Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji

Maciej Lewczuk | 03-09-2025 12:30 |

SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacjiProducenci chipów dążą do zmniejszania rozmiarów tranzystorów, co pozwala na tworzenie wydajniejszych i energooszczędnych układów. Istotną rolę w tym procesie odgrywa litografia w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV). Okazuje się jednak, że dotychczasowe rozwiązania powoli osiągają swoje granice. Na horyzoncie pojawia się nowa generacja tej technologii, która ma otworzyć drzwi do produkcji komponentów w jeszcze niższych procesach technologicznych.

High NA EUV to najważniejsza technologia, która otwiera nowy rozdział przemysłu półprzewodników - powiedział Kim Byeong-Chan, szef zespołu klientów SK Hynix-Japan w ASML.

SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji [1]

SK hynix największym producentem pamięci DRAM. Samsung po raz pierwszy stracił pozycję lidera. Powód? NVIDIA

Firma SK hynix ogłosiła nawiązanie strategicznej współpracy z holenderską firmą ASML. Jej celem jest wdrożenie do produkcji pamięci DRAM nowej generacji litografii High-NA EUV. Koreański producent jako pierwszy w branży będzie komercyjnie wykorzystywał tę przełomową technologię. Partnerstwo zakłada między innymi utworzenie wspólnego laboratorium badawczego w belgijskim centrum Imec. Inżynierowie obydwu firm będą tam pracować nad optymalizacją procesu produkcyjnego z użyciem najnowszego skanera ASML Twinscan EXE:5000. Urządzenie to charakteryzuje się aperturą numeryczną (NA) na poziomie 0,55. Jest to znaczny postęp w stosunku do 0,33 w poprzedniej generacji maszyn EUV. Pozwoli to na tworzenie jeszcze mniejszych i precyzyjniejszych wzorów obwodów, co jest podstawą w produkcji kości DRAM w procesach poniżej 10 nanometrów, określanych przez firmę jako 1c.

SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji [2]

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko

Warto zauważyć, że choć firma SK hynix jako pierwsza ogłosiła komercyjne wykorzystanie nowej technologii, to Intel jako pierwszy otrzymał i zmontował maszynę High-NA EUV w swojej fabryce w Oregonie. Decyzja koreańskiej firmy o natychmiastowym wdrożeniu tej technologii do prac nad pamięciami DRAM wskazuje na chęć objęcia prowadzenia w wyścigu o miniaturyzację. Rozwój litografii jest niezbędny nie tylko dla procesorów, ale także dla zaawansowanych pamięci, w tym HBM (High Bandwidth Memory) wykorzystywanych w akceleratorach AI. Inwestycja w maszyny warte blisko 400 mln dolarów za sztukę jest ryzykowna, ale może zapewnić SK hynix przewagę technologiczną nad konkurentami takimi jak Samsung czy Micron.

Źródło: SK hynix
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 6

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.