Intel jest gotowy do rozpoczęcia produkcji i podał szczegóły dotyczące swojej pamięci magnetorezystancyjnej SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Nie jest to nowość, ale technologia ta wciąż nie znalazła jeszcze szerszego zastosowania. Mimo wielu zalet. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny pracującej w oparciu o prądy spinowe. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej,...

Czytelnicy Purepc.pl coraz częściej mogą przeczytać o konkretnych zastosowaniach nowych rodzajów pamięci nieulotnej. Kilkukrotnie opisywaliśmy ostatnio obiecującą technologię ReRAM. W laboratoriach trwają jednak poszukiwania konkurencyjnych rozwiązań. Naukowcy z Uniwersytetu Tohoku w Japonii donoszą, że z powodzeniem opracowali 128 Mb pamięć magnetorezystancyjną SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy...

W San Francisco w USA zakończyła się 64. konferencja International Electron Devices Meeting. Podczas przemówienia programowego dr ES Jung, prezes Foundry Business w Samsung Electronics stwierdził, że następna rewolucja przemysłowa może nastąpić tylko dzięki ciągłej ewolucji technologii związanej z półprzewodnikami. W trakcie jego prezentacji można było też dowiedzieć się kilku ciekawych szczegółów z laboratoriów koreańskiego giganta. Wśród poruszanych spraw był temat pamięci nieulotnej...