Samsung przygotowuje masową produkcję pamięci HBM4, GDDR7 i DDR5 nowej generacji oraz stabilną produkcję w litografii GAA 2 nm

Całkiem niedawno pisaliśmy o tym, że Micron i SK hynix pracują nad szybszymi wariantami pamięci HBM4, podczas gdy Samsung wyraźnie pozostawał w tyle. Jednak, jak to często bywa w tej branży, sytuacja szybko uległa zmianie. Samsung dołączył do rywali, zapowiadając własne, ulepszone moduły HBM4, a przy okazji zaprezentował również postępy w rozwoju nowych generacji pamięci GDDR7 i DDR5. Sprawdźmy więc, co dokładnie firma przygotowała.

Samsung zapowiedział pamięci HBM4 o prędkości transmisji danych 11 Gb/s, nowe układy GDDR7 o gęstości 24 Gb, a także moduły DDR5 o pojemności przekraczającej 128 GB, przeznaczone dla rynku sztucznej inteligencji.

Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione

Samsung, przy okazji ogłoszenia wyników za III kwartał 2025 roku, poinformował o 15,4% wzroście przychodów, głównie dzięki realizacji dużych dostaw pamięci HBM3E oraz nośników SSD. Firma przy tej okazji ujawniła nowe szczegóły dotyczące swoich przyszłych produktów. Pamięci HBM4 otrzymają wariant o prędkości transmisji 11 Gb/s na pin, co przekłada się na przepustowość do 2,8 TB/s na kość. Tym samym Samsung dogania konkurencję w postaci Microna i SK hynix, którzy również opracowali szybsze wersje wykraczające poza podstawową specyfikację JEDEC. Według dostępnych informacji producent wysyła już próbne kości HBM4 do partnerów z branży AI w celu testów kwalifikacyjnych, natomiast pełną produkcję pamięci i matryc bazowych zaplanowano na 2026 rok. Warto dodać, że Samsung planuje również zapewnić stabilne dostawy chipów w litografii 2 nm GAA (Gate-All-Around) w 2026 roku, która najprawdopodobniej zostanie wykorzystana przy produkcji układów SoC z rodziny Samsung Exynos oraz Qualcomm Snapdragon dla rynku mobilnego.

Poznaliśmy szczegóły specyfikacji pamięci od HBM4 do HBM8. Wbudowane chłodzenie, wysoka przepustowość i gęstość pamięci

Jeśli chodzi o pamięci GDDR7, Samsung zapowiedział układy o gęstości 24 Gb (3 GB), które mogą odegrać kluczową rolę dla firmy w 2026 roku, zwłaszcza że liczne doniesienia wskazują na zwiększoną pojemność pamięci VRAM w kartach graficznych NVIDIA GeForce RTX 5000 SUPER. Nie jest jednak pewne, czy chodzi o ten sam wariant kości, które mają osiągać 42,5 Gb/s na pin, w zależności od środowiska pracy, gdyż nad takimi rozwiązaniami Samsung również prowadzi prace. Koreański producent zapowiedział ponadto większe moduły DDR5 o pojemności powyżej 128 GB, przeznaczone dla segmentu sztucznej inteligencji i serwerów. Obecnie rynek DRAM i SSD skupia się głównie na sektorze AI, co powoduje wzrost cen i pojawienie się niedoborów produktów konsumenckich. Najwięksi producenci zapowiedzieli już podwyżki cen DDR5 i DDR4, więc zostaje nam obserwować, jak te zapowiedzi wpłyną na rynek konsumencki.