CXMT ma problem z produkcją HBM3. Koreański raport wskazuje na niskie uzyski i problemy z TSV

Chiński producent pamięci CXMT szybko zwiększa udział w światowym rynku DRAM i równolegle próbuje wejść do segmentu HBM, kluczowego dla akceleratorów AI. Firma rozpoczęła już produkcję HBM3E, a wcześniej rozwijała HBM3 jako pierwszy krok do konkurowania z Samsungiem, SK hynix i Micronem. Problemem pozostaje jednak uzysk. Koreańskie źródła wskazują, że na etapie łączenia i testowania warstw DRAM CXMT nadal dzieli duży dystans od liderów rynku.

Koreańskie źródła wskazują, że CXMT wciąż ma problemy z uzyskiem układów HBM3. Według analiz łączny uzysk może wynosić około 25 proc., a jednym z głównych wyzwań pozostaje technologia przelotek TSV.

CXMT rusza z masową produkcją pamięci LPDDR6. Xiaomi będzie jedną z pierwszych firm, które skorzystają z technologii

CXMT szybko zwiększa skalę działalności, ale produkcja HBM nadal pozostaje znacznie trudniejsza niż konwencjonalnych układów DRAM. Według analiz branżowych dotyczących 8-warstwowego HBM3 uzysk front-end, obejmujący wytwarzanie struktur DRAM, wynosi około 35 proc., a po przejściu do etapu back-end skuteczność wynosi około 70 proc. Łącznie daje to około 25 proc. sprawnych układów. Oznacza to, że z każdych 100 stosów tylko około 25 może przejść cały proces produkcyjny. SemiAnalysis ocenia, że przy bardziej złożonych konstrukcjach, takich jak 12-warstwowe HBM3 i HBM3E, uzyski mogą być jeszcze niższe.

CXMT odrzuca żądanie Apple o obniżki cen. Chiński producent pamięci DRAM ma dziś mocniejsze karty niż Samsung i SK hynix

Jednym z kluczowych problemów są przelotki TSV (through-silicon via), czyli pionowe połączenia wykonywane w krzemie, które pozwalają komunikować się poszczególnym warstwom pamięci w stosie HBM. Im więcej warstw i połączeń, tym większe wymagania wobec precyzji oraz powtarzalności procesu. Koreańskie źródła wskazują właśnie na brak doświadczenia w tej technologii jako jedną z przyczyn przewagi tamtejszych producentów pamięci. Kontrast z liderami jest wyraźny. SK hynix osiągnął ponad 90-procentowy uzysk HBM3 po wejściu tej generacji do masowej produkcji, podczas gdy CXMT dopiero buduje doświadczenie potrzebne do stabilnego wytwarzania bardziej złożonych stosów. Firma rozpoczęła już produkcję HBM3E, ale nie oznacza to jeszcze osiągnięcia poziomu wydajności i kosztów porównywalnego z koreańskimi konkurentami.

AMD pokazuje pamięć zużywającą 17 razy mniej energii niż HBM. Produkcję blokują problemy z powierzchnią krzemu

Nie zmienia to faktu, że CXMT bardzo szybko rośnie w podstawowym segmencie DRAM. Według Counterpoint Research firma odpowiadała w II kwartale 2026 roku za 10 proc. światowego rynku DRAM pod względem przychodów, wobec 4 proc. rok wcześniej. Rozbudowa mocy produkcyjnych trwa równolegle. Analitycy SemiAnalysis prognozują, że do końca 2026 roku moce produkcyjne CXMT wzrosną do około 350 tys. rozpoczętych procesów produkcyjnych wafli krzemowych miesięcznie. To pokazuje różnicę między skalą produkcji zwykłego DRAM a wejściem na rynek HBM. CXMT może szybko zwiększać liczbę produkowanych wafli, ale HBM wymaga dodatkowych etapów integracji, precyzyjnego łączenia warstw i wysokiego uzysku końcowego. Dlatego droga od rosnącej produkcji DRAM do realnej konkurencji z Samsungiem i SK hynix w pamięciach dla akceleratorów AI pozostaje długa.