Niedobór RAM-u to prezent dla Pekinu. CXMT rusza z nowym podwykonawcą i celuje w standard, który zadebiutuje za trzy lata

Samsung i SK hynix przesuwają moce produkcyjne w stronę pamięci HBM dla akceleratorów AI, a zwykły użytkownik desktopa płaci za to wyższą ceną modułów RAM. W tej luce coraz śmielej porusza się CXMT (ChangXin Memory Technologies), czwarty co do wielkości producent DRAM na świecie. Firma szykuje się już nie tylko do bieżącej ekspansji na DDR5, ale i do przyszłego standardu DDR6, a to wymaga zmiany całego łańcucha produkcji podłoży.

CXMT wciąż odstaje od SK hynix pod względem parametrów DDR5, ale już przezbraja łańcuch dostaw pod DDR6. Stawia na podłoża panelowe zamiast taniej metody Reel-to-Reel i liczy, że globalny deficyt pamięci da mu czas na dogonienie Samsunga i SK hynix.

Apple intensywnie lobbuje w Waszyngtonie, aby uzyskać zgodę na zakup pamięci DRAM i NAND od chińskich firm CXMT oraz YMTC

Pamięci DDR4 i DDR5 można wytwarzać stosunkowo tanio, bo ich budowa nie wymaga bardzo złożonych podłoży. Chodzi o cienkie warstwy materiału, które łączą układ pamięci z resztą elektroniki i rozprowadzają sygnały. W przypadku standardowych kości DRAM takie podłoża są dość proste, więc ich produkcja kosztuje mniej niż w bardziej zaawansowanych układach. CXMT, podobnie jak Samsung i SK hynix, korzysta tu z metody Reel-to-Reel. W praktyce wygląda to tak, że materiał z podłożem jest nawinięty na szpulę i przesuwa się bez przerwy przez kolejne etapy produkcji. Taki proces przypomina pracę taśmową. Jest szybki, wydajny i dobrze nadaje się do masowej produkcji, a to dodatkowo obniża koszty.

Micron wylewa pierwszy beton pod New York Fab. Projekt wraca na właściwe tory po poślizgach, a Idaho dalej wyprzedza Clay

Z tego powodu do łańcucha dostaw CXMT dołączył koreański producent podłoży dla układów scalonych Haesung DS. Firma pomyślnie zakończyła w pierwszym kwartale 2026 roku proces kwalifikacji jakościowej podłoży przeznaczonych dla pamięci DDR5. Pierwsze dostawy mają rozpocząć się w drugim kwartale, natomiast pełną skalę produkcji zaplanowano na 2027 rok. Jednocześnie Haesung DS analizuje uruchomienie w rozbudowanym w ubiegłym roku zakładzie w Changwon linii produkcyjnej wykorzystującej technologię panelową, przeznaczonej do wytwarzania wielowarstwowych podłoży dla pamięci DDR6.

Nanya twierdzi, że DDR4 i LPDDR4 ciągle stanowią większość dostaw. Starsze pamięci korzystają na boomie AI

Nie jest to odosobniony ruch. Według doniesień CXMT prowadzi już testy pamięci LPDDR6 osiągających transfer do 12,8 Gb/s i chce rozpocząć ich produkcję masową w drugiej połowie 2026 roku. To ambitny harmonogram, biorąc pod uwagę, że komercjalizacja standardowych modułów DDR6, rozwijanych również przez Samsunga, SK hynix i Microna, spodziewana jest dopiero w latach 2028–2029. Tempo, w jakim CXMT rozbudowuje swoje zaplecze produkcyjne, nie wynika z przewagi technologicznej. W testach pamięci DDR5 chiński producent nadal ustępuje rozwiązaniom SK hynix przy porównywalnych prędkościach. Jego atutem jest jednak sytuacja rynkowa. Globalne niedobory pamięci DRAM oraz doniesienia o testowaniu układów CXMT przez Apple sprawiają, że chińska firma staje się atrakcyjnym alternatywnym dostawcą dla części klientów, nawet jeśli pod względem osiągów wciąż pozostaje w tyle za liderami rynku.