Pamieci RAM

Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.

Rynek pamięci półprzewodnikowych od lat jest zdominowany przez kilku globalnych graczy. Jednak dążenia do niezależności i rosnące znaczenie AI napędzają dynamiczne zmiany. Szczególnie w Chinach, które w obliczu geopolitycznych ograniczeń intensywnie inwestują w rozwój własnych technologii. Najnowsze doniesienia z branży wskazują na możliwość powstania nowego, potężnego sojuszu. Może on w przyszłości znacząco wpłynąć na układ sił w tej branży.

Producenci chipów dążą do zmniejszania rozmiarów tranzystorów, co pozwala na tworzenie wydajniejszych i energooszczędnych układów. Istotną rolę w tym procesie odgrywa litografia w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV). Okazuje się jednak, że dotychczasowe rozwiązania powoli osiągają swoje granice. Na horyzoncie pojawia się nowa generacja tej technologii, która ma otworzyć drzwi do produkcji komponentów w jeszcze niższych procesach technologicznych.

Na rynku pamięci za jakiś czas ma szansę zaistnieć nowy gracz, jakim jest ULTRARAM. Mowa tutaj o pamięci, która może przechowywać dane przez naprawdę długi okres, jest wytrzymała i pobiera niewiele energii. Opracował ją profesor fizyki z Uniwersytetu Lancester, Manus Hayne, który jest przy okazji współzałożycielem firmy QUINAS Technology. Właśnie udało się zamknąć pierwszy etap, który ma otwierać drzwi do masowej produkcji omawianej pamięci. Czego udało się dokonać?

SK hynix w ostatnim czasie przegoniło firmę Samsung pod względem udziału na rynku pamięci DRAM. Sytuacja ta była wyjątkowa, ponieważ zdarzyła się po raz pierwszy od ponad trzech dekad. Wpływ na nią miała bliska współpraca SK Hynix z marką NVIDIA, ponieważ ta druga odpowiada za akceleratory AI, do których potrzebne są pamięci HBM, które z kolei tworzy pierwsza firma. SK hynix podzieliło się kolejnym osiągnięciem, aczkolwiek tym razem z segmentu pamięci NAND flash.

Rozwój sztucznej inteligencji mocno napędził produkcję dedykowanych akceleratorów graficznych, a co za tym idzie pamięci, w które muszą zostać wyposażone. Zapewne większość czytelników PurePC zdaje sobie sprawę, że obecnie dominującym producentem omawianych akceleratorów jest firma NVIDIA. Przedsiębiorstwo, które będzie jej partnerem w dostarczaniu pamięci DRAM, może więc oczekiwać lepszych wyników sprzedażowych. Tak właśnie stało się z SK hynix.

Rynek pamięci RAM od lat jest zdominowany przez zaledwie kilka firm dyktujących warunki i kierunki rozwoju technologii. Od pewnego czasu rosną ambicje chińskich producentów, którzy dążą do uniezależnienia się od zagranicznych dostawców. Droga na szczyt jest jednak pełna wyzwań technologicznych i geopolitycznych. Najnowsze doniesienia z tego sektora pokazują, że nawet przy ogromnym wsparciu państwa, realizacja ambitnych planów wymaga czasu i pokonania problemów.

Jednym z nielicznych atutów platformy LGA1851 oraz procesorów Intel Core Ultra 200 jest obsługa szybkich pamięci RAM DDR5 CUDIMM, osiągających taktowania coraz śmielej zbliżające do magicznej granicy 10000 MHz. Niedawno do sprzedaży trafił wyczynowy zestaw ADATA XPG Lancer RGB DDR5-9200 CL42, należący do absolutnej światowej czołówki pamięci DDR5 CUDIMM, który postanowiłem sprawdzić pod względem wydajności oraz możliwości overclockingu. Jednocześnie na wykresach znajdziecie porównanie do zwykłych...

Już od dłuższego czasu większość topowych smartfonów czy innych urządzeń mobilnych działa w oparciu o pamięć RAM typu LPDDR5X. Co prawda nadal jest ona w zupełności wystarczająca dla producentów i użytkowników, jednak możemy się spodziewać, że niebawem obowiązującym standardem - przynajmniej w segmencie high-end - stanie się LPDDR6. Organizacja JEDEC właśnie zaprezentowała nowy typ modułów i przedstawiła jego najważniejsze cechy.

Technologia pamięci DDR5 osiąga kolejne rekordy w dziedzinie overclockingu. Nowy standard CAMM2 otwiera nowe możliwości dla entuzjastów wysokich częstotliwości, oferując lepsze parametry elektryczne i kompaktową konstrukcję. Najnowsze osiągnięcia w tej dziedzinie wskazują na potencjał tej technologii do przekroczenia dotychczasowych barier wydajności. Współpraca producentów daje obiecujące rezultaty w zakresie stabilności i podnoszenia parametrów.

Rozwój technologii często przynosi za sobą pozytywne skutki na niektórych polach. Można do nich zaliczyć spadek cen za urządzenia bądź podzespoły, które są na rynku obecne od jakiegoś czasu. Tak na przykład było do tej pory z nośnikami SSD, czy też pamięciami RAM w standardzie DDR4. W drugim przypadku sytuacja zaczyna się jednak zmieniać - aktualnie na niekorzyść potencjalnych klientów, gdyż w wielu przypadkach można zauważyć całkiem spory wzrost cen.

Mimo że standardem w PC są dziś pamięci RAM typu DDR5, nadal dosyć popularne pozostają moduły DDR4, które możemy zainstalować na platformie AMD AM4 czy Intel LGA 1700. Korzysta z nich również wiele przemysłowych stacji roboczych oraz serwerów na całym świecie. Nie oznacza to jednak, że z biegiem czasu będą one coraz tańsze. Tajwański serwis DigiTimes donosi, że ceny pamięci DDR4 drastycznie poszły w górę. Jakie są tego przyczyny?

Rynek półprzewodników przechodzi dynamiczne zmiany, napędzane rosnącym zapotrzebowaniem na nowoczesne rozwiązania technologiczne. Producenci z całego świata intensyfikują swoje działania, aby sprostać wyzwaniom związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i infrastrukturą chmurową. W tym kontekście decyzje największych graczy mogą znacząco wpłynąć na kształtowanie się globalnych trendów i przyszłość branży pamięci.

Zawody G.SKILL OC World Cup to jedne z najbardziej prestiżowych i technicznie zaawansowanych turniejów overclockingowych na świecie. Odbywają się cyklicznie z inicjatywy firmy G.SKILL, znanego producenta pamięci RAM i komponentów dla entuzjastów PC. Turniej przyciąga najlepszych overclockerów z całego świata, którzy walczą o nagrody pieniężne oraz tytuł mistrza świata w ekstremalnym podkręcaniu. W tej edycji mistrzem został CENS, choć nie uzyskał najwyższych transferów.

Rekordowe wyniki w podkręcaniu podzespołów komputerowych to nie tylko ciekawostki dla entuzjastów. To także dowód na to, jak szybko rozwija się nowoczesna technologia, a także jakie możliwości oferują współczesne płyty główne i moduły pamięci. Najnowsze osiągnięcie w dziedzinie overclockingu pokazuje, że nawet granice techniczne mogą być systematycznie przesuwane. Tego typu testy są często zapowiedzią tego, co za chwilę trafi do użytkowników końcowych.

G.SKILL to jeden z liderów w segmencie konsumenckich modułów RAM, znany z dostarczania topowych rozwiązań zarówno pod względem prędkości transferu, jak i opóźnień. Tym razem tajwańska firma zaprezentowała zestaw pamięci Trident Z5 Neo RGB o łącznej pojemności 256 GB (4x 64 GB), wyróżniający się niskimi opóźnieniami i przeznaczony dla stacji roboczych i zastosowań AI opartych na procesorach AMD Ryzen i platformie AM5.

Rosnące zapotrzebowanie na wydajne pamięci wykorzystywane w systemach sztucznej inteligencji napędza konkurencję między największymi producentami. W centrum uwagi znalazły się nowe generacje modułów HBM, które stają się podstawą dla układów przetwarzających ogromne ilości danych. Firmy takie jak Samsung i Micron intensyfikują działania, by zabezpieczyć pozycję na globalnym rynku. Jakie strategie przyjmują i kto może zyskać przewagę?

Od lat pamięć w komputerach osobistych dzieli się na dwa główne typy: nieulotną oraz ulotną (operacyjną). Coraz częściej jednak w środowisku inżynierów pojawiają się inicjatywy mające na celu częściowe zatarcie tego podziału. Powodem są m.in. rosnące wymagania serwerów AI, które przetwarzają ogromne ilości danych - nie tylko podczas uczenia, ale także w trakcie codziennego działania. Teraz w branży ponownie pojawiło się rozwiązanie DRAM+, bazujące na pamięci typu FeRAM.

Pamięci RAM DDR5 sukcesywnie przejmują segment desktopowy, głównie za pomocą najnowszych platform dla procesorów AMD i Intel, obsługujących wyłącznie najnowszy standard. Jednak nieprędko definitywnie pożegnamy RAM DDR4, ponieważ starsze lecz zarazem znacznie tańsze i cieszące się niesłabnącą popularnością systemy z powodzeniem wykorzystują takie moduły. Platforma Intel LGA1700 i procesory Core 12/13/14 generacji pozwalają z kolei wybierać pomiędzy obsługą RAM DDR4 i RAM DDR5, umożliwiając...

Pobijanie rekordów świata jest na swój sposób ciekawym zajęciem, które pozwala przekraczać znane nam technologiczne bariery. Tak oto niemalże z miesiąca na miesiąc pojawiają się kolejne rekordy świata w overclockingu pamięci RAM DDR5. Teraz nowy rekord ustanowił overclocker HiCookie, wykorzystując do tego pamięci V-Color Manta XFinity RGB DDR5. Świadczy to o nieustannej rywalizacji w środowisku overclockerów, gdzie każda optymalizacja jest na wagę złota.

Micron ogłasza współpracę z NVIDIA, dostarczając pamięci HBM3E i SOCAMM dla nowej generacji serwerów AI i centrów danych. HBM3E 12H 36GB została zoptymalizowana pod kątem NVIDIA GB300 Grace Blackwell, a HBM3E 8H 24GB będzie wspierać HGX B200 i GB200 NVL72. Dzięki 1,2 TB/s przepustowości nowe moduły zapewnią wyższą wydajność AI i HPC. Micron zapowiedział także LPDDR5X SOCAMM, nowy format pamięci serwerowej dla rozwiązań AI i edge computing.

Podczas konferencji GTC 2025 SK hynix zaprezentował 12-warstwową pamięć HBM3E oraz SOCAMM, nowy standard dla serwerów AI. Nowe moduły zapewnią 60% wyższą wydajność i ponad 2 TB/s przepustowości, wspierając rozwój nowej generacji AI. SK hynix ogłosił również, że masowa produkcja HBM4 ruszy w drugiej połowie 2025 roku, a technologia ta znajdzie zastosowanie w przyszłych układach NVIDIA Rubin.

Postęp technologiczny na rynku pamięci DRAM nie przyciąga uwagi tak mocno, jak w przypadku innych segmentów branży komputerowej. W ostatnich miesiącach przejawiał się przede wszystkim we wprowadzeniu pamięci z modułem CKD, który optymalizuje jej pracę, a także wykorzystaniu nowych procesów technologicznych. Teraz Micron zaprezentował układy pamięci DDR5 o pojemności 16 Gb, które będą wykonane w procesie 1γ (1-gamma).

Na rynku od dłuższego czasu powszechnie są dostępne moduły DDR5. To jednak nie oznacza, że ten standard upowszechnił się wśród użytkowników komputerów. W praktyce wielu z nich korzysta wciąż z pamięci DDR4, a nawet jeszcze starszego DDR3. Wkrótce zmianę zacznie wymuszać sam rynek, ponieważ firmy Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji starszych rozwiązań. Może to nastąpić już pod koniec bieżącego roku.

W 2023 roku na rynku zadebiutowały po raz pierwszy moduły pamięci LPCAMM. Jest to kompaktowe rozwiązanie przeznaczone do laptopów, które cechuje się lepszą efektywnością energetyczną i wydajnością niż tradycyjne moduły SO-DIMM. NVIDIA oraz czołowe firmy z branży pamięci komputerowej pracują już nad kolejnym rozwiązaniem określanym mianem SOCAMM. Nowy standard ma być dobrze skrojony pod kompaktowe komputery zdolne wykonywać obliczenia AI.

Patriot Memory, znane z produkcji wysokowydajnych pamięci operacyjnych i nośników danych, obchodzi swoje 40-lecie podczas targów CES 2025. Z tej okazji firma zaprezentowała dwa nowe modele modułów RAM DDR5 pod marką Viper Gaming. Te nowe produkty mają wyróżniać się nie tylko wysoką wydajnością, ale także zastosowaniem nowoczesnych rozwiązań technologicznych, które odpowiadają na potrzeby graczy i entuzjastów sprzętu komputerowego.

Jakiś czas temu w mediach technologicznych można było przeczytać o wyścigu między overclockerami o najwyższy wynik w podkręcaniu pamięci RAM DDR5. Na prowadzenie wyszedł Safedisk, który pobił kilka rekordów na platformie AM5, wykorzystując procesor AMD Ryzen 7 9800X3D oraz chip APU AMD Ryzen 5 8500G. Udało się osiągnąć nie tylko wyjątkowo wysokie wyniki transferów, ale również bardzo niskie opóźnienia, a to wszystko przy zastosowaniu jedynie chłodzenia cieczą.

Na rynku pamięci RAM pojawiło się ostatnio trochę innowacji. Część producentów stara się dostarczyć moduły DDR5 o jak najwyższej szybkości. Inni decydują się na obecność sterownika CKD, który ma za zadanie zoptymalizować ich pracę. Niektórzy z kolei skupiają się na zapewnieniu jak najniższych opóźnień. Do tej ostatniej kategorii należą nowe moduły firmy G.SKILL. Nie będą one walczyć o prymat pod względem szybkości, ale ich timingi mogą robić wrażenie.

G.Skill Ripjaws M5 NEO RGB to najnowsza propozycja uznanego producenta, skierowana głównie do posiadaczy platformy AMD AM5 i procesorów AMD Ryzen, szukających zestawów pamięci RAM dobrze dostrojonych fabrycznie. Ustawienia zaszyte w podstawowym profilu EXPO wyglądają zachęcająco, bowiem taktowanie 6000 MHz i opóźnienia 28-36-36-96 stanowią całkiem sensowny punkt startowy do dalszych optymalizacji. G.Skill Ripjaws M5 NEO RGB wyglądem przypominają pozostałe modele należące do popularnej rodziny, zatem...

Ustawienia pamięci RAM DDR5 na platformie AMD AM5 i procesorach AMD Ryzen 7000 / 9000, to tematyka niezmiennie aktualna i rozwojowa, dlatego poniższa publikacja poświęcona będzie kolejnemu ciekawemu zagadnieniu. Na warsztat wziąłem bowiem popularne zestawy DDR5-6000 MHz CL30 występujące w kilku konfiguracjach. Pozwoliło to sprawdzić różnice między Single i Dual Channel, wpływ obsadzenia czterech banków RAM na wydajność, a dodatkowo porównać kondycję modułów Single Rank i Dual Rank. Będzie to...

Na rynku pamięci RAM pojawiło się ostatnio nieco innowacyjnych rozwiązań. Wśród nich można wymienić chociażby moduły CUDIMM, które zawierają specjalny sterownik CKD. Nowa propozycja firmy Lexar to jednak bardziej klasyczne rozwiązanie, skierowane do posiadaczy procesorów AMD. Choć pamięci Ares DDR5-6000 RGB nie oferują rekordowego parametru MT/s, to cechują się bardzo niskimi timingami i są dobrze dopasowane do platform AM5.

Moduły DDR5 typu CUDIMM to wciąż nowość na rynku sprzętu komputerowego. Coraz więcej firm zaczyna jednak wprowadzać je do swojej oferty. Dzięki specjalnemu sterownikowi CKD możliwe będzie w przyszłości osiągnięcie rekordowej szybkości, ale już teraz potrafi ona zrobić wrażenie. Swoje moduły tego typu zaprezentował właśnie Corsair. Obok bardzo dobrych parametrów pracy, pamięci Corsair Vengeance DDR5 CUDIMM oferują także interesujący wygląd.

W świecie technologii najczęściej mówi się o średnim segmencie, który łączy wysokie parametry z niewygórowaną ceną. Istnieją jednak również propozycje dla majętnych entuzjastów – właśnie dla nich Acer przygotował nową serię bardzo szybkich pamięci RAM DDR5 o prędkości 9466 MT/s, których radiator jest pokryty 24-karatowym złotem. Moduły dzięki overclockingowi mogą osiągać zawrotną prędkość przekraczającą 10 000 MT/s przy pasywnym chłodzeniu.

Debiut płyt głównych dedykowanych nowym generacjom CPU otwiera drogę do rekordowych taktowań pamięci DDR5. Należy spodziewać się wielu prób, których celem będzie przesunięcie obecnych granic. Jedną z nich podjęto pod patronatem firm G.SKILL i ASUS. Wykorzystując moduły Trident Z5 RGB oraz płytę główną ROG Maximus Z890 Apex udało się pobić rekord szybkości pamięci DDR5. W niedalekiej przyszłości takie parametry pracy sprzętu mogą być codziennością.

Moduły typu CUDIMM to nowość na rynku konsumenckim. Ich cechą charakterystyczną jest układ CKD, który ma za zadanie wzmacniać sygnał wykorzystywany przez pamięć oraz zmniejszać szumy mogące powodować błędy. Swoją propozycję w tym segmencie rynku przedstawiła firma G.SKILL. Jak podaje producent, moduły DDR5 Trident Z5 CK mogą pracować z szybkością 9600 MT/s, jednak posiadając odpowiedni sprzęt można z nich wyciągnąć jeszcze więcej.

Na rynku pamięci operacyjnej, obok popularnych modułów RAM DDR5 w formatach DIMM i SODIMM, znajdują się również specjalistyczne moduły, takie jak MRDIMM (Multiplexed Rank DIMM) i RDIMM (Registered DIMM). Te zaawansowane rozwiązania są wykorzystywane głównie w serwerach obliczeniowych oraz systemach sztucznej inteligencji. Rambus zaprezentował właśnie nowe moduły tego typu, wykorzystujące m.in. układy RCD 5. generacji.