Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

LPDDR5X-PIM

Samsung pokazuje zHBM i V10 BV-NAND. Pamięć HBM trafi bezpośrednio na akcelerator AI

Samsung pokazuje zHBM i V10 BV-NAND. Pamięć HBM trafi bezpośrednio na akcelerator AI

Samsung od lat przekonuje, że zamierza odzyskać pozycję lidera rynku pamięci. Podczas FMS 2026 w Santa Clara zaprezentował technologie, które mają wyznaczyć kierunek rozwoju kolejnych generacji układów. Od pamięci NAND z ponad 400 warstwami po architekturę zHBM, w której stos HBM trafia bezpośrednio na akcelerator AI. Choć dziś to SK hynix wyznacza tempo w segmencie HBM4, Samsung liczy, że następna generacja odwróci układ sił.

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.