Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国
 

Samsung doświadcza dużych problemów z drugą generacją litografii 3 nm z tranzystorami GAAFET. Uzysk jest więcej niż rozczarowujący

Mateusz Szlęzak | 12-11-2024 21:00 |

Samsung doświadcza dużych problemów z drugą generacją litografii 3 nm z tranzystorami GAAFET. Uzysk jest więcej niż rozczarowującyNa rynku chipów liderem pozostaje tajwańskie TSMC, które wyróżnia się zarówno liczbą zamówień, jak i postępem technologicznym w opracowywaniu coraz mniejszych i bardziej zaawansowanych procesów litograficznych. W wyścigu tym aktywnie uczestniczy także Intel oraz Samsung. Jednak według najnowszych informacji z sieci, Samsung napotyka obecnie poważne trudności z drugą generacją litografii 3 nm, która opiera się na tranzystorach w technologii GAAFET.

Druga generacja procesu technologicznego 3 nm od Samsunga, wykorzystująca tranzystory GAAFET, zmaga się obecnie z problemem bardzo niskiego uzysku, co uniemożliwia wdrożenie jej do masowej produkcji.

Samsung doświadcza dużych problemów z drugą generacją litografii 3 nm z tranzystorami GAAFET. Uzysk jest więcej niż rozczarowujący [1]

Samsung stawia na pamięć operacyjną typu PIM, aby wyprzedzić rywali w wyścigu o rynek układów do sztucznej inteligencji

W sieci pojawiły się doniesienia, że uzysk w drugiej generacji litografii 3 nm od Samsunga wynosi zaledwie 20%, co z uniemożliwia wdrożenie jej do masowej produkcji. Warto dodać, że z podobnymi trudnościami Samsung zmaga się w procesie technologicznym 2 nm, który został przesunięty na 2026 rok. Przedsiębiorstwo obecnie dysponuje już pierwszą generacją procesu 3 nm, oznaczaną jako SF3E-3GAE, która osiąga uzysk w granicach 50-60%. Proces ten również bazuje na technologii tranzystorów GAAFET (Gate All Around Field Effect Transistor).

Samsung doświadcza dużych problemów z drugą generacją litografii 3 nm z tranzystorami GAAFET. Uzysk jest więcej niż rozczarowujący [2]

Samsung został skrytykowany przez pracowników za nieefektywne zarządzanie i skupienie się na krótkoterminowych celach

Problemy związane z drugą generacją litografii 3 nm mogą wpłynąć na dalszy rozwój Samsunga, który już teraz dostrzega odpływ kluczowych klientów na rzecz TSMC, lidera technologii rozwijającego swoje rozwiązania najszybciej w branży. Dla Samsunga, który stara się utrzymać konkurencyjność, te trudności mogą skutkować dalszym spadkiem udziałów rynkowych. Opóźnienia związane z nową generacją procesu technologicznego 3 nm mogą zmusić firmę do rewizji swoich planów, zwłaszcza że zakładany przez przedsiębiorstwo współczynnik rentowności dla produkcji seryjnej wynosi 70% uzysku z pojedynczego wafla krzemowego.

Źródło: WCCFTech, yeux1122 (Blog)
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 14

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.