Intel twierdzi, że litografia 14A idzie lepiej niż zakładano. TSMC oraz Samsung mają zupełnie inny plan na proces 1,4 nm

Intel od kilku lat ostrożnie mówi o kolejnych węzłach technologicznych. 20A został porzucony jako samodzielny proces, 18A długo mierzył się z problemami z uzyskiem, a o Intel 3 i Intel 4 spółka informowała niewiele. Tym większą uwagę zwraca wypowiedź Davida Zinsnera, CFO Intela. Ocenił on proces 14A, następcę 18A, znacznie lepiej niż wcześniejsze rozwiązania i porównał tempo poprawy do 22 nm. Sprawdzamy, co kryje się za tymi deklaracjami.

Firma Intel donosi, że gęstość defektów na procesie 14A spada szybciej niż zakładano, a CFO David Zinsner porównuje tempo poprawy do węzła 22 nm sprzed kilkunastu lat. Deklaracje brzmią obiecująco, chociaż masowa produkcja rusza dopiero w 2028 roku.

Intel planuje wprowadzenie bLLC także do procesorów w laptopach, choć nie stanie się to wraz z generacją Nova Lake

CFO Intela David Zinsner na konferencji Deutsche Bank powiedział wprost, że krzywa gęstości defektów na 14A jest lepsza od wewnętrznego celu Intela i spada szybciej niż w przypadku wcześniejszych węzłów firmy. Dodał, że takiego tempa poprawy nie obserwowano od czasu 22 nm, procesu, który w 2011 roku jako pierwszy na świecie wprowadził do masowej produkcji tranzystory FinFET. Zestawienie brzmi konkretnie, ale wymaga zastrzeżenia, gdyż poziom i sposób pomiaru defektów są dziś inne niż kilkanaście lat temu, m.in. ze względu na rozwój narzędzi inspekcji wafli krzemowych. Sama gęstość defektów nie przekłada się też wprost na wydajność produkcyjną, czyli yield.

Intel Core Ultra 9 4950K pojawił się w bazie CPU-Z. Nowy procesor Nova Lake uzyskał bardzo wysokie wyniki w pierwszym teście

14A ma wejść w produkcję próbną w drugiej połowie 2027 roku, a masową produkcję Intel planuje na 2028 rok. Węzeł łączy tranzystory RibbonFET drugiej generacji, architekturę gate-all-around, w której bramka otacza kanał z każdej strony, poprawiając kontrolę elektrostatyczną, z drugą generacją tylnego dostarczania zasilania PowerDirect oraz litografią High-NA EUV firmy ASML. Systemy High-NA EUV oferują rozdzielczość około 8 nm, w porównaniu z 13,5 nm w przypadku standardowych skanerów EUV, a ich cena może sięgać około 400 mln dolarów za urządzenie. Zinsner podkreślił też, że wewnętrzni projektanci Intela, według jego słów najbardziej sceptyczni odbiorcy w firmie, już projektują produkty na 14A, a rozmowy z klientami zewnętrznymi przeszły od analizy danych do pytań o dostępne wolumeny.

Procesor Apple M6 ze znacznie wyższą wydajnością w grach z Ray Tracingiem w porównaniu do Apple M4

Konkurenci stawiają na inne rozwiązania. TSMC celuje w uruchomienie swojego A14, również zaliczanego do klasy 1,4 nm, w 2028 roku, ale, jak deklaruje wiceprezes Kevin Zhang, nie zamierza wykorzystywać High-NA EUV. Firma chce osiągnąć wymagane parametry dzięki wielokrotnemu naświetlaniu z wykorzystaniem standardowych skanerów EUV. Samsung przesunął z kolei debiut procesu SF1.4 z 2027 na 2029 rok, koncentrując się wcześniej na kolejnych generacjach rodziny SF2. Intel stawia więc na High-NA EUV już przy procesie 14A, podczas gdy TSMC chce osiągnąć podobną klasę procesu A14 bez tej technologii, a Samsung odkłada jej wykorzystanie do późniejszego etapu rozwoju litografii. Jeśli deklarowane przez Zinsnera tempo redukcji defektów utrzyma się wraz ze zwiększaniem produkcji, 14A może być dla Intela znacznie ważniejszym testem niż kolejny wpis w roadmapie. To właśnie przejście od dobrych wyników na waflach do odpowiedniego uzysku i dużych wolumenów pokaże, czy firma rzeczywiście odzyskuje przewagę technologiczną.