Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

VCT

Samsung 10a DRAM są coraz bliżej. 4F2, IGZO i hybrydowe łączenie wafli zmieniają projekt pamięci

Samsung 10a DRAM są coraz bliżej. 4F2, IGZO i hybrydowe łączenie wafli zmieniają projekt pamięci

Przez lata producenci pamięci zmniejszali klasyczną komórkę pamięci DRAM tak mocno, jak tylko pozwalała na to fizyka. Teraz Samsung próbuje obejść ten problem inaczej, czyli nie tylko litografią, lecz przebudową wnętrza komórki. Na papierze brzmi to jak detal dla inżynierów, ale właśnie z takich detali biorą się później pojemniejsze i oszczędniejsze moduły. Pytanie nie brzmi już, czy da się zejść niżej, tylko jak zrobić to bez rozsypania całej konstrukcji.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.