pamięć dram

Micron w ostatnich tygodniach poinformował o rozpoczęciu dostaw modułów SOCAMM2 wykorzystujących kości LPDDR5X o gęstości 32 Gb dla systemów sztucznej inteligencji NVIDIA Vera Rubin. Teraz do grona dostawców dołącza także SK hynix, które ogłosiło dziś, 20 kwietnia 2026 roku, rozpoczęcie masowej produkcji pamięci SOCAMM2 o pojemności 192 GB. Oznacza to, że firma aktywnie włącza się w zaopatrywanie platform nowej generacji amerykańskiego giganta.

Postęp technologiczny na rynku pamięci DRAM nie przyciąga uwagi tak mocno, jak w przypadku innych segmentów branży komputerowej. W ostatnich miesiącach przejawiał się przede wszystkim we wprowadzeniu pamięci z modułem CKD, który optymalizuje jej pracę, a także wykorzystaniu nowych procesów technologicznych. Teraz Micron zaprezentował układy pamięci DDR5 o pojemności 16 Gb, które będą wykonane w procesie 1γ (1-gamma).

Choć postęp w branży pamięci RAM nie jest tak spektakularny, jak w przypadku kart graficznych czy procesorów, to firmy technologiczne nieustannie pracują nad nowymi rozwiązaniami. Jednym z największych producentów w tym segmencie rynku jest SK hynix. Koreańskie przedsiębiorstwo zaprezentowało właśnie pamięć DDR5, która bazuje na procesie technologicznym 1c. Jest to w praktyce szósta generacja procesu klasy 10 nm, która oferuje szereg zalet.

Sukces w branży nowych technologii nie jest możliwy bez nieustannych inwestycji na badania, rozwój, a w wielu przypadkach także ośrodki produkcyjne. Jest to jeden z najbardziej innowacyjnych obszarów rynku, gdzie przerwa w inwestycjach może skutkować nawet wieloletnim opóźnieniem względem konkurencji. Firma SK hynix doskonale to rozumie, ponieważ w najbliższym czasie zamierza przeznaczyć na rozwój kilkadziesiąt miliardów dolarów.

Innowacyjność w branży nowych technologii sprawia, że mamy do dyspozycji coraz wydajniejszy sprzęt, który w dodatku cechuje się lepszą efektywnością energetyczną. Także rynek pamięci HBM podlega tym przekształceniom. Firma Samsung planuje już wkrótce wprowadzić do swojej oferty rozwiązania sprzętowe, które zakładają umieszczenie chipów pamięci bezpośrednio na procesorze lub układzie graficznym. Takie podejście będzie miało szereg zalet.

Amerykański CHIPS and Science Act to bezprecedensowe rozwiązanie w amerykańskiej branży półprzewodników, które ma docelowo doprowadzić Stany Zjednoczone do światowej czołówki w produkcji chipów. Z odpowiednich dofinansowań korzystają już między innymi TSMC, Intel czy Samsung. Źródła donoszą, że na pokaźną dotację może liczyć także Micron. Firma ma imponujące plany inwestycyjne, które sięgają co najmniej 20 lat w przyszłość.

W ostatnim okresie mogliśmy obserwować cięcia produkcji na rynku pamięci DRAM. W połączeniu z odradzającym się wyraźnie popytem, doprowadziło to do zauważalnego wzrostu cen tych komponentów. Nie jest to jedyny czynnik, który będzie oddziaływał na ten segment rynku. Okazuje się, że niedawne trzęsienie ziemi na Tajwanie doprowadzi prawdopodobnie do wzrostów cen znacząco wykraczających poza niedawne prognozy ekspertów.

W ostatnich kilkunastu miesiącach byliśmy świadkami znaczących spadków cen pamięci DDR4, DDR5 i NAND flash. Przyczynami zjawiska były gorsza koniunktura rynkowa, a także pokaźne zapasy, które producenci zdołali zgromadzić. W takiej sytuacji podjęto decyzję o ograniczeniu produkcji. Wiele wskazuje na to, że podejście to zaczęło mocno oddziaływać na ceny. Za pamięć DDR4 i DDR5 trzeba już zapłacić znacznie więcej niż jeszcze kilka miesięcy temu.

W ostatnim okresie byliśmy świadkami znaczących spadków cen na rynku pamięci DRAM i NAND flash. Skłoniło to wiele firm do ograniczenia produkcji. W sytuacji, gdy mniej sprzętu trafia na rynek, należy spodziewać się wzrostów cen. Reakcja nie jest jednak natychmiastowa, dlatego musieliśmy nieco poczekać na efekty tych działań. Okazuje się, że cięcia produkcji przyniosły z punktu widzenia producentów bardzo dobre efekty.