LPDDR

Przy każdej premierze „telefonu z AI” wraca ten sam zgrany, ale wciąż aktualny problem, w którym producenci pompują moc NPU, dorzucają lepsze ISP i szybkie magazyny UFS, a potem cały układ wpada na ścianę, którą stawia pamięć. To nie jest widowiskowy temat, bo trudno sprzedać użytkownikowi opowieść o przepustowości i opóźnieniach DRAM. Tyle że bez tego lokalne modele językowe, generowanie obrazu czy bardziej złożone funkcje aparatu pracują wolniej.

Jakiś czas temu informowaliśmy, że AMD testuje próbki inżynieryjne procesorów EPYC Venice opartych na architekturze Zen 6. Firma poinformowała niedawno, że serwerowe CPU weszły w fazę wczesnej masowej produkcji w zakładach TSMC na Tajwanie. Pojawiły się również informacje dotyczące układów EPYC Verano, a producent pochwalił się inwestycją przekraczającą 10 mld dolarów, związaną z szafami AI Helios opartymi również na akceleratorach Instinct MI450X.

Przez lata producenci pamięci zmniejszali klasyczną komórkę pamięci DRAM tak mocno, jak tylko pozwalała na to fizyka. Teraz Samsung próbuje obejść ten problem inaczej, czyli nie tylko litografią, lecz przebudową wnętrza komórki. Na papierze brzmi to jak detal dla inżynierów, ale właśnie z takich detali biorą się później pojemniejsze i oszczędniejsze moduły. Pytanie nie brzmi już, czy da się zejść niżej, tylko jak zrobić to bez rozsypania całej konstrukcji.

Producenci smartfonów chętnie opowiadają o kolejnych przełomach w projektowaniu układów, podkreślając wzrost wydajności i efektywności energetycznej, ale rachunek za te ambicje zwykle przychodzi z opóźnieniem, i rzadko bywa niski. Tym razem może okazać się szczególnie wysoki, bo na stole leżą jednocześnie kosztowna litografia 2 nm oraz wyraźnie drożejąca pamięć, która już dziś stanowi istotny składnik ceny urządzenia.