Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

pamięć flash

Prezes Phison obawia się, że zbyt duże wzrosty cen pamięci NAND flash i nośników SSD podkopią odradzający się popyt

Prezes Phison obawia się, że zbyt duże wzrosty cen pamięci NAND flash i nośników SSD podkopią odradzający się popyt

Na rynku pamięci NAND flash i nośników SSD obserwujemy od kilku miesięcy wzrosty cen. Choć nie jest to duże zaskoczenie, bo są one zgodne z wcześniejszymi prognozami, to ich przyczyna jest zróżnicowana. Po pierwsze, następuje odrodzenie popytu po kryzysowym okresie. Po drugie, producenci NAND flash znacząco ograniczyli produkcję w celu podbicia cen. Jak wskazuje prezes Phison, taka polityka może mieć docelowo bardzo szkodliwe skutki.

Western Digital - wiemy jakie będą następne kroki przedsiębiorstwa po nieudanej fuzji z Kioxia

Western Digital - wiemy jakie będą następne kroki przedsiębiorstwa po nieudanej fuzji z Kioxia

Western Digital od kilku miesięcy przygotowywało się do dużych zmian, planując fuzję z japońską firmą Kioxia. Jednak kilka dni temu świat obiegła wiadomość, że oba podmioty całkowicie wstrzymują rozmowy dotyczące połączenia. Teraz zdaje się, że na fali tych informacji rada dyrektorów postanowiła podjąć ważną decyzję o podziale amerykańskiej spółki. Jak twierdzi CEO David Goeckeler przedsiębiorstwo jest do tego celu świetnie przygotowane.

Kioxia i Western Digital w natychmiastowym trybie wstrzymują rozmowy dotyczące fuzji

Kioxia i Western Digital w natychmiastowym trybie wstrzymują rozmowy dotyczące fuzji

Kilka miesięcy temu świat obiegła informacja, że Western Digital i Kioxia przygotowują się do fuzji. Rozmowy były już na bardzo zaawansowanym etapie i wydawało się, że nic nie zmieni decyzji obu przedsiębiorstw. Według najnowszych doniesień fuzja została jednak całkowicie wstrzymana. Swoje zastrzeżenia zgłosiła firma SK hynix, która jest pośrednio współwłaścicielem Kioxii. Do połączenia prawdopodobnie nigdy nie dojdzie.

Samsung przygotowuje się do produkcji pamięci V-NAND o 300 warstwach. Bazujące na niej nośniki mogą pojawić się w 2024 roku

Samsung przygotowuje się do produkcji pamięci V-NAND o 300 warstwach. Bazujące na niej nośniki mogą pojawić się w 2024 roku

Technologia NAND flash jest obecnie jedną z szybciej rozwijających się w branży komputerowej. Choć także na ten sektor wpłynęła gorsza koniunktura rynkowa, to firmy mają imponujące plany odnośnie rozwoju pamięci tego typu. Pojawiły się właśnie konkretne informacje na temat planów Samsunga na przyszły rok. Koreańska firma zamierza wypracować przewagę nad jednym ze swoich największych konkurentów w tym segmencie rynku, czyli SK hynix.

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0

Amerykańskie przedsiębiorstwo Micron Technology ogłosiło właśnie koniec pracy nad udoskonalonymi pamięciami typu UFS 4.0, które oparte są o rozwiązanie znane z ich 232-warstwowej pamięci 3D NAND. Próbki są dostępne dla innych firm i Micron zapewnia, że są one już w drodze do wybranych przedstawicieli. Niebawem w urządzeniach mobilnych zobaczymy wdrożone rozwiązanie, które zaoferuje spory skok wydajności i pojemności rzędu 1 TB. Jest więc na co czekać.

SK hynix rozpoczęło masową produkcję pamięci NAND flash o rekordowej liczbie warstw

SK hynix rozpoczęło masową produkcję pamięci NAND flash o rekordowej liczbie warstw

Firmy technologiczne mają imponujące plany dotyczące rozwoju nośników SSD. W stosunkowo niedalekiej przyszłości możemy spodziewać się znaczącego postępu w zakresie pojemności tego typu rozwiązań. Towarzyszyć powinien temu także wzrost wydajności, który będzie możliwy dzięki rozwojowi urządzeń korzystających z magistrali PCIe 5.0. SK hynix zapowiedziało rozpoczęcie masowej produkcji pamięci 4D NAND flash o imponującej liczbie warstw.

Kioxia i Western Digital intensyfikują rozmowy na temat fuzji. Znamy wstępną strukturę udziałów w nowo powstałym podmiocie

Kioxia i Western Digital intensyfikują rozmowy na temat fuzji. Znamy wstępną strukturę udziałów w nowo powstałym podmiocie

Na rynku pamięci NAND panuje dosyć duża konkurencyjność. Choć na czele znajduje się Samsung, to spore udziały mają też firmy Micron, SK hynix, Kioxia czy Western Digital. Dwa ostatnie z wymienionych podmiotów zaangażowały się mocno w rozmowy, których bezpośrednim efektem może być fuzja. Choć nic nie jest jeszcze ostatecznie przesądzone, to gdyby transakcja doszła do skutku, nowo powstałe przedsiębiorstwo mogłoby rzucić wyzwanie Samsungowi.

SK hynix może sprzedać budowaną fabrykę pamięci 3D NAND w Chinach. Przyczyną niepewna sytuacja rynkowa

SK hynix może sprzedać budowaną fabrykę pamięci 3D NAND w Chinach. Przyczyną niepewna sytuacja rynkowa

Sytuacja na rynku nowych technologii jest daleka od idealnej. Dostawy sprzętu komputerowego mocno zwalniają, co może wskazywać na rozwijający się kryzys. Początkowo obiecujące plany wielu przedsiębiorstw mogą okazać się nadmiernie optymistyczne. Wiele wskazuje na to, że w tego typu sytuacji znalazła się firma SK hynix, która buduje nową fabrykę pamięci 3D NAND w chińskim mieście Dalian. Przyszłość inwestycji koreańskiego przedsiębiorstwa jest niepewna.

Jak podłączyć pendrive do smartfona z wyjściem USB-C i microUSB

Jak podłączyć pendrive do smartfona z wyjściem USB-C i microUSB

Obecne dziś na rynku smartfony proponują albo wystarczającą ilość wbudowanej pamięci masowej (256 GB w telefonie nikogo już nie dziwi) albo też (w rozwiązaniach budżetowych) niewielką pojemność rzędu 16 / 32 GB, wspieraną jednak obsługą kart pamięci do 512 GB. Jeszcze kilka lat temu, gdyby ktoś powiedział nam, że wkrótce będziemy nosić półterabajtowy magazyn pamięci w kieszeni, popukalibyśmy się w czoło. Dziś takie pojemności to już standard nie tylko jeśli chodzi o przenośne dyski...

Ditellurek molibdenu najlepszym materiałem na pamięci ReRAM

Ditellurek molibdenu najlepszym materiałem na pamięci ReRAM

Materiały 2D, pamięci ReRAM - wszystko to może brzmieć jak z filmu science - fiction. Pamiętam jednak doskonale czasy, kiedy półprzewodniki i PC wydawały się taką samą abstrakcją. Warto więc czasem posłuchać jaka przyszłość komputerowych podzespołów wyłania się z naukowych laboratoriów. O materiałach 2D wiemy już sporo, wciąż jednak szukamy optymalnych do wykorzystania choćby w pamięciach czy procesorach. Tym razem inżynierowie z amerykańskiego Uniwersytetu Purdue pod lupę wzięli ditellurek...

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów

Wideo w jakości 4K, duże pliki zdjęciowe czy filmowe, Sztuczna Inteligencja, nowe czujniki - smartfony rozwijają się w niezwykłym tempie. Żeby utrzymać wysoką wydajność takiego urządzenia potrzebne są wysokiej jakości podzespoły. I dotyczy to praktycznie każdego elementu w tym oczywiście także pamięci masowych. Nowy dysk Western iNAND MC EU321 EFD wykorzystuje 96-warstwową technologię półprzewodnikowych kości pamięci 3D NAND, zaawansowane możliwości interfejsu UFS 2.1 i architekturę iNAND...

Kingston HyperX Savage 128 GB. Brutalnie szybki pendrive

Kingston HyperX Savage 128 GB. Brutalnie szybki pendrive

Pomimo upowszechniania się bezpłatnych usług chmurowych oraz stałego dostępu do internetu, które pozwalają na zarządzanie naszymi plikami praktycznie wszędzie, zapotrzebowanie na pendrive'y nie słabnie. Wprost przeciwnie - przybywa coraz pojemniejszych przenośnych pamięci flash, które pod względem wydajności są zbliżone do dysków SSD. Reprezentantem właśnie takiej klasy urządzeń jest najnowszy pendrive Kingston HyperX Savage 128 GB, według producenta mogący osiągać nawet 250 MB/s w zapisie...

Intel przystosuje chińską fabrykę do produkcji pamięci NAND

Intel przystosuje chińską fabrykę do produkcji pamięci NAND

Rosnące zapotrzebowanie na kości pamięci typu NAND Flash motywuje producentów do zwiększania mocy przerobowych i przygotowywania się na coraz większe zamówienia. Intel jako główny dostawca procesorów dla komputerów osobistych posiada wiele fabryk mogących zostać wykorzystanych do wytwarzania produktów tego typu - czasy jednak się zmieniają i niektóre zakłady powinny zająć się produkcją innych układów, ponieważ wzrasta zapotrzebowanie właśnie na nie. Podobnie będzie w przypadku najnowszej...

SanDisk Connect Wireless Stick - Bezprzewodowy pendrive

SanDisk Connect Wireless Stick - Bezprzewodowy pendrive

Jeszcze do niedawna mało kto przewidywał tak wielką popularność urządzeń mobilnych oraz tak szybki wzrost rynku smartfonów. Dzisiaj obecność mądrego telefonu w kieszeni typowego Kowalskiego już nikogo nie dziwi, a posiadacze klasycznych urządzeń GSM są często uważani za hipsterów, profesjonalistów dbających o swoje bezpieczeństwo lub wielbicieli starych technologii. Wymiana informacji w przypadku sprzętu mobilnego wbrew pozorom odbywa się nie tylko przez interfejsy bezprzewodowe, co jest oczywiście...

Pamięci Flash w technologi 60 nanometra

Pamięci Flash w technologi 60 nanometra

Koreański koncern Samsung ogłosił wyprodukowanie 60-nanometrowych układów pamięci flash o pojemności 2 gigabitów, które oferują podwójnie szybsze czasy zapisu w porównaniu do poprzednich produktów firmy. Zapis danych w nowych układach odbywa się z prędkością 17 MB/s, chociaż producent przewiduje, że może się zwiększyć do 136MB/s, gdy połączonych zostanie osiem 2-gigabitowych chipów. Informacje na temat dostępności rynkowej nowych pamięci nie są na razie znane. Jak podają zaufani informatorzy...

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.