Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国
 

matryce krzemowe

Samsung może wykorzystać proces technologiczny 2 nm do produkcji układów bazowych dla pamięci HBM4E

Samsung może wykorzystać proces technologiczny 2 nm do produkcji układów bazowych dla pamięci HBM4E

Rynek pamięci operacyjnej dla akceleratorów sztucznej inteligencji rozwija się bardzo dynamicznie, a konkurencja w tym segmencie stale rośnie. Do najnowszych układów już wkrótce trafi pamięć HBM4, tymczasem w sieci coraz częściej pojawiają się informacje o kolejnej generacji - HBM4E. Według najnowszych doniesień Samsung planuje wykorzystać litografię 2 nm do produkcji układów bazowych dla tej pamięci, aby utrzymać przewagę technologiczną w tym segmencie.

Zhaoxin KH-50000 oficjalnie w produkcji. Pierwsze zdjęcia matryc ujawniają chipletową konstrukcję z dedykowanym układem I/O

Zhaoxin KH-50000 oficjalnie w produkcji. Pierwsze zdjęcia matryc ujawniają chipletową konstrukcję z dedykowanym układem I/O

Pod koniec lipca na naszym portalu opisywaliśmy zapowiedź chińskiego procesora serwerowego Zhaoxin KH-50000. Wówczas poznaliśmy ogólny zarys jego imponującej specyfikacji. Od tamtej pory pojawiło się jednak nieco nowych, istotnych szczegółów, które pozwalają znacznie lepiej ocenić możliwości tej konstrukcji. Ujawnione informacje dotyczą między innymi konkretnych częstotliwości pracy, obsługiwanych standardów oraz ważnych technologii bezpieczeństwa.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.