gaafet

Rywalizacja na rynku najnowocześniejszych procesów litograficznych nabiera tempa. Walka toczy się między technologicznymi gigantami o każdy nanometr. Producenci prześcigają się we wdrażaniu innowacji, które zdefiniują wydajność przyszłych procesorów i kart graficznych. W centrum tej rywalizacji znajduje się przejście na nową architekturę tranzystorów, która ma otworzyć kolejny rozdział w historii mocy obliczeniowej i efektywności energetycznej.

Na rynku chipów liderem pozostaje tajwańskie TSMC, które wyróżnia się zarówno liczbą zamówień, jak i postępem technologicznym w opracowywaniu coraz mniejszych i bardziej zaawansowanych procesów litograficznych. W wyścigu tym aktywnie uczestniczy także Intel oraz Samsung. Jednak według najnowszych informacji z sieci, Samsung napotyka obecnie poważne trudności z drugą generacją litografii 3 nm, która opiera się na tranzystorach w technologii GAAFET.