Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3
Rynek półprzewodników przechodzi dynamiczne zmiany, napędzane rosnącym zapotrzebowaniem na nowoczesne rozwiązania technologiczne. Producenci z całego świata intensyfikują swoje działania, aby sprostać wyzwaniom związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i infrastrukturą chmurową. W tym kontekście decyzje największych graczy mogą znacząco wpłynąć na kształtowanie się globalnych trendów i przyszłość branży pamięci.
CXMT planuje zakończyć produkcję pamięci DDR4 do połowy 2026 roku, koncentrując się na nowoczesnych rozwiązaniach, takich jak DDR5 i HBM3.
Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
Chiński producent pamięci DRAM, CXMT (ChangXin Memory Technologies), ogłosił strategiczne przejście z produkcji DDR4 na DDR5 oraz HBM3, co może znacząco wpłynąć na globalny rynek półprzewodników. Decyzja ta jest zgodna z polityką Pekinu, dążącą do uniezależnienia się od zagranicznych dostawców i wzmocnienia pozycji Chin w sektorze zaawansowanych technologii. CXMT planuje zakończyć produkcję DDR4 do połowy 2026 roku, koncentrując się na nowoczesnych rozwiązaniach, takich jak DDR5 i HBM3, które są ważne dla rozwoju AI i infrastruktury chmurowej . Firma już teraz zwiększa swoje moce produkcyjne, a do końca 2025 roku planuje osiągnąć 280 000 wafli DRAM miesięcznie, co stanowi około 15% globalnego rynku.
G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen
Przejście CXMT na produkcję DDR5 i HBM3 może wywołać nadpodaż na rynku pamięci, prowadząc do spadku cen i zmniejszenia marż dla konkurentów, takich jak Samsung, SK Hynix i Micron. Rozwój technologii HBM3 przez CXMT, choć obecnie opóźniony w stosunku do liderów rynku, może w przyszłości zagrozić ich dominacji, zwłaszcza w kontekście rosnącego zapotrzebowania na pamięci o wysokiej przepustowości w sektorze AI . Warto jednak zauważyć, że CXMT nadal boryka się z wyzwaniami technologicznymi, takimi jak stabilność działania DDR5 w wysokich temperaturach, co może opóźnić pełne wejście na rynek konsumencki.
Powiązane publikacje

G.SKILL OC World Cup 2025 - overclocker CENS wygrywa drugie mistrzostwa z rzędu w podkręcaniu pamięci DDR5
6
ASRock Z890 Taichi OCF i G.SKILL Trident Z5 pozwoliły osiągnąć rekord DDR5. 12806 MT/s wyciśnięte przez overclockera
9
G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen
22
Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
3