Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB

Bartosz Woldański | 04-02-2020 19:00 |

Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GBKoreańska firma Samsung ogłosiła właśnie rynkowy debiut kości pamięci trzeciej generacji Flashbolt, czyli HBM2E. W oficjalnym komunikacie prasowym pochwalono się dwukrotnie większą pojemnością, lepszą energooszczędnością i wyraźnie wyższą przepustowością względem zwykłych układów HBM2 (ang. High Bandwidth Memory), które zastosowano między innymi we flagowych kartach graficznych koncernu AMD, czyli Radeonach VII i RX Vega 64. Od premiery poprzedniego standardu DRAM minęło trochę czasu, więc przyszła pora na następną generację kości pamięci. Ujawniona specyfikacja przez Samsunga tylko w niewielkim stopniu odbiega od tego, co zapowiadało w ubiegłym roku SK Hynix. I, co więcej, uda się dotrzymać planowanego terminu uruchomienia masowej produkcji, wyznaczonego na 2020 rok.

Samsung zapowiedział rynkowy debiut pamięci HBM2E Flashbolt, których osiągi robią wrażenie. Dwa razy więcej pamięci i prawie dwukrotnie wyższa przepustowość względem kości HBM2 (Aquabolt).

Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB [1]

Samsung już masowo produkuje 16-gigabitowe pamięci GDDR6

Kości trzeciej generacji HBM2E mają przynieść spory krok naprzód. Mogą one pochwalić się łączną pojemnością na poziomie 16 GB, której uzyskanie było możliwe dzięki zastosowaniu ośmiu 16-gigabitowych warstw, które zostały stworzone w 10-nanometrowym procesie technologicznym. Pakiet taki połączono ze sobą za pomocą technologii TSV (ang. Through-Silicon Vias). Pamięci Samsunga o nazwie kodowej Flashbolt mają standardową transmisję danych do 3,2 Gb/s, a ich przepustowość przy rzeczonej pojemności dobija nawet do wartości 410 GB/s na stos. Koreański producent podkreślił również, że maksymalny transfer danych wyniósł 4,2 Gb/s na stos, co oznaczało osiągnięcie przepustowości 538 GB/s w wybranych aplikacjach. Jest to prawie dwukrotny wzrost względem wyników kości Aquabolt.

Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB [2]

Firma Samsung przewiduje, że masowa produkcja HBM2E trzeciej generacji rozpocznie się jeszcze w pierwszej połowie bieżącego roku i nie oznacza zaprzestania dostarczania starszej wersji pamięci HBM. Niestety, nie podano bardziej przybliżonego terminu. Układy będą stosowane w ogólnie szeroko pojętym rynku premium: najmocniejszych kartach graficznych, superkomputerach czy systemach wykorzystywanych do maszynowego uczenia i obliczeń analitycznych przy użyciu sztucznej inteligencji. Nie wiadomo jednak, czy wysoki koszt produkcji pamięci sprawi, że pojawią się one w GPU przeznaczonym na masowy rynek konsumencki, czyli dla graczy. Pamięci HBM poprzednich generacji nie cieszyły się wszak zbyt dużą popularnością w tym segmencie i zamiast nich producenci stawiali przede wszystkim na tańsze pamięci GDDR5(X) i 6.

Źródło: Samsung
0
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 28

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.