Nowe pamięci MRAM
Firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych modułów pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która łączy w sobie szybkość tradycyjnych układów RAM oraz zapis magnetyczny (stosowany np. w dyskach twardych). Nowa technologia wykorzystuje tunelowy efekt magnetorezystancyjny i od dłuższego czasu pretenduje do miana następcy popularnych pamięci flash.
Wykorzystywane obecnie jako pamięć operacyjna komputera, moduły SRAM oraz DRAM wymagają ciągłego zasilania, aby zapisane dane nie uległy dezintegracji. Z kolei pamięci flash mogą przechowywać informacje nawet po odcięciu źródła zasilania, jednak oferują znacznie mniejsze prędkości transferu danych.
Pamięć MRAM łączy w sobie obydwa rozwiązania, eliminując niejako wady każdego z nich. Krytycy technologii ostrzegają jednak, że nowa pamięć może być niestabilna, co ma duże znaczenie dla bezpieczeństwa przechowywanych danych.
Firma Freescale zapowiedziała na razie produkcję 4-megabitowych modułów, które mogą znaleźć zastosowanie raczej w mniejszych urządzeniach typu PDA, aniżeli w komputerach stacjonarnych.
Powiązane publikacje
ARM ma już 40 lat. Architektura, która zasila smartfony, serwery i roboty, trafiła do ponad 250 miliardów urządzeń
22
Anthropic chce zajrzeć do wnętrza AI. Czy do 2027 roku odkryjemy, jak naprawdę myślą modele językowe?
22
Firma Elona Muska xAI chce pozyskać 25 miliardów dolarów na budowę superkomputera Colossus 2 z milionem GPU NVIDIA
60
Nowatorski interfejs mózg-komputer od Georgia Tech może zmienić sposób, w jaki ludzie komunikują się z technologią i otoczeniem
4
