Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Imec

Imec wraz z partnerami wdraża produkcję 300-milimetrowych wafli z azotku galu (GaN) dla elektroniki niskiego i wysokiego napięcia

Imec wraz z partnerami wdraża produkcję 300-milimetrowych wafli z azotku galu (GaN) dla elektroniki niskiego i wysokiego napięcia

Azotek galu (GaN) od lat 90. XX wieku znajduje zastosowanie w elektronice, początkowo w diodach LED, a od początku XXI wieku w tranzystorach mocy. W ostatnich latach technologia ta staje się coraz bardziej popularna w związku z rosnącym zapotrzebowaniem na szybkie ładowarki i zasilacze komputerowe. Na te potrzeby odpowiada Imec, który wraz z partnerami ogłosił rozpoczęcie wdrażania produkcji 300-milimetrowych wafli z azotku galu.

Rapidus rozpoczyna prototypowanie tranzystorów Gate-All-Around 2 nm w fabryce IIM-1 w Japonii. Trwają rozmowy z klientami

Rapidus rozpoczyna prototypowanie tranzystorów Gate-All-Around 2 nm w fabryce IIM-1 w Japonii. Trwają rozmowy z klientami

Japoński sektor półprzewodnikowy przeżywa renesans dzięki rządowej strategii odbudowy krajowego potencjału produkcyjnego. Najnowsze osiągnięcia w dziedzinie zaawansowanych technologii wytwarzania chipów pokazują, że Japonia poważnie traktuje powrót do grona liderów branży. Ważną rolę odgrywa tu współpraca z międzynarodowymi partnerami technologicznymi i zastosowanie najnowszych rozwiązań w obszarze litografii i architektury tranzystorów.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.