Chiński plan dogonienia liderów pamięci AI znów się oddala. CXMT hamuje, a YMTC dopiero buduje zaplecze

Wyścig o produkcję pamięci HBM dawno przestał być technologiczną ciekawostką. Dziś to jeden z najważniejszych czynników decydujących o tym, kto realnie jest w stanie budować akceleratory sztucznej inteligencji na dużą skalę. Chiny chcą stworzyć własne rozwiązania i uniezależnić się od zagranicznych łańcuchów dostaw, jednak najnowsze sygnały pokazują, że między ambicjami a gotowym produktem wciąż pozostaje wyraźna luka do wypełnienia.

Chiny zbudowały już polityczny i przemysłowy nacisk na produkcję własnych pamięci HBM, ale technologicznie nadal biegną kilka okrążeń za liderami.

YMTC zwiększa skalę mimo sankcji USA. Nowe zakłady i technologia Xtacking 4.0 to ruch pod rynek pamięci NAND i DRAM

W medialnym obiegu przewija się nazwa Yangtze Memory Technologies Co., Ltd., ale problem dotyczy przede wszystkim ChangXin Memory Technologies, czyli najważniejszego chińskiego producenta pamięci DRAM. To właśnie CXMT miało pchnąć krajowe HBM3 do przodu, tymczasem kolejne doniesienia wskazują na testy zamiast realnej masówki. To różnica zasadnicza, bo w HBM nie wystarczy mieć projekt kości. Trzeba jeszcze spiąć zaawansowane pakowanie, uzysk i stabilne dostawy narzędzi, a tu Chiny nadal nadrabiają zaległości.

SK hynix ogłasza rozpoczęcie masowej produkcji pamięci SOCAMM2 dla systemów AI NVIDIA Vera Rubin

Dla użytkownika nie oznacza to oczywiście braku pamięci w sklepie, tylko wolniejsze dojrzewanie chińskich akceleratorów AI i mniejszą szansę, że Huawei szybko uniezależni się od zapasów oraz obejść powstałych przed zaostrzeniem sankcji. Na tle konkurencji obraz jest brutalny: gdy CXMT walczy o HBM3, SK hynix, Samsung Electronics i Micron Technology od dawna monetyzują HBM3E, a rynek myśli już o HBM4. Zresztą pisaliśmy już zarówno o przewadze SK hynix w HBM4, jak i o ruchach Microna oraz Samsunga wokół pamięci dla AI. Chiny są dziś raczej na etapie składania własnego ekosystemu, od CXMT i Tongfu Microelectronics po zaplecze pakowania, a także nowe fabryki firmy YMTC.

Samsung rezygnuje z mobilnych pamięci DRAM LPDDR4 i LPDDR4X. Gigant będzie teraz koncentrował się na szybszych modułach

To jednak nie jest historia o porażce, tylko o koszcie spóźnienia. Reuters wcześniej opisywał, że chińskie firmy mierzyły najpierw w HBM2, a dopiero teraz próbują doskoczyć wyżej. Jednocześnie Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. rozbudowuje moce, wysyła próbki LPDDR i zwiększa udział krajowych narzędzi w fabrykach. Długofalowo Pekin pewnie dowiezie własny stos pamięci i pakowania, ale krótkoterminowo nic nie wskazuje na to, aby miał rozbić oligopol Korei i USA. A to oznacza utrzymanie przewagi technologicznej liderów, wysokich marż na HBM i dalszej presji na tych, którzy chcą budować AI bez dostępu do globalnej czołówki.