemność LPDDR dla serwerów AI i HPC

Samsung z udziałem rynkowym HBM szacowanym na 17–35 proc. w różnych kwartałach 2025 roku nadal wyraźnie traci do SK Hynix, trzymającego około 55–62 proc. rynku. HBM4E to za mało, by zmienić ten bilans w krótkim terminie. Niestandardowe projekty mają być gotowe dopiero w połowie 2026 roku. Ale to właśnie teraz Samsung buduje fundamenty pod powrót. Jako pierwszy producent uruchomił masową produkcję SOCAMM2 (192 GB, LPDDR), a jego pozycja jako głównego dostawcy pamięci dla NVIDII może wzmocnić się dopiero wtedy, gdy Rubin Ultra stanie się rynkową rzeczywistością.