gaa

Branża półprzewodników to jedna z najbardziej dynamicznych i konkurencyjnych gałęzi współczesnej technologii. Huawei, mimo licznych wyzwań i ograniczeń, planuje zrealizować ambitny projekt opracowania 3 nm chipów GAA, które mogą odmienić rynek. To zapowiedź nie tylko technologicznego postępu, ale też próba uniezależnienia się od światowych liderów. Czy chińska firma zrealizuje swoje cele i wpłynie na globalny krajobraz technologiczny?

TSMC finalizuje właśnie prace nad swoim procesem technologicznym klasy 2 nm. Nowe rozwiązanie, noszące nazwę N2, formalnie zadebiutuje w 2025 roku, choć produkcję testową rozpoczęto już w połowie bieżącego roku. Proces ten będzie miał liczne zalety i może kłaść nacisk na różne aspekty, w zależności od specyfiki danego chipu i woli projektanta. Tajwańska firma ujawniła ostatnio więcej szczegółów dotyczących swojego nadchodzącego rozwiązania.

Amerykańskie sankcje ograniczyły znacząco dostęp Chin do najbardziej zaawansowanych technologii w branży półprzewodników. W sposób szczególny dotyczy to sprzętu wykorzystywanego do treningu i obsługi sztucznej inteligencji. Najwyraźniej jednak administracja USA nie jest w pełni zadowolona z rezultatów. Już wkrótce sankcje mogą zostać rozszerzone. Tym razem ograniczeniom mają podlegać tranzystory GAA, pamięć HBM i powiązane z nimi technologie.

TSMC jak dotychczas pozostaje niekwestionowanym liderem wśród producentów mikroukładów elektronicznych. Ich proces technologiczny 3 nm jest wykorzystywany między innymi do produkcji układów Apple A17 Pro. Samsung, jako jeden z największych konkurentów tajwańskiej firmy, również dysponuje podobną technologią, ale wykorzystuje nowocześniejszy projekt tranzystorów GAA. Mimo to Koreańczycy nie zdobyli dominacji na rynku, ponieważ uzysk z ich procesu był dość marny. Jednak teraz sytuacja się zmienia.

Na świecie trwają przygotowania do produkcji chipów opartych na procesie technologicznym 2 nm. Samsung będzie w niedalekiej przyszłości jednym z ich głównych producentów. Koreańskie przedsiębiorstwo ogłosiło właśnie nawiązanie współpracy z brytyjskim Arm, która ma zaowocować optymalizacją projektu rdzeni Cortex-X i Cortex-A kolejnej generacji. Chipy wykorzystujące te rozwiązania będą bazowały na tranzystorach GAA (Gate-All-Around).

Jakiś czas po premierze Snapdragonów 8 Gen 1 okazało się, że układy te bardzo się nagrzewają. Wówczas winą obarczano zarówno projekt Qualcomm jak i technologie Samsunga. Od tego czasu amerykańska firma przeniosła produkcje nowszych modeli SOC do TSMC. Jednak jak informuje Revegnus, firmy postanowiły ponownie wznowić współprace. Snapdragonów 8 Gen 4 ma być produkowany zarówno u tajwańskiego TSMC, jak i u koreańskiego Samsunga.