Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

mram

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET

Intel jest gotowy do rozpoczęcia produkcji i podał szczegóły dotyczące swojej pamięci magnetorezystancyjnej SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Nie jest to nowość, ale technologia ta wciąż nie znalazła jeszcze szerszego zastosowania. Mimo wielu zalet. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny pracującej w oparciu o prądy spinowe. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej,...

STT MRAM z rekordem zapisu. Rusza masowa produkcja pamięci

STT MRAM z rekordem zapisu. Rusza masowa produkcja pamięci

Czytelnicy Purepc.pl coraz częściej mogą przeczytać o konkretnych zastosowaniach nowych rodzajów pamięci nieulotnej. Kilkukrotnie opisywaliśmy ostatnio obiecującą technologię ReRAM. W laboratoriach trwają jednak poszukiwania konkurencyjnych rozwiązań. Naukowcy z Uniwersytetu Tohoku w Japonii donoszą, że z powodzeniem opracowali 128 Mb pamięć magnetorezystancyjną SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy...

Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm

Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm

W San Francisco w USA zakończyła się 64. konferencja International Electron Devices Meeting. Podczas przemówienia programowego dr ES Jung, prezes Foundry Business w Samsung Electronics stwierdził, że następna rewolucja przemysłowa może nastąpić tylko dzięki ciągłej ewolucji technologii związanej z półprzewodnikami. W trakcie jego prezentacji można było też dowiedzieć się kilku ciekawych szczegółów z laboratoriów koreańskiego giganta. Wśród poruszanych spraw był temat pamięci nieulotnej...

Toshiba i SK Hynix zawarły ugodę w sprawie kradzieży IP

Toshiba i SK Hynix zawarły ugodę w sprawie kradzieży IP

Nadchodzą Święta Bożego Narodzenia, czyli czas, w którym łamiemy się opłatkiem, składamy sobie najserdeczniejsze życzenia i godzimy się ze swoimi wrogami. Czy to samo dzieje się także w relacjach między zwaśnionymi producentami? Ależ oczywiście, że nie, jednak czasami pewne sprawy zbiegają się w czasie i wypadają akurat w takim okresie jak dzisiaj. O wielkim szczęściu mogą mówić dwie znane firmy zajmujące się na co dzień wytwarzaniem modułów pamięci NAND Flash wykorzystywanych m.in. w...

Nowe pamięci MRAM

Nowe pamięci MRAM

Firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych modułów pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która łączy w sobie szybkość tradycyjnych układów RAM oraz zapis magnetyczny (stosowany np. w dyskach twardych). Nowa technologia wykorzystuje tunelowy efekt magnetorezystancyjny i od dłuższego czasu pretenduje do miana następcy popularnych pamięci flash.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.