3d dram

Hot Chips 2026 mocno skupił się na pamięciach dla akceleratorów AI. AMD, d-Matrix, Samsung i SK hynix pokazały rozwiązania korzystające z hybrid bonding, czyli bezpośrednie łączenie powierzchni miedzianych bez tradycyjnych połączeń lutowanych. AMD przedstawiło dane wskazujące na nawet 17 razy niższe zużycie energii na bit względem klasycznego HBM. Technologia wciąż ma jednak bariery związane z temperaturą, precyzją wykonania i możliwością masowej produkcji.

Pamięć coraz częściej staje się ograniczeniem dla akceleratorów AI. Milionowe konteksty, rosnące modele i obsługa wielu użytkowników sprawiają, że bufor KV może wymagać setek gigabajtów pamięci. HBM4 zapewnia dużą przepustowość i pojemność, SRAM jest znacznie szybszy, ale kosztowny i mały. Na Hot Chips 2026 d-Matrix pokazało Raptor, układ, który łączy DRAM z logiką w jednym stosie. Ma to łączyć pojemność, szybkość i efektywność energetyczną.

Kiedy Waszyngton odcina dostęp do najnowszych procesów litograficznych i pamięci HBM, chińscy producenci chipów szukają obejść poza głównym nurtem rozwoju krzemu. DFSX pokazał pierwszy efekt takiej strategii, czyli akcelerator DF1000, zbudowany w całości na krajowym łańcuchu dostaw. Firma nie goni TSMC ani Samsunga, tylko przebudowuje architekturę pamięci wokół gotowego procesu 14 nm. Efekt da się podobno zestawić wprost z ofertą NVIDII.

Powszechnie uważa się, że nośniki SSD nie oferują tak dużej przestrzeni dyskowej, jak tradycyjne HDD. Wraz z upływem czasu stwierdzenie to staje się jednak coraz bardziej nieaktualne. Dotyczy to przede wszystkim sprzętu skierowanego centrów danych. Firma Sandisk chce wykonać kolejny krok na drodze do ich upowszechnienia także w tym segmencie rynku. Już wkrótce do klientów mają trafić SSD oferujące kilkaset TB pojemności, a plany sięgają jeszcze dalej.