Intel Foundry stawia na technologię GaN-on-Silicon. 19 mikrometrów, 300 mm i nowy ruch w zasilaniu układów AI

Wyścig o układy dla AI dawno przestał być prostą licytacją na nanometry. Coraz częściej o przewadze decyduje to, jak szybko i z jakimi stratami da się doprowadzić energię do coraz gęściej upakowanych bloków obliczeniowych. Intel Foundry pokazuje więc nie nowy procesor, lecz element mniej widowiskowy na prezentacjach, a być może ważniejszy w praktyce. Chodzi o bardzo cienki chiplet GaN zintegrowany z klasyczną logiką krzemową.

Najciekawsze w tym ruchu Intela nie jest samo GaN, lecz próba przeniesienia walki o przewagę z litografii na zasilanie i integrację całego pakietu.

Intel dołącza do TeraFab. Projekt Elona Muska zyskuje partnera od produkcji i pakowania układów AI

Intel przywiózł na IEDM 2025 coś, co brzmi jak eksperyment z laboratorium, ale celuje w bardzo realny problem centrów danych. Mowa o chip­lecie wykorzystującym azotek galu, wykonanym na waflu 300 mm w technologii GaN-on-silicon, z krzemową bazą odchudzoną do zaledwie 19 mikrometrów. Ważne nie jest jednak samo bicie rekordu grubości, lecz integracja tranzystorów GaN do zadań energetycznych z krzemowymi obwodami sterującymi w ramach jednego układu. Producent mówi o blokowaniu napięcia do 78 V, częstotliwości odcięcia przekraczającej 300 GHz, opóźnieniu inwertera rzędu 33 pikosekund, a także pozytywnie zaliczonych testach niezawodności. To wciąż demonstracja technologii, a nie gotowy produkt, ale jednocześnie coś więcej niż jedynie luźna wizja.

Intel Serpent Lake ma być pierwszą generacją procesorów z wbudowanymi układami graficznymi NVIDIA RTX

Dla użytkownika peceta nie zmieni się jeszcze nic. Dla operatora farm AI albo projektanta akceleratora stawka jest większa, bo krótsza droga między sterowaniem a zasilaniem oznacza mniej strat, mniejsze regulatory napięcia i łatwiejsze dosunięcie ich bliżej GPU czy CPU. Na tle konkurencji Intel nie wygrywa samym faktem użycia GaN, bo nad waflami 300 mm pracują też imec i Infineon, a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company rozwija własne podejście do poprawy zasilania przez A16 z Super Power Rail. Różnica polega na tym, że Intel próbuje zamknąć GaN i logikę krzemową w jednym chipletcie, zamiast zostawiać je w osobnych kostkach lub na poziomie samego procesu logicznego.

Exynos 2800 ma powstać w ulepszonej litografii 2 nm. Samsung wybiera uzysk zamiast wyścigu na nanometry

Ta informacja dobrze łączy się z wcześniejszymi tekstami o EMIB, Foveros i rozbudowie zaplecza pakowania Intel Foundry. Jeśli firma dowiezie uzysk, koszty i trwałość w produkcji masowej, dostanie argument, którego nie da się sprowadzić do hasła o kolejnej litografii, czyli że potrafimy nie tylko wytworzyć układ, ale też sensownie zasilić cały pakiet dla epoki rozwoju sztucznej inteligencji. Jeśli nie dowiezie, zostanie ciekawostka z konferencji. Tym razem Intel gra jednak w miejscu, gdzie branżę naprawdę boli.