Nowe pamięci MRAM
Firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych modułów pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która łączy w sobie szybkość tradycyjnych układów RAM oraz zapis magnetyczny (stosowany np. w dyskach twardych). Nowa technologia wykorzystuje tunelowy efekt magnetorezystancyjny i od dłuższego czasu pretenduje do miana następcy popularnych pamięci flash.
Wykorzystywane obecnie jako pamięć operacyjna komputera, moduły SRAM oraz DRAM wymagają ciągłego zasilania, aby zapisane dane nie uległy dezintegracji. Z kolei pamięci flash mogą przechowywać informacje nawet po odcięciu źródła zasilania, jednak oferują znacznie mniejsze prędkości transferu danych.
Pamięć MRAM łączy w sobie obydwa rozwiązania, eliminując niejako wady każdego z nich. Krytycy technologii ostrzegają jednak, że nowa pamięć może być niestabilna, co ma duże znaczenie dla bezpieczeństwa przechowywanych danych.
Firma Freescale zapowiedziała na razie produkcję 4-megabitowych modułów, które mogą znaleźć zastosowanie raczej w mniejszych urządzeniach typu PDA, aniżeli w komputerach stacjonarnych.
Powiązane publikacje
OpenAI i problem Paula Erdősa. Ogólny model rozumujący wszedł w geometrię dyskretną przez algebraiczną teorię liczb
54
Nikon chce uderzyć w ASML ceną. Japończycy celują w segment ArF immersion, ale nie ruszają monopolu EUV
9
Posprzątają ci mieszkanie za darmo, ale jest haczyk. Kamera nagra wszystko, a materiał trafi do szkolenia robotów
9
Podwodne data center pod Szanghajem ruszyło komercyjnie. Serwery chłodzi morze, a prąd daje morska farma wiatrowa
0
