Samsung 10a DRAM są coraz bliżej. 4F2, IGZO i hybrydowe łączenie wafli zmieniają projekt pamięci

Przez lata producenci pamięci zmniejszali klasyczną komórkę pamięci DRAM tak mocno, jak tylko pozwalała na to fizyka. Teraz Samsung próbuje obejść ten problem inaczej, czyli nie tylko litografią, lecz przebudową wnętrza komórki. Na papierze brzmi to jak detal dla inżynierów, ale właśnie z takich detali biorą się później pojemniejsze i oszczędniejsze moduły. Pytanie nie brzmi już, czy da się zejść niżej, tylko jak zrobić to bez rozsypania całej konstrukcji.

Firma Samsung nie przyspiesza dziś pecetów, ale układa fundament pod gęstsze i oszczędniejsze pamięci na drugą połowę dekady.

NVIDIA dywersyfikuje pamięć dla platformy Vera Rubin. Nanya Technology może dołączyć do Micron Technology i SK hynix

Samsung nie ogłosił gotowego produktu do sklepu, lecz działającą kość testową w procesie 10a, który według branżowych szacunków schodzi do około 9,5-9,7 nm. Sedno zmiany leży jednak gdzie indziej. Klasyczną komórkę 6F2 ma zastąpić układ 4F2, więc z prostokąta robi się ciaśniejszy kwadrat. To otwiera drogę do upchnięcia nawet o 30-50 proc. większej liczby komórek na tej samej powierzchni. Żeby taki projekt w ogóle miał sens, Samsung dorzuca pionowy tranzystor VCT, kanał z tlenku indu, galu i cynku, czyli IGZO, oraz hybrydowe łączenie wafli, bo logikę pomocniczą coraz trudniej zmieścić obok komórki.

JEDEC ogłasza plany na dalszy rozwój standardu LPDDR6. Większa pojemność, dodanie układów logiki i integracja z SOCAMM2

Nie oznacza to nagłego skoku wydajności w następnym zestawie DDR5. To ruch pod pamięci końca dekady, czyli gęściej upakowane, chłodniejsze i łatwiejsze do skalowania w serwerach, smartfonach, a także HBM dla akceleratorów AI. Pisaliśmy już o wejściu EUV do DRAM Samsunga, a później o wyścigu wokół HBM4. Ten temat dobrze domyka tamten obraz, bo sama litografia przestała wystarczać i producenci zaczęli przebudowywać pamięć od środka. Samsung chce domknąć rozwój 10a w 2026 roku, testy jakości w 2027, a z produkcją masową ruszyć w 2028. SK hynix celuje w podobne rozwiązania od generacji 10b, z kolei Micron patrzy już w stronę 3D DRAM. Innymi słowy, wyścig toczy się dziś nie tylko o zastosowanie nowszych procesów litograficznych, ale o sensowniejszą architekturę komórki.