Samsung pracuje nad technologią, która pozwoli umieścić pamięć HBM bezpośrednio na procesorze lub układzie graficznym
Innowacyjność w branży nowych technologii sprawia, że mamy do dyspozycji coraz wydajniejszy sprzęt, który w dodatku cechuje się lepszą efektywnością energetyczną. Także rynek pamięci HBM podlega tym przekształceniom. Firma Samsung planuje już wkrótce wprowadzić do swojej oferty rozwiązania sprzętowe, które zakładają umieszczenie chipów pamięci bezpośrednio na procesorze lub układzie graficznym. Takie podejście będzie miało szereg zalet.
Już wkrótce Samsung wprowadzi do swojej oferty rozwiązanie, które pozwoli układać w pojedyncze stosy pamięć SRAM lub DRAM razem z procesorami i układami graficznymi. Wśród zalet rozwiązania jest wyższa wydajność.
NVIDIA Rubin - trwają już prace nad następcą architektury Blackwell. Nowa generacja wykorzysta pamięci HBM4
Prace nad omawianym rozwiązaniem są już na bardzo zaawansowanym etapie. Samsung jeszcze w tym roku powinien wprowadzić tę technologię na rynek. Póki co będzie stosowana tylko w przypadku pamięci HBM. Z racji, że HBM4 ma zadebiutować dopiero na przełomie lat 2025-2026, należy podejrzewać, że koreańska firma planuje zastosować nowe rozwiązanie także w przypadku pamięci wcześniejszych generacji. Opracowano w tym celu platformę SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology). W jej ramach można wyróżnić trzy typy technologii, które pozwolą układać w stosy różne rodzaje chipów: SAINT-S, SAINT-L i SAINT-D. SAINT-S pozwoli umieścić na procesorze lub układzie graficznym chipy pamięci SRAM, SAINT-L inny procesor logiczny na procesorze lub układzie graficznym, a SAINT-D chipy pamięci DRAM na procesorze lub układzie graficznym.
NVIDIA B200 Tensor Core - akcelerator graficzny oparty na architekturze Blackwell. Na pokładzie m.in. 192 GB pamięci HBM3e
Obecnie pamięć HBM umieszcza się horyzontalnie względem układu graficznego i łączy za pośrednictwem odpowiedniego elementu pośredniczącego (interposer). Ułożenie obu komponentów w pojedynczym stosie pozwala na wyeliminowanie interposera, ale wymaga oczywiście zaawansowanej technologii. Podejście to ma wiele zalet w porównaniu do tradycyjnego projektu. Na pewno umożliwi osiągnięcie wyższego transferu danych, doprowadzi do redukcji wszelkiego rodzaju zakłóceń i zmniejszy opóźnienia. Powinno też obniżyć pobór mocy. Po stronie problemów można zaś wymienić potencjalne trudności z utrzymaniem odpowiednio niskiej temperatury stosu. Samsung planuje dostarczyć swoim klientom usługi kompleksowe. Oznacza to, że jeden z oddziałów koreańskiej firmy będzie produkował pamięć HBM, a inny wykorzysta ją do złożenia procesorów bazujących na nowej technologii stosów. Nie wiemy na razie jednak, jakie chipy wykorzystają ją jako pierwsze.
Powiązane publikacje

V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
16
Micron i NVIDIA łączą siły. Nowe pamięci HBM3E i SOCAMM dla centrów danych i AI
5
SK hynix prezentuje na NVIDIA GTC 2025 przełomowe technologie pamięci przeznaczone dla AI
1
Micron zaprezentował proces technologiczny 1γ. Rozwiązanie jest już wykorzystywane do produkcji pamięci DDR5
24