Nowe pamięci MRAM
Firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych modułów pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która łączy w sobie szybkość tradycyjnych układów RAM oraz zapis magnetyczny (stosowany np. w dyskach twardych). Nowa technologia wykorzystuje tunelowy efekt magnetorezystancyjny i od dłuższego czasu pretenduje do miana następcy popularnych pamięci flash.
Wykorzystywane obecnie jako pamięć operacyjna komputera, moduły SRAM oraz DRAM wymagają ciągłego zasilania, aby zapisane dane nie uległy dezintegracji. Z kolei pamięci flash mogą przechowywać informacje nawet po odcięciu źródła zasilania, jednak oferują znacznie mniejsze prędkości transferu danych.
Pamięć MRAM łączy w sobie obydwa rozwiązania, eliminując niejako wady każdego z nich. Krytycy technologii ostrzegają jednak, że nowa pamięć może być niestabilna, co ma duże znaczenie dla bezpieczeństwa przechowywanych danych.
Firma Freescale zapowiedziała na razie produkcję 4-megabitowych modułów, które mogą znaleźć zastosowanie raczej w mniejszych urządzeniach typu PDA, aniżeli w komputerach stacjonarnych.
Powiązane publikacje
Standard PCIe 8.0 jest na dobrej drodze do debiutu w 2028 roku, PCI-SIG zaprezentowało jego specyfikację w wersji 0.5
36
Samsung przekroczył 80 proc. uzysku na litografii 4 nm. Proces SF4X wraca do gry w akceleratorach AI
7
Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografia
5
Japan Airlines testuje humanoidalne roboty przy załadunku bagażu i cargo. To próba bez przebudowy lotniskowej infrastruktury
9
