pamięci DRAM

Wyścig o mobilną AI wszedł w kluczową fazę rozwoju. Coraz mniejsze znaczenie ma sama liczba TOPS deklarowana przez nowe układy, a coraz większe cały łańcuch dostarczania danych do rdzeni AI w warunkach ograniczonej przestrzeni i energii, jakie narzuca smukły smartfon. W praktyce to przepustowość pamięci, opóźnienia i efektywność przesyłu danych stają się jednym z głównych czynników ograniczających realną wydajność systemów AI na urządzeniu.

Rynek pamięci przez lata żył starym, zwykłym rytmem. Po okresie niedoborów potrzebnych układów przychodziła ich nadpodaż, a potem pojawiały się przeceny. Ten mechanizm zaczyna się zacinać. Najwięksi gracze zajmujący się sztuczną inteligencją wolą dzisiaj zapłacić za pamęci więcej, ale podpisać umowy na zapewnienie ciągłości dostaw na kilka lat, byle tylko zniwelować ryzyko zatrzymania rozbudowy centrów danych w połowie wyścigu.

Pentagon wywołał zamieszanie na rynku półprzewodników, publikując zaktualizowaną listę Section 1260H, z której usunięto dwóch kluczowych chińskich producentów pamięci CXMT i YMTC. Dokument zniknął z Federal Register po zaledwie godzinie, a Pentagon wycofał całą publikację bez podania przyczyny. To wskazuje na złagodzenia podejścia administracji Trumpa wobec Chin przed planowanym spotkaniem prezydenta Trumpa z Xi Jinpingiem w kwietniu.

Rynek smartfonów w 2026 roku stanie przed bezprecedensowym wyzwaniem, czyli globalnym niedoborem pamięci DRAM, który uderza w całą branżę bez wyjątku. Prognozy mówią o 7 proc. spadku dostaw chipsetów i 6,1 proc. kurczeniu się rynku telefonów. W tym ponurym scenariuszu Google z procesorem Tensor G6 może jednak ograniczyć straty lepiej niż konkurencja. Według Counterpoint Research firma z Mountain View osiągnie 18,9 proc. wzrost dostaw rok do roku.

Micron Technology podpisał list intencyjny zakupu tajwańskiej fabryki P5 należącej do PSMC za 1,8 mld dolarów. Transakcja, która ma zostać sfinalizowana w drugim kwartale 2026 roku, jest próbą zwiększenia mocy produkcyjnych przy niedoborze pamięci DRAM. Problem w tym, że efekty tego ruchu pojawią się najwcześniej w drugiej połowie 2027 roku, gdy ceny pamięci dla konsumentów mogą wzrosnąć łącznie nawet o 100 proc. w stosunku do poziomów z końca 2025 roku.

SK Hynix postanowił przyspieszyć swoje plany produkcyjne. Firma ogłosiła, że pierwsza fabryka w kompleksie Yongin otworzy się o trzy miesiące wcześniej. czyli już w lutym 2027 roku, podczas gdy zakład M15X w Cheongju rozpocznie produkcję wafli krzemowych dla pamięci HBM już w przyszłym miesiącu. To bezpośrednia odpowiedź na sytuację, którą dyrektor generalny SK Hynix America, Sungsoo Ryu, określił słowami "ogromny i niesamowity popyt".

Stosunki między USA a Chinami wciąż się zaostrzają, co ma coraz większy wpływ na globalny przemysł półprzewodników. Amerykańska administracja podjęła decyzję, która może wpłynąć na funkcjonowanie czołowych firm technologicznych działających w Azji. Producenci tacy jak Intel, Samsung i SK Hynix zostali objęci nowymi ograniczeniami, które mogą zahamować ich działalność w Państwie Środka. To kolejny etap napięć w sektorze technologicznym.