Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
Rosnące zapotrzebowanie na wydajne pamięci wykorzystywane w systemach sztucznej inteligencji napędza konkurencję między największymi producentami. W centrum uwagi znalazły się nowe generacje modułów HBM, które stają się podstawą dla układów przetwarzających ogromne ilości danych. Firmy takie jak Samsung i Micron intensyfikują działania, by zabezpieczyć pozycję na globalnym rynku. Jakie strategie przyjmują i kto może zyskać przewagę?
Samsung planuje rozpocząć masowe dostawy 8-warstwowych modułów HBM3E już w kwietniu, podczas gdy Micron koncentruje się na 12-warstwowych rozwiązaniach z lepszym zarządzaniem ciepłem.
Micron i NVIDIA łączą siły. Nowe pamięci HBM3E i SOCAMM dla centrów danych i AI
Rywalizacja między największymi producentami pamięci HBM3E wchodzi w nową fazę. Samsung, który przez długi czas pozostawał nieco z tyłu za SK Hynix, przygotowuje się do rozpoczęcia masowych dostaw 8-warstwowych modułów HBM3E już w kwietniu. Firma zmodernizowała konstrukcję swoich układów, aby poprawić ich parametry i spełnić wymagania najważniejszych partnerów, w tym NVIDII. Ta wykorzystuje pamięci HBM m.in. w akceleratorach AI. Z kolei Micron postawił na inną strategię i już w marcu rozpoczął wysyłkę 12-warstwowych modułów HBM3E, charakteryzujących się lepszym zarządzaniem ciepłem. To niezwykle istotny parametr w zastosowaniach obliczeniowych, gdzie stabilność pracy, a także efektywność termiczna mają znaczenie nie mniejsze niż przepustowość.
SK hynix rozpoczął masową produkcję 12-warstwowej pamięci HBM3E o rekordowej pojemności na rynku
Równolegle liderem rynku pozostaje SK Hynix, który wciąż dostarcza większość pamięci HBM do klientów takich jak NVIDIA czy AMD, i który również przygotowuje kolejne iteracje swoich modułów. W tej dynamicznej sytuacji na rynku pamięci wysokoprzepustowej nie chodzi wyłącznie o pojemność czy liczbę warstw, ale o optymalne połączenie wydajności, niezawodności i parametrów termicznych. HBM3E odgrywa coraz większą rolę w centrach danych i systemach AI nowej generacji, a rosnące zapotrzebowanie oznacza ogromne zyski dla producentów, którzy zdołają dostarczyć technologię na czas i w odpowiedniej jakości. Samsung i Micron mierzą się więc nie tylko ze sobą, ale także z oczekiwaniami całej branży, która wymaga coraz bardziej zaawansowanych, stabilnych i energooszczędnych rozwiązań pamięciowych.
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6