LLW DRAM dla smartfonów to pamięć inspirowana HBM mająca podnieść przepustowość AI do 128 GB/s

Przy każdej premierze „telefonu z AI” wraca ten sam zgrany, ale wciąż aktualny problem, w którym producenci pompują moc NPU, dorzucają lepsze ISP i szybkie magazyny UFS, a potem cały układ wpada na ścianę, którą stawia pamięć. To nie jest widowiskowy temat, bo trudno sprzedać użytkownikowi opowieść o przepustowości i opóźnieniach DRAM. Tyle że bez tego lokalne modele językowe, generowanie obrazu czy bardziej złożone funkcje aparatu pracują wolniej.

Mobilne AI obecnie ma największy problem z pamięciami, które zwyczajnie nie nadążają z karmieniem modeli danymi. LLW DRAM wygląda jak sensowna próba obejścia tego problemu.

SK hynix pokazał HBM4E 48 GB 12-Hi i 4 TB/s. Gęstszy stos ma przyspieszyć kolejną falę akceleratorów AI

Według doniesień chińscy producenci stawiają na LLW DRAM, czyli pamięć wykorzystującą szeroki interfejs i pakowanie inspirowane HBM. Nie jest to jednak pełnoprawne HBM znane z serwerów i akceleratorów AI, bo smartfon nie poradziłby sobie ani z jego gabarytami, ani zapotrzebowaniem na energię. Idea jest prosta. Trzeba zwiększyć przepustowość pamięci bez dokładania kolejnych watów. Samsung już wcześniej opisywał LLW jako rozwiązanie oferujące do 128 GB/s. Dla porównania JEDEC podawał dla Wide I/O 2 do 68 GB/s przy 1,1 V, podczas gdy klasyczne LPDDR od lat stanowi kompromis między wydajnością, energooszczędnością i powierzchnią zajmowaną na płycie.

Pamięci Samsung HBM5 z Heat Path Block mają usprawnić chłodzenie i zmniejszyć dystans do SK hynix

Oznacza to więcej praktycznych korzyści, w tym możliwość uruchamiania większych modeli AI lokalnie, niższe opóźnienia i mniejszą zależność od chmury. Tymczasem konkurencja nie stoi w miejscu. Samsung równolegle rozwija mobilne HBM oparte na technologii FOWLP i miedzianych filarach. Przecieki mówią o wzroście przepustowości o 15–30 proc. oraz ponad 1,5-krotnym zwiększeniu pojemności stosu. SK hynix podchodzi do problemu inaczej, rozwijając HBS, które integruje pamięci LPDDR i NAND w bezpośrednim sąsiedztwie procesora aplikacyjnego.

Samsung rozpoczął wysyłkę próbek HBM4E do klientów. 48 GB na stos i do 3,6 TB/s dla akceleratorów AI

Rywalizacja nie dotyczy już wyłącznie rdzeni CPU i GPU, lecz także tego, kto skuteczniej zintegruje pamięć z układem. W dłuższej perspektywie taki kierunek wpłynie również na ceny i podział rynku. Najbardziej zaawansowane rozwiązania trafią początkowo do najdroższych smartfonów, ponieważ nowoczesne techniki pakowania zwiększają koszty, komplikują projekt i podnoszą ryzyko produkcyjne. Jeśli jednak LLW i podobne technologie się przyjmą, określenie „AI phone” przestanie oznaczać kilka funkcji w galerii czy automatyczne streszczanie notatek. Zacznie odnosić się do urządzeń zdolnych do wykonywania coraz bardziej złożonych obliczeń lokalnie, bez ciągłego odwoływania się do chmury.