Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3
Rynek półprzewodników przechodzi dynamiczne zmiany, napędzane rosnącym zapotrzebowaniem na nowoczesne rozwiązania technologiczne. Producenci z całego świata intensyfikują swoje działania, aby sprostać wyzwaniom związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i infrastrukturą chmurową. W tym kontekście decyzje największych graczy mogą znacząco wpłynąć na kształtowanie się globalnych trendów i przyszłość branży pamięci.
CXMT planuje zakończyć produkcję pamięci DDR4 do połowy 2026 roku, koncentrując się na nowoczesnych rozwiązaniach, takich jak DDR5 i HBM3.
Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
Chiński producent pamięci DRAM, CXMT (ChangXin Memory Technologies), ogłosił strategiczne przejście z produkcji DDR4 na DDR5 oraz HBM3, co może znacząco wpłynąć na globalny rynek półprzewodników. Decyzja ta jest zgodna z polityką Pekinu, dążącą do uniezależnienia się od zagranicznych dostawców i wzmocnienia pozycji Chin w sektorze zaawansowanych technologii. CXMT planuje zakończyć produkcję DDR4 do połowy 2026 roku, koncentrując się na nowoczesnych rozwiązaniach, takich jak DDR5 i HBM3, które są ważne dla rozwoju AI i infrastruktury chmurowej . Firma już teraz zwiększa swoje moce produkcyjne, a do końca 2025 roku planuje osiągnąć 280 000 wafli DRAM miesięcznie, co stanowi około 15% globalnego rynku.
G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen
Przejście CXMT na produkcję DDR5 i HBM3 może wywołać nadpodaż na rynku pamięci, prowadząc do spadku cen i zmniejszenia marż dla konkurentów, takich jak Samsung, SK Hynix i Micron. Rozwój technologii HBM3 przez CXMT, choć obecnie opóźniony w stosunku do liderów rynku, może w przyszłości zagrozić ich dominacji, zwłaszcza w kontekście rosnącego zapotrzebowania na pamięci o wysokiej przepustowości w sektorze AI . Warto jednak zauważyć, że CXMT nadal boryka się z wyzwaniami technologicznymi, takimi jak stabilność działania DDR5 w wysokich temperaturach, co może opóźnić pełne wejście na rynek konsumencki.
Powiązane publikacje

CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom
21
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
8
Crucial wprowadza pamięci LPCAMM2 8533 MT/s. Nowy standard dla laptopów łączy wydajność LPDDR5X z możliwością rozbudowy
27
Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5







![Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3 [1]](/image/news/2025/05/28_chinska_firma_cxmt_rzuca_wyzwanie_samsungowi_i_sk_hynix_skupiajac_sie_na_pamieciach_ddr5_i_hbm3_0.jpg)
![Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3 [2]](/image/news/2025/05/28_chinska_firma_cxmt_rzuca_wyzwanie_samsungowi_i_sk_hynix_skupiajac_sie_na_pamieciach_ddr5_i_hbm3_1.png)





