Nowe pamięci MRAM
Firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych modułów pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która łączy w sobie szybkość tradycyjnych układów RAM oraz zapis magnetyczny (stosowany np. w dyskach twardych). Nowa technologia wykorzystuje tunelowy efekt magnetorezystancyjny i od dłuższego czasu pretenduje do miana następcy popularnych pamięci flash.
Wykorzystywane obecnie jako pamięć operacyjna komputera, moduły SRAM oraz DRAM wymagają ciągłego zasilania, aby zapisane dane nie uległy dezintegracji. Z kolei pamięci flash mogą przechowywać informacje nawet po odcięciu źródła zasilania, jednak oferują znacznie mniejsze prędkości transferu danych.
Pamięć MRAM łączy w sobie obydwa rozwiązania, eliminując niejako wady każdego z nich. Krytycy technologii ostrzegają jednak, że nowa pamięć może być niestabilna, co ma duże znaczenie dla bezpieczeństwa przechowywanych danych.
Firma Freescale zapowiedziała na razie produkcję 4-megabitowych modułów, które mogą znaleźć zastosowanie raczej w mniejszych urządzeniach typu PDA, aniżeli w komputerach stacjonarnych.
Powiązane publikacje
TSMC wznawia produkcję chipów na Tajwanie zaledwie kilkanaście godzin po potężnym trzęsieniu ziemi
56
PCI-SIG opublikowało dla swoich członków nowy szkic standardu PCIe 7.0. Rozwiązanie ma zadebiutować już w 2025 roku
61
Sztuczna inteligencja wejdzie na wyższy poziom. Microsoft i OpenAI stworzą superkomputer, którego koszt przekroczy 100 mld USD
41
TSMC odnotowuje duże zainteresowanie procesem 3 nm. Jego znaczenie w kolejnych latach będzie rosło
15
