sram

Jakiś czas temu omawialiśmy na łamach PurePC system do obliczeń związanych ze sztuczną inteligencją Vera Rubin. Podczas wydarzenia GTC 2026, NVIDIA ogłosiła wprowadzenie do swojego ekosystemu AI dodatkowych układów Groq LPX (nie mylić z modelem LLM Grok od xAI). Rozwiązanie to ma umożliwić obsługę znacznie dłuższych kontekstów oraz przyspieszyć proces inferencji w szczególnie wymagających scenariuszach obliczeniowych.

Kanadyjski startup Taalas wyszedł z ukrycia z radykalnym podejściem do akceleracji AI. Zamiast budować kolejną elastyczną platformę obliczeniową, firma dosłownie wytrawiła parametry modeli językowych w strukturze krzemowego układu. Efekt? ponad 16 000 tokenów na sekundę dla Llama 3.1 8B. To dziesięć razy więcej niż potrafią najpotężniejsze systemy konkurencji, przy jednoczesnym dziesięciokrotnym obniżeniu kosztów eksploatacji.

Innowacyjność w branży nowych technologii sprawia, że mamy do dyspozycji coraz wydajniejszy sprzęt, który w dodatku cechuje się lepszą efektywnością energetyczną. Także rynek pamięci HBM podlega tym przekształceniom. Firma Samsung planuje już wkrótce wprowadzić do swojej oferty rozwiązania sprzętowe, które zakładają umieszczenie chipów pamięci bezpośrednio na procesorze lub układzie graficznym. Takie podejście będzie miało szereg zalet.

Intel jest gotowy do rozpoczęcia produkcji i podał szczegóły dotyczące swojej pamięci magnetorezystancyjnej SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Nie jest to nowość, ale technologia ta wciąż nie znalazła jeszcze szerszego zastosowania. Mimo wielu zalet. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny pracującej w oparciu o prądy spinowe. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej,...

Czytelnicy Purepc.pl coraz częściej mogą przeczytać o konkretnych zastosowaniach nowych rodzajów pamięci nieulotnej. Kilkukrotnie opisywaliśmy ostatnio obiecującą technologię ReRAM. W laboratoriach trwają jednak poszukiwania konkurencyjnych rozwiązań. Naukowcy z Uniwersytetu Tohoku w Japonii donoszą, że z powodzeniem opracowali 128 Mb pamięć magnetorezystancyjną SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy...

W San Francisco w USA zakończyła się 64. konferencja International Electron Devices Meeting. Podczas przemówienia programowego dr ES Jung, prezes Foundry Business w Samsung Electronics stwierdził, że następna rewolucja przemysłowa może nastąpić tylko dzięki ciągłej ewolucji technologii związanej z półprzewodnikami. W trakcie jego prezentacji można było też dowiedzieć się kilku ciekawych szczegółów z laboratoriów koreańskiego giganta. Wśród poruszanych spraw był temat pamięci nieulotnej...