Dongfang Suanxin pokazuje DF1000. Chiński akcelerator AI z pamięcią 3D DRAM ma dorównywać układom NVIDIA H200

Kiedy Waszyngton odcina dostęp do najnowszych procesów litograficznych i pamięci HBM, chińscy producenci chipów szukają obejść poza głównym nurtem rozwoju krzemu. DFSX pokazał pierwszy efekt takiej strategii, czyli akcelerator DF1000, zbudowany w całości na krajowym łańcuchu dostaw. Firma nie goni TSMC ani Samsunga, tylko przebudowuje architekturę pamięci wokół gotowego procesu 14 nm. Efekt da się podobno zestawić wprost z ofertą NVIDII.

Dongfang Suanxin rezygnuje z pogoni za najnowszą litografią i stawia na architekturę 3D DRAM oraz pakowanie Infinity Chiplet, aby ominąć sankcje na pamięć HBM. Firma z Szanghaju twierdzi, że jej pierwszy chip DF1000 dorównuje przepustowością pamięci układom NVIDIA H200.

Qualcomm rozwija ofertę dla centrów danych. Dragonfly C1000, akceleratory AI300 i pamięć HBC w jednym planie na lata 2027–2028

Układ DF1000 pokazuje, że w wyścigu AI nie wszystko zależy od najnowszej litografii. DFSX buduje swój akcelerator na dojrzałym procesie 14 nm, technologii, która nie jest już wykorzystywana do najbardziej zaawansowanych układów AI przez TSMC czy Samsunga. Zamiast próbować konkurować w obszarze EUV, do którego chińskie firmy nadal mają ograniczony dostęp, producent postawił na zaawansowane pakowanie i integrację pamięci. Układ łączy warstwę logiczną z trójwymiarową pamięcią DRAM za pomocą technologii hybrid bonding. Według DFSX rozwiązanie zmniejsza długość połączeń z mikrometrów do wartości poniżej mikrometra i zwiększa liczbę połączeń TSV (Through-Silicon Via) dziesięciokrotnie względem klasycznych konstrukcji.

DeepSeek projektuje własny chip AI do inferencji. Ruch wymuszony sankcjami USA i słabością chińskiego zaplecza produkcyjnego

Producent deklaruje 520 TFLOPS w obliczeniach BF16 oraz przepustowość pamięci na poziomie 6,4 TB/s. To wynik wyższy od osiągów H100 i H200 pod względem transferu danych, ale nie oznacza automatycznie przewagi w rzeczywistych zadaniach AI. Według analiz ICSmart wydajność obliczeniowa DF1000 ma odpowiadać około 53 proc. możliwości układów Hopper produkowanych w 4 nm. DFSX chce dalej rozwijać tę strategię. Firma zapowiada architekturę Infinity Chiplet 3.5D+, która ma łączyć wiele układów logicznych w jednej obudowie i jeszcze mocniej ograniczać zależność od klasycznych stosów HBM.

Intel jako pierwszy wykorzystuje technologię High NA EUV przy procesorach Panther Lake. TSMC się wstrzymuje

Planowany DF2000 ma zadebiutować pod koniec 2026 roku. Producent zapowiada dla niego 1000 TFLOPS BF16 i 15 TB/s przepustowości przy zachowaniu procesu 14 nm. Kolejna generacja, czyli DF3000 przewidziana na lata 2027–2028, ma konkurować już z najnowszymi akceleratorami NVIDII z rodziny Blackwell. Za projektem stoi Wei Shaojun, profesor Uniwersytetu Tsinghua i doradca chińskiego sektora półprzewodników. DFSX pozyskała finansowanie od takich firm jak Meituan, Xiaomi i JD.com, a wycena spółki po ostatniej rundzie miała wynieść około 1,7 mld dolarów. Na razie wszystkie najważniejsze parametry DF1000 pochodzą jednak od producenta. Brakuje niezależnych testów, a Wei Shaojun przyznaje, że wielowarstwowe konstrukcje krzemowe zwiększają koszty i obniżają opłacalność produkcji.