Nowe pamięci MRAM

Firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych modułów pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która łączy w sobie szybkość tradycyjnych układów RAM oraz zapis magnetyczny (stosowany np. w dyskach twardych). Nowa technologia wykorzystuje tunelowy efekt magnetorezystancyjny i od dłuższego czasu pretenduje do miana następcy popularnych pamięci flash.

Wykorzystywane obecnie jako pamięć operacyjna komputera, moduły SRAM oraz DRAM wymagają ciągłego zasilania, aby zapisane dane nie uległy dezintegracji. Z kolei pamięci flash mogą przechowywać informacje nawet po odcięciu źródła zasilania, jednak oferują znacznie mniejsze prędkości transferu danych.

Pamięć MRAM łączy w sobie obydwa rozwiązania, eliminując niejako wady każdego z nich. Krytycy technologii ostrzegają jednak, że nowa pamięć może być niestabilna, co ma duże znaczenie dla bezpieczeństwa przechowywanych danych.

Firma Freescale zapowiedziała na razie produkcję 4-megabitowych modułów, które mogą znaleźć zastosowanie raczej w mniejszych urządzeniach typu PDA, aniżeli w komputerach stacjonarnych.