SK Hynix pokazuje Intel EMIB obok CoWoS w planie pakowania pamięci HBM. Szczegóły z Hot Chips 2026

Na konferencji Hot Chips 2026 SK hynix zaprezentował strategię pakowania pamięci HBM nowej generacji. Jaesik Lee, wiceprezes ds. inżynierii pakowania, omówił budowę stosów HBM i wykorzystywane technologie, w tym MR-MUF i hybrydowe łączenie warstw. Na slajdzie poświęconym rozwiązaniom zewnętrznym pojawił się także Intel EMIB. To ważny sygnał w kontekście doniesień o współpracy obydwu firm i dywersyfikacji pakowania dla akceleratorów AI.

Firma SK Hynix otwarcie umieszcza Intel EMIB obok CoWoS w swoim planie pakowania HBM, co potwierdza, że testy z Intelem to już coś więcej niż tylko plotki z branżowych forów.

Chiny mają już własną pamięć LPDDR6 i interesuje się nią nawet Apple, choć Waszyngtonowi to się nie podoba

SK hynix przypomniał podstawy architektury High Bandwidth Memory. Pojedynczy stos HBM to trójwymiarowa struktura, w której kolejne kości DRAM (core die) są układane jedna na drugiej i łączone z wykorzystaniem przelotek krzemowych TSV. W najnowszych generacjach stosy mogą sięgać konfiguracji 16-Hi, czyli 16 warstw DRAM. Pamięć wykorzystuje wiele niezależnych kanałów i banków, dzięki czemu możliwe jest uzyskanie bardzo wysokiej przepustowości przy szerokim interfejsie. Stos HBM i układ obliczeniowy, taki jak GPU lub akcelerator AI, pozostają jednak odrębnymi układami scalonymi. W obecnych rozwiązaniach łączy się je na wspólnym interposerze krzemowym. Taki sposób integracji określa się mianem pakowania 2,5D. Pamięć i układ logiczny nie są ułożone bezpośrednio jeden nad drugim, lecz znajdują się obok siebie i komunikują się przez interposer.

Samsung pokazuje zHBM i V10 BV-NAND. Pamięć HBM trafi bezpośrednio na akcelerator AI

Najciekawszym elementem prezentacji SK hynix było umieszczenie technologii Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) na slajdzie dotyczącym rozwiązań pakowania 2,5D. Technologia Intela znalazła się tam obok wariantów CoWoS-L, CoWoS-R i CoWoS-S rozwijanych przez TSMC. Producent pokazał przy tym różnice między poszczególnymi rozwiązaniami pod kątem naprężeń mechanicznych i termicznych oddziałujących na stos HBM oraz interposer. To istotny sygnał, ponieważ SK hynix od lat korzysta z rozwiązań TSMC przy integracji pamięci HBM z akceleratorami.

CXMT odrzuca żądanie Apple o obniżki cen. Chiński producent pamięci DRAM ma dziś mocniejsze karty niż Samsung i SK hynix

Wiosną 2026 roku pojawiły się doniesienia, że koreański producent miał testować podłoża EMIB dostarczane przez Intela na potrzeby prac badawczo-rozwojowych. Pojawiały się również informacje o możliwej współpracy obydwu firm przy zaawansowanym pakowaniu, ale szczegóły tych planów nie zostały oficjalnie potwierdzone. Dywersyfikacja dostawców daje SK hynix przede wszystkim większą elastyczność produkcyjną i zmniejsza zależność od jednego partnera. Ma to znaczenie w sytuacji, gdy zapotrzebowanie na zaawansowane pakowanie rośnie wraz z rynkiem akceleratorów AI. Koreański producent rozwija również własne zaplecze. W Indianie w USA powstaje zakład zaawansowanego pakowania o wartości około 3,9 mld dolarów, natomiast w styczniu 2026 roku zatwierdzono inwestycję w kolejny zakład pakowania i testowania w Cheongju w Korei Południowej, którego wartość ma sięgnąć około 19 bilionów wonów.

Ceny RAM-u oderwały się od rzeczywistości. Najnowsze analizy pokazują, że moduły DDR5 podrożały o prawie 500% w rok

SK hynix wskazał również kierunek dalszego rozwoju zaawansowanego pakowania, czyli przejście od obecnej integracji 2,5D w stronę rozwiązań wykorzystujących znacznie większy stopień integracji 3D. W takim podejściu pamięć i układ logiczny mogą być integrowane bardziej bezpośrednio, co skraca połączenia i potencjalnie zwiększa przepustowość oraz efektywność energetyczną. Taki kierunek wymaga jednak rozwiązania szeregu problemów związanych z odprowadzaniem ciepła, dostarczaniem zasilania, naprężeniami materiałowymi, a także uzyskiem produkcyjnym. Dlatego pełna integracja 3D układów logicznych i pamięci pozostaje kolejnym etapem rozwoju zaawansowanego pakowania, a nie rozwiązaniem, które zastąpi obecne konstrukcje 2,5D w najbliższym czasie.

Kupujesz DDR4 do starego peceta? Lepiej się pospiesz, bo Morgan Stanley prognozuje podwyżki nawet o 50 procent

Na tej samej konferencji Samsung zaprezentował własną mapę drogową rozwoju HBM, kładąc większy nacisk na rozwiązania niestandardowe (custom HBM) oraz przyszłą architekturę zHBM. Samsung wiąże z nią możliwość zwiększenia przepustowości i poprawy efektywności energetycznej względem standardowych konstrukcji HBM4E. Na tym tle prezentacja SK hynix wyróżniała się koncentracją na warstwie pakowania i integracji układów. Koreański producent pokazał nie tylko rozwój samych stosów HBM, ale również coraz szerszy zestaw technologii, które mogą zostać wykorzystane do połączenia pamięci z akceleratorami AI. To właśnie zaawansowane pakowanie staje się jednym z kluczowych ograniczeń dalszego wzrostu wydajności systemów wykorzystujących HBM.