Micron wylewa pierwszy beton pod New York Fab. Projekt wraca na właściwe tory po poślizgach, a Idaho dalej wyprzedza Clay

Jeszcze niedawno projekt Microna w stanie Nowy Jork wyglądał jak kolejna amerykańska megainwestycja, którą łatwo ogłosić, znacznie trudniej przeistoczyć w beton, stal i maszyny. Teraz firma wraca z konkretem, gdyż ruszyły pierwszy wylewki betonu pod fab w Clay. Łączny plan inwestycji w USA urósł do ponad 250 mld dolarów. Problem polega na tym, że między efektownym placem budowy a działającą produkcją DRAM leży jeszcze kilka lat kosztownej pracy.

Micron w końcu zamienił nowojorski megaprojekt fabryki pamięci DRAM z politycznej opowieści w realną budowę, ale z punktu widzenia rynku liczyć będą dopiero dostępne wafle, a nie żadne ceremonie.

Apple intensywnie lobbuje w Waszyngtonie, aby uzyskać zgodę na zakup pamięci DRAM i NAND od chińskich firm CXMT oraz YMTC

Najnowszy komunikat Microna podbija stawkę z 200 mld dol. ogłoszonych w czerwcu 2025 r. do ponad 250 mld dol. do 2035 r. W grze są zakłady w Nowym Jorku i Idaho, modernizacja fabryki w Wirginii oraz dodatkowe 3 mld dol. na amerykański łańcuch dostaw. W Clay pierwszy beton pojawił się ponad kwartał przed zrewidowanym harmonogramem. Trzeba jednak podkreślić, że to "przyspieszenie" dotyczy już poprawionego planu. Micron w listopadzie 2025 r. przesunął start produkcji w pierwszej fabryce w Clay z pierwotnego 2028 r. na 2030 r., więc obecny "kwartał do przodu" nie kasuje wcześniejszego, około dwuletniego poślizgu względem planu z 2025 r. Produkcja DRAM w Nowym Jorku nadal ma ruszyć w 2030 r., podczas gdy Idaho ma dać pierwszy wafel w połowie 2027 r., a drugi pod koniec 2028 r. Chodzi oczywiście o mniejsze uzależnienie od Azji przy pamięciach dla AI, HPC i motoryzacji.

Firma ADATA ostrzega, że w tym kwartale dojdzie do kolejnych, sporych podwyżek za pamięci DRAM oraz NAND

Porównanie z konkurencją wypada dość surowo. TSMC ma już w Arizonie produkcję wolumenową (pierwsza fabryka od Q4 2024) i deklarowany budżet inwestycyjny 165 mld dol. własnego kapitału. Jest to suma pierwotnych ~65 mld dol. i dodatkowych 100 mld dol. ogłoszonych w marcu 2025 r., a nie kwota z CHIPS Act. Rządowe wsparcie to osobny, znacznie mniejszy strumień. TSMC dostał w ramach CHIPS Act do 6,6 mld dol. w bezpośrednich grantach plus dostęp do około 5 mld dol. pożyczek, czyli ułamek całości, analogicznie jak w przypadku 6,1 mld dol. dotacji CHIPS dla Microna (z czego część przesunięto z Nowego Jorku do Idaho). Co więcej, TSMC może już wychodzić poza 165 mld dol. Pojawiają się doniesienia o możliwym potrojeniu inwestycji do 465 mld dol. z dodatkowymi pięcioma fabrykami, a wiceprezes spółki mówił wprost o gotowości na dalszy wzrost.

MSI wydało BIOS dla płyty głównej AM5, który odblokowuje pełne wsparcie dla kości DDR5 od CXMT na rynku chińskim

Pod względem wykonania Micron nadal goni więc tajwańskiego giganta. Intel przesunął Ohio One na lata 2030–2031, zatem tutaj Micron wypada solidniej. Samsung w Taylor pozostaje przy projekcie fabryki procesorów za 17 mld dol., produkcji chipów na zlecenie, a nie pamięci, i mówi o pełnej gotowości obiektów wspieranych przez CHIPS do 2030 r. Różnica jest jednak prosta. TSMC, Intel i Samsung walczą głównie o układy logiczne, a Micron o DRAM i HBM, gdzie o wyniku częściej decydują pojemność fabów, pakowanie i termin dostaw niż głośny szyld procesu. Szerszy obraz było już widać przy tekstach o kosztach wafli TSMC N2 i problemach Intela w Ohio. Micron zrobił krok naprzód, ale rynek oceni go dopiero, gdy z Clay wyjadą pamięci.