Samsung - pierwsze DDR4 wykonane z użyciem techniki EUV
Samsung ogłosił, że jako pierwszy w branży opracował moduły DRAM wykonane w litografii 10 nm (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) oparte na technologii wykorzystującej ekstremalny ultrafiolet (EUV). Otworzy to drzwi do (jeszcze) bardziej zaawansowanych procesów, do użytku w komputerach PC klasy premium, urządzeniach mobilnych, serwerach korporacyjnych i centrach danych. Chipy nowej generacji powinny być teraz dzięki temu osiągnięciu opracowywane szybciej. Samsung dostarczył swoim partnerom milion chipów, co dla nas, jako konsumentów prawdopodobnie oznacza, że już lada moment ruszy masowa produkcja.
Zastosowanie EUV ma zdecydowanie poprawić wydajność i uzysk z wafla krzemowego. Możliwe jest użycie tej technologii zarówno do pamięci DRAM czwartej generacji (D1a), jak i 14 nm.
Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB
Samsung jako pierwszy zastosował EUV w produkcji pamięci DRAM, aby sprostać wyzwaniom związanym ze skalowaniem pamięci DRAM. Technologia EUV redukuje powtarzalne etapy i poprawia dokładność wzornictwa, umożliwiając lepszą wydajność i większy uzysk z wafla krzemowego oraz skrócony czas opracowywania kolejnych odsłon. EUV zostanie w pełni wdrożony w przyszłych generacjach pamięci DRAM firmy Samsung, począwszy od czwartej generacji klasy 10 nm (D1a) lub wysoce zaawansowanej klasy 14 nm pamięci DRAM. Samsung spodziewa się, że w przyszłym roku rozpocznie masową produkcję DDR5 i LPDDR5 na bazie D1a, co podwoi wydajność produkcyjną 12-calowych wafli D1x.
Karty AMD i NVIDIA mogą podrożeć przez wzrost cen pamięci
Zgodnie ze strategią ekspansji DDR5 / LPDDR5 w przyszłym roku, firma zacieśni współpracę z wiodącymi klientami IT i dostawcami półprzewodników w zakresie optymalizacji standardowych specyfikacji, w celu przyspieszenia przejścia na nowy standard całego rynku pamięci. Aby lepiej sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na wysokiej jakości pamięć DRAM nowej generacji, Samsung uruchomi w drugiej połowie tego roku drugą linię produkcyjną półprzewodników w Pyeongtaek w Korei Południowej. Miejmy nadzieję, że te wszystkie posunięcia spowodują obniżenie cen urządzeń i podzespołów wykorzystujących moduły od Samsunga.
Powiązane publikacje

G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen
22
Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
3
Ferroelectric Memory wraz z Neumonda podejmują wysiłek komercjalizacji pamięci DRAM+, łączącej zalety SSD i RAM
35
V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
16