Pamięci RAM

Od wielu tygodni Internet zalewa fala informacji na temat dramatycznej wręcz sytuacji na rynku pamięci RAM. W ciągu ostatnich dwóch miesięcy, zestawy pamięci podrożały przynajmniej kilkukrotnie i wszystko wskazuje na to, że przez cały przyszły rok sytuacja nie tylko nie ulegnie poprawie, ale będzie znacznie gorzej niż teraz. Najnowsze informacje na temat trendów w notebookach oraz smartfonach jasno sugerują, że problem z dostępnością pamięci będzie miał wpływ na konfiguracje urządzeń z obu wymienionych...

Aktualna sytuacja na rynku pamięci RAM nie jest zbyt korzystna. W ostatnim czasie moduły w standardzie DDR4 i DDR5 stawały się coraz droższe, a dziś ich ceny są naprawdę wysokie. Powodem takiej sytuacji jest sztuczna inteligencja, a konkretniej fakt, że najwięksi producenci DRAM (SK hynix i Samsung) zobowiązali się do dostarczania pamięci dla OpenAI (mowa o bardzo dużych ilościach w skali miesiąca). Efekt? Nie tylko wysokie ceny, ale i gorsza dostępność na rynku konsumenckim.

Micron od lat jest właścicielem marki Crucial, pod którą sprzedaje pamięci RAM i kości NAND dla rynku konsumenckiego, korporacyjnego oraz sektora AI. Dziś jednak historia ta zmienia kierunek, zarząd Microna zdecydował o wycofaniu marki z rynku konsumenckiego. Oznacza to, że nie będzie już dostępnych budżetowych modułów RAM, a produkty Crucial nie trafią do notebooków, co kontrastuje z wprowadzeniem modułów LPCAMM2 w październiku 2025 roku.

Rynek pamięci DRAM przeżywa jeden z najgwałtowniejszych wzrostów cen w historii branży, a jak donoszą źródła branżowe, koszmar konsumentów może potrwać jeszcze długo. Samsung Electronics i SK Hynix, kontrolujące łącznie ponad 70% globalnej produkcji DRAM, oficjalnie potwierdziły, że nie zamierzają agresywnie zwiększać mocy produkcyjnych. Wprost deklarują, że priorytetem jest "długoterminowa rentowność", a nie nasycenie rynku konsumenckiego.

Centra danych AI pochłaniają rocznie setki terawatogodzin energii, a każdy smartfon walczy o każdą minutę pracy na akumulatorze. Samsung właśnie zaprezentował rozwiązanie, które może zmienić te równania, technologię pamięci NAND flash redukującą pobór mocy o zawrotne 96 proc. To nie marketingowa hyperbola, lecz wynik badań 34 naukowców z Samsung Advanced Institute of Technology, opublikowany w prestiżowym czasopiśmie Nature.

W prasie naukowej i technicznej co kilka miesięcy pojawiają się doniesienia o nowych patentach i badaniach na temat pamięci operacyjnych RAM od kości ULTRARAM po format LPCAMM2. Jedne stanowią ciekawą wizję i często wieszczą przyszłą rewolucję, drugie to standardy stopniowo trafiające na rynek lub dopiero do niego zmierzające. Teraz ogłoszono standard TDIMM od Tachyum, który rzeczywiście może nieco namieszać na rynku serwerowym.

Świat overclockingu żyje nieustannym dążeniem do przekraczania barier i te właśnie zostały ponownie przekroczone. Choć regularnie donosimy o rosnącej wydajności modułów RAM, to najnowsze osiągnięcie w dziedzinie częstotliwości pracy pamięci DDR5 wykracza poza standardowe ramy ewolucji. To może na zawsze zmienić nasze postrzeganie potencjału najnowszych platform sprzętowych, a za wszystkim stoi precyzja i ekstremalne chłodzenie.

Pamięci RAM DDR5 drożeją w zastraszającym tempie, a to stwierdzenie i tak nie oddaje pełnej skali wzrostu cen tych podzespołów PC. Od początku listopada 2025 roku obserwujemy wręcz pionowe wzrosty, choć sam trend rozpoczął się już na początku października. Zapraszam więc na analizę cen popularnych zestawów pamięci operacyjnych i ich zmian w ostatnich miesiącach. Polecam usiąść - jeśli planowaliście składać komputer pod koniec tego roku, może was to zaboleć.

Świat technologii znów zadrżał w posadach, a tym razem epicentrum wstrząsów zlokalizowane jest w Azji. Mówimy o technologii, która w dużej mierze decyduje dziś o postępie w dziedzinie sztucznej inteligencji, superszybkich obliczeń i centrów danych. Chińska firma CXMT właśnie osiągnęła kamień milowy, wysyłając próbki pamięci HBM3 do Huaweia. To coś więcej niż tylko dostawa. To sygnał, że Państwo Środka uniezależnienia od globalnych gigantów.

Wyścig o najpotężniejsze pamięci dla akceleratorów AI przyspiesza z każdym miesiącem. Samsung Electronics właśnie ujawnił ambitne plany dotyczące siódmej generacji pamięci typu HBM. W obecnej generacji HBM3E zmagał się z problemami kwalifikacyjnymi, tym razem chce odwrócić losy rywalizacji i jako pierwszy publicznie zaprezentował docelowe parametry HBM4E. Liczby robią wrażenie, a stawka jest wysoka, mają się one znaleźć w akceleratorach NVIDII z rodziny Rubin.

Producenci laptopów od lat stali przed trudnym wyborem. Z jednej strony mieli do dyspozycji wydajne i energooszczędne pamięci LPDDR, które jednak musiano lutować do płyty głównej, uniemożliwiając rozbudowę. Pozostawały tradycyjne gniazda SO-DIMM, pozwalające na wymianę modułów, ale kosztem wyższego zużycia energii i mniejszej przepustowości. Na rynku jest jednak nowe, ustandaryzowane rozwiązanie, które ma szansę zakończyć ten kompromis.

Od maja 2025 roku światowe rekordy w podkręcaniu pamięci RAM DDR5 przesuwały się do przodu powoli, zwykle o kilkanaście MT/s. Ostatnim razem, gdy o tym pisaliśmy, rekord wynosił 12 806 MT/s i wydawało się, że kolejne postępy będą równie drobne, gdyż granice możliwości pamięci DDR5 oraz płyt głównych zaczęły dawać o sobie znać. Tymczasem sytuacja właśnie się zmieniła. Po raz pierwszy udało się bowiem przełamać magiczną barierę 13 000 MT/s.

Rynek pamięci dla segmentu AI oraz HPC rozwija się w błyskawicznym tempie, a zapotrzebowanie na coraz wyższą przepustowość nieustannie rośnie. Producenci prześcigają się w dostarczaniu nowszych i wydajniejszych rozwiązań, które sprostają wymaganiom kolejnych generacji akceleratorów. Standard HBM, czyli High Bandwidth Memory, stał się podstawowym elementem tej układanki. Jego ewolucja jest niezbędna do dalszego postępu w dziedzinie sztucznej inteligencji.

Rynek akceleratorów AI to obecnie jeden z najbardziej dochodowych i najszybciej rozwijających się segmentów branży technologicznej. Ważnym komponentem tych urządzeń są pamięci o wysokiej przepustowości, znane jako HBM. Walka o kontrakty na ich dostawę jest niezwykle zacięta. Producenci, którzy sprostają najwyższym wymaganiom wydajnościowym i jakościowym, mogą liczyć na ogromne zyski. Pozostali muszą pogodzić się z utratą udziałów w rynku.

Rynek pamięci półprzewodnikowych od lat jest zdominowany przez kilku globalnych graczy. Jednak dążenia do niezależności i rosnące znaczenie AI napędzają dynamiczne zmiany. Szczególnie w Chinach, które w obliczu geopolitycznych ograniczeń intensywnie inwestują w rozwój własnych technologii. Najnowsze doniesienia z branży wskazują na możliwość powstania nowego, potężnego sojuszu. Może on w przyszłości znacząco wpłynąć na układ sił w tej branży.

Producenci chipów dążą do zmniejszania rozmiarów tranzystorów, co pozwala na tworzenie wydajniejszych i energooszczędnych układów. Istotną rolę w tym procesie odgrywa litografia w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV). Okazuje się jednak, że dotychczasowe rozwiązania powoli osiągają swoje granice. Na horyzoncie pojawia się nowa generacja tej technologii, która ma otworzyć drzwi do produkcji komponentów w jeszcze niższych procesach technologicznych.

Na rynku pamięci za jakiś czas ma szansę zaistnieć nowy gracz, jakim jest ULTRARAM. Mowa tutaj o pamięci, która może przechowywać dane przez naprawdę długi okres, jest wytrzymała i pobiera niewiele energii. Opracował ją profesor fizyki z Uniwersytetu Lancester, Manus Hayne, który jest przy okazji współzałożycielem firmy QUINAS Technology. Właśnie udało się zamknąć pierwszy etap, który ma otwierać drzwi do masowej produkcji omawianej pamięci. Czego udało się dokonać?

SK hynix w ostatnim czasie przegoniło firmę Samsung pod względem udziału na rynku pamięci DRAM. Sytuacja ta była wyjątkowa, ponieważ zdarzyła się po raz pierwszy od ponad trzech dekad. Wpływ na nią miała bliska współpraca SK Hynix z marką NVIDIA, ponieważ ta druga odpowiada za akceleratory AI, do których potrzebne są pamięci HBM, które z kolei tworzy pierwsza firma. SK hynix podzieliło się kolejnym osiągnięciem, aczkolwiek tym razem z segmentu pamięci NAND flash.

Rozwój sztucznej inteligencji mocno napędził produkcję dedykowanych akceleratorów graficznych, a co za tym idzie pamięci, w które muszą zostać wyposażone. Zapewne większość czytelników PurePC zdaje sobie sprawę, że obecnie dominującym producentem omawianych akceleratorów jest firma NVIDIA. Przedsiębiorstwo, które będzie jej partnerem w dostarczaniu pamięci DRAM, może więc oczekiwać lepszych wyników sprzedażowych. Tak właśnie stało się z SK hynix.

Rynek pamięci RAM od lat jest zdominowany przez zaledwie kilka firm dyktujących warunki i kierunki rozwoju technologii. Od pewnego czasu rosną ambicje chińskich producentów, którzy dążą do uniezależnienia się od zagranicznych dostawców. Droga na szczyt jest jednak pełna wyzwań technologicznych i geopolitycznych. Najnowsze doniesienia z tego sektora pokazują, że nawet przy ogromnym wsparciu państwa, realizacja ambitnych planów wymaga czasu i pokonania problemów.

Już od dłuższego czasu większość topowych smartfonów czy innych urządzeń mobilnych działa w oparciu o pamięć RAM typu LPDDR5X. Co prawda nadal jest ona w zupełności wystarczająca dla producentów i użytkowników, jednak możemy się spodziewać, że niebawem obowiązującym standardem - przynajmniej w segmencie high-end - stanie się LPDDR6. Organizacja JEDEC właśnie zaprezentowała nowy typ modułów i przedstawiła jego najważniejsze cechy.

Technologia pamięci DDR5 osiąga kolejne rekordy w dziedzinie overclockingu. Nowy standard CAMM2 otwiera nowe możliwości dla entuzjastów wysokich częstotliwości, oferując lepsze parametry elektryczne i kompaktową konstrukcję. Najnowsze osiągnięcia w tej dziedzinie wskazują na potencjał tej technologii do przekroczenia dotychczasowych barier wydajności. Współpraca producentów daje obiecujące rezultaty w zakresie stabilności i podnoszenia parametrów.

Rozwój technologii często przynosi za sobą pozytywne skutki na niektórych polach. Można do nich zaliczyć spadek cen za urządzenia bądź podzespoły, które są na rynku obecne od jakiegoś czasu. Tak na przykład było do tej pory z nośnikami SSD, czy też pamięciami RAM w standardzie DDR4. W drugim przypadku sytuacja zaczyna się jednak zmieniać - aktualnie na niekorzyść potencjalnych klientów, gdyż w wielu przypadkach można zauważyć całkiem spory wzrost cen.

Mimo że standardem w PC są dziś pamięci RAM typu DDR5, nadal dosyć popularne pozostają moduły DDR4, które możemy zainstalować na platformie AMD AM4 czy Intel LGA 1700. Korzysta z nich również wiele przemysłowych stacji roboczych oraz serwerów na całym świecie. Nie oznacza to jednak, że z biegiem czasu będą one coraz tańsze. Tajwański serwis DigiTimes donosi, że ceny pamięci DDR4 drastycznie poszły w górę. Jakie są tego przyczyny?

Rynek półprzewodników przechodzi dynamiczne zmiany, napędzane rosnącym zapotrzebowaniem na nowoczesne rozwiązania technologiczne. Producenci z całego świata intensyfikują swoje działania, aby sprostać wyzwaniom związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i infrastrukturą chmurową. W tym kontekście decyzje największych graczy mogą znacząco wpłynąć na kształtowanie się globalnych trendów i przyszłość branży pamięci.

Zawody G.SKILL OC World Cup to jedne z najbardziej prestiżowych i technicznie zaawansowanych turniejów overclockingowych na świecie. Odbywają się cyklicznie z inicjatywy firmy G.SKILL, znanego producenta pamięci RAM i komponentów dla entuzjastów PC. Turniej przyciąga najlepszych overclockerów z całego świata, którzy walczą o nagrody pieniężne oraz tytuł mistrza świata w ekstremalnym podkręcaniu. W tej edycji mistrzem został CENS, choć nie uzyskał najwyższych transferów.

Rekordowe wyniki w podkręcaniu podzespołów komputerowych to nie tylko ciekawostki dla entuzjastów. To także dowód na to, jak szybko rozwija się nowoczesna technologia, a także jakie możliwości oferują współczesne płyty główne i moduły pamięci. Najnowsze osiągnięcie w dziedzinie overclockingu pokazuje, że nawet granice techniczne mogą być systematycznie przesuwane. Tego typu testy są często zapowiedzią tego, co za chwilę trafi do użytkowników końcowych.

G.SKILL to jeden z liderów w segmencie konsumenckich modułów RAM, znany z dostarczania topowych rozwiązań zarówno pod względem prędkości transferu, jak i opóźnień. Tym razem tajwańska firma zaprezentowała zestaw pamięci Trident Z5 Neo RGB o łącznej pojemności 256 GB (4x 64 GB), wyróżniający się niskimi opóźnieniami i przeznaczony dla stacji roboczych i zastosowań AI opartych na procesorach AMD Ryzen i platformie AM5.

Rosnące zapotrzebowanie na wydajne pamięci wykorzystywane w systemach sztucznej inteligencji napędza konkurencję między największymi producentami. W centrum uwagi znalazły się nowe generacje modułów HBM, które stają się podstawą dla układów przetwarzających ogromne ilości danych. Firmy takie jak Samsung i Micron intensyfikują działania, by zabezpieczyć pozycję na globalnym rynku. Jakie strategie przyjmują i kto może zyskać przewagę?

Od lat pamięć w komputerach osobistych dzieli się na dwa główne typy: nieulotną oraz ulotną (operacyjną). Coraz częściej jednak w środowisku inżynierów pojawiają się inicjatywy mające na celu częściowe zatarcie tego podziału. Powodem są m.in. rosnące wymagania serwerów AI, które przetwarzają ogromne ilości danych - nie tylko podczas uczenia, ale także w trakcie codziennego działania. Teraz w branży ponownie pojawiło się rozwiązanie DRAM+, bazujące na pamięci typu FeRAM.

Pobijanie rekordów świata jest na swój sposób ciekawym zajęciem, które pozwala przekraczać znane nam technologiczne bariery. Tak oto niemalże z miesiąca na miesiąc pojawiają się kolejne rekordy świata w overclockingu pamięci RAM DDR5. Teraz nowy rekord ustanowił overclocker HiCookie, wykorzystując do tego pamięci V-Color Manta XFinity RGB DDR5. Świadczy to o nieustannej rywalizacji w środowisku overclockerów, gdzie każda optymalizacja jest na wagę złota.

Micron ogłasza współpracę z NVIDIA, dostarczając pamięci HBM3E i SOCAMM dla nowej generacji serwerów AI i centrów danych. HBM3E 12H 36GB została zoptymalizowana pod kątem NVIDIA GB300 Grace Blackwell, a HBM3E 8H 24GB będzie wspierać HGX B200 i GB200 NVL72. Dzięki 1,2 TB/s przepustowości nowe moduły zapewnią wyższą wydajność AI i HPC. Micron zapowiedział także LPDDR5X SOCAMM, nowy format pamięci serwerowej dla rozwiązań AI i edge computing.

Podczas konferencji GTC 2025 SK hynix zaprezentował 12-warstwową pamięć HBM3E oraz SOCAMM, nowy standard dla serwerów AI. Nowe moduły zapewnią 60% wyższą wydajność i ponad 2 TB/s przepustowości, wspierając rozwój nowej generacji AI. SK hynix ogłosił również, że masowa produkcja HBM4 ruszy w drugiej połowie 2025 roku, a technologia ta znajdzie zastosowanie w przyszłych układach NVIDIA Rubin.

Postęp technologiczny na rynku pamięci DRAM nie przyciąga uwagi tak mocno, jak w przypadku innych segmentów branży komputerowej. W ostatnich miesiącach przejawiał się przede wszystkim we wprowadzeniu pamięci z modułem CKD, który optymalizuje jej pracę, a także wykorzystaniu nowych procesów technologicznych. Teraz Micron zaprezentował układy pamięci DDR5 o pojemności 16 Gb, które będą wykonane w procesie 1γ (1-gamma).

Na rynku od dłuższego czasu powszechnie są dostępne moduły DDR5. To jednak nie oznacza, że ten standard upowszechnił się wśród użytkowników komputerów. W praktyce wielu z nich korzysta wciąż z pamięci DDR4, a nawet jeszcze starszego DDR3. Wkrótce zmianę zacznie wymuszać sam rynek, ponieważ firmy Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji starszych rozwiązań. Może to nastąpić już pod koniec bieżącego roku.

W 2023 roku na rynku zadebiutowały po raz pierwszy moduły pamięci LPCAMM. Jest to kompaktowe rozwiązanie przeznaczone do laptopów, które cechuje się lepszą efektywnością energetyczną i wydajnością niż tradycyjne moduły SO-DIMM. NVIDIA oraz czołowe firmy z branży pamięci komputerowej pracują już nad kolejnym rozwiązaniem określanym mianem SOCAMM. Nowy standard ma być dobrze skrojony pod kompaktowe komputery zdolne wykonywać obliczenia AI.