Kupujesz DDR4 do starego peceta? Lepiej się pospiesz, bo Morgan Stanley prognozuje podwyżki nawet o 50 procent

Ceny pamięci komputerowych znów mocno rosną. Samsung, SK Hynix i Micron zwiększają produkcję HBM dla akceleratorów, ograniczając jednocześnie podaż układów wykorzystywanych w zwykłych komputerach i starszych serwerach. Najnowsza analiza Morgan Stanley pokazuje, że presja cenowa będzie się nasilać. DDR4 i SLC NAND mogą w najbliższych miesiącach podrożeć znacznie bardziej, niż wcześniej zakładano, a drożeją także moduły DDR5.

Producenci pamięci przekierowują produkcję wafli krzemowych w stronę HBM i DDR5, a rynek starszych układów DDR4 oraz SLC NAND traci dostęp do mocy produkcyjnych. Morgan Stanley prognozuje podwyżki cen sięgające 50 procent już w trzecim kwartale 2026 roku.

Ceny RAM-u oderwały się od rzeczywistości. Najnowsze analizy pokazują, że moduły DDR5 podrożały o prawie 500% w rok

Morgan Stanley zmienił prognozy dla rynku pamięci. Według banku ceny DDR4 mają wzrosnąć o 50 proc. w trzecim kwartale 2026 roku i o kolejne 10 proc. w czwartym. Jeszcze mocniej może podrożeć SLC NAND, pamięć flash przechowująca jeden bit na komórkę, ceniona m.in. w przemyśle i motoryzacji ze względu na trwałość. Morgan Stanley prognozuje wzrost cen przekraczający 50 proc. w obydwu nadchodzących kwartałach. Powód pozostaje ten sam. Producenci przeznaczają coraz więcej wafli na HBM, DDR5 i bardziej zaawansowane pamięci NAND, ograniczając moce dostępne dla DDR4 i SLC NAND.

ICYMI: MORGAN STANLEY SAYS MATURE MEMORY IS THE NEXT SQUEEZE — DDR4 +50% IN Q3, SLC NAND +50%+ IN BOTH Q3 AND Q4

TIL: Morgan Stanley expects DDR4 prices to jump 50% in Q3 2026 and another 10%+ in Q4. SLC NAND could rise more than 50% in both quarters, with shortages potentially… pic.twitter.com/tBaJldlQiE

— Antfeed (@antfeedapp) August 18, 2026

CXMT odrzuca żądanie Apple o obniżki cen. Chiński producent pamięci DRAM ma dziś mocniejsze karty niż Samsung i SK hynix

Skala tego przesunięcia wynika również z konstrukcji samych układów. Jeden stos HBM (High Bandwidth Memory, pamięć o wysokiej przepustowości łącząca warstwy krzemu za pomocą przelotek TSV) wymaga około trzykrotnie większej powierzchni wafla niż konwencjonalny DDR5. Wynika to m.in. z ograniczeń związanych z rozmieszczeniem komórek pamięci i przelotek TSV łączących poszczególne warstwy stosu. Popyt dodatkowo zwiększa presję na podaż. Według UBS tylko NVIDIA ma skonsumować w 2027 roku około 25,1 mld Gb pamięci HBM z całkowitego rynku szacowanego na 61,5 mld Gb.

Chiny mają nowego gracza na rynku DRAM. Huawei znów gra w chowanego z amerykańskimi sankcjami

DDR5 również drożeje. Bank of America podaje, że ceny spot modułów DDR5-5600/6400 o pojemności 24 GB wzrosły w sierpniu o kolejne 8 proc. miesiąc do miesiąca, co oznacza wzrost o około 485 proc. rok do roku. Ten sam moduł kosztował w połowie 2025 roku około 8 dolarów (30 zł), a obecnie jego cena zbliża się do 47 dolarów (175 zł). Samsung, SK Hynix i Micron odpowiadają łącznie za ponad 90 proc. światowej produkcji DRAM, a moce produkcyjne HBM na 2026 rok zostały już w dużej mierze zakontraktowane.