Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3

Maciej Lewczuk | 28-05-2025 13:30 |

Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3Rynek półprzewodników przechodzi dynamiczne zmiany, napędzane rosnącym zapotrzebowaniem na nowoczesne rozwiązania technologiczne. Producenci z całego świata intensyfikują swoje działania, aby sprostać wyzwaniom związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i infrastrukturą chmurową. W tym kontekście decyzje największych graczy mogą znacząco wpłynąć na kształtowanie się globalnych trendów i przyszłość branży pamięci.

CXMT planuje zakończyć produkcję pamięci DDR4 do połowy 2026 roku, koncentrując się na nowoczesnych rozwiązaniach, takich jak DDR5 i HBM3.

Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3 [1]

Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?

Chiński producent pamięci DRAM, CXMT (ChangXin Memory Technologies), ogłosił strategiczne przejście z produkcji DDR4 na DDR5 oraz HBM3, co może znacząco wpłynąć na globalny rynek półprzewodników. Decyzja ta jest zgodna z polityką Pekinu, dążącą do uniezależnienia się od zagranicznych dostawców i wzmocnienia pozycji Chin w sektorze zaawansowanych technologii. CXMT planuje zakończyć produkcję DDR4 do połowy 2026 roku, koncentrując się na nowoczesnych rozwiązaniach, takich jak DDR5 i HBM3, które są ważne dla rozwoju AI i infrastruktury chmurowej . Firma już teraz zwiększa swoje moce produkcyjne, a do końca 2025 roku planuje osiągnąć 280 000 wafli DRAM miesięcznie, co stanowi około 15% globalnego rynku.

Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3 [2]

G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen

Przejście CXMT na produkcję DDR5 i HBM3 może wywołać nadpodaż na rynku pamięci, prowadząc do spadku cen i zmniejszenia marż dla konkurentów, takich jak Samsung, SK Hynix i Micron. Rozwój technologii HBM3 przez CXMT, choć obecnie opóźniony w stosunku do liderów rynku, może w przyszłości zagrozić ich dominacji, zwłaszcza w kontekście rosnącego zapotrzebowania na pamięci o wysokiej przepustowości w sektorze AI . Warto jednak zauważyć, że CXMT nadal boryka się z wyzwaniami technologicznymi, takimi jak stabilność działania DDR5 w wysokich temperaturach, co może opóźnić pełne wejście na rynek konsumencki.

Źródło: DigiTimes
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 11

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.