Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?

Maciej Lewczuk | 11-04-2025 13:30 |

Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?Rosnące zapotrzebowanie na wydajne pamięci wykorzystywane w systemach sztucznej inteligencji napędza konkurencję między największymi producentami. W centrum uwagi znalazły się nowe generacje modułów HBM, które stają się podstawą dla układów przetwarzających ogromne ilości danych. Firmy takie jak Samsung i Micron intensyfikują działania, by zabezpieczyć pozycję na globalnym rynku. Jakie strategie przyjmują i kto może zyskać przewagę?

Samsung planuje rozpocząć masowe dostawy 8-warstwowych modułów HBM3E już w kwietniu, podczas gdy Micron koncentruje się na 12-warstwowych rozwiązaniach z lepszym zarządzaniem ciepłem.

Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI? [1]

Micron i NVIDIA łączą siły. Nowe pamięci HBM3E i SOCAMM dla centrów danych i AI

Rywalizacja między największymi producentami pamięci HBM3E wchodzi w nową fazę. Samsung, który przez długi czas pozostawał nieco z tyłu za SK Hynix, przygotowuje się do rozpoczęcia masowych dostaw 8-warstwowych modułów HBM3E już w kwietniu. Firma zmodernizowała konstrukcję swoich układów, aby poprawić ich parametry i spełnić wymagania najważniejszych partnerów, w tym NVIDII. Ta wykorzystuje pamięci HBM m.in. w akceleratorach AI. Z kolei Micron postawił na inną strategię i już w marcu rozpoczął wysyłkę 12-warstwowych modułów HBM3E, charakteryzujących się lepszym zarządzaniem ciepłem. To niezwykle istotny parametr w zastosowaniach obliczeniowych, gdzie stabilność pracy, a także efektywność termiczna mają znaczenie nie mniejsze niż przepustowość.

Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI? [2]

SK hynix rozpoczął masową produkcję 12-warstwowej pamięci HBM3E o rekordowej pojemności na rynku

Równolegle liderem rynku pozostaje SK Hynix, który wciąż dostarcza większość pamięci HBM do klientów takich jak NVIDIA czy AMD, i który również przygotowuje kolejne iteracje swoich modułów. W tej dynamicznej sytuacji na rynku pamięci wysokoprzepustowej nie chodzi wyłącznie o pojemność czy liczbę warstw, ale o optymalne połączenie wydajności, niezawodności i parametrów termicznych. HBM3E odgrywa coraz większą rolę w centrach danych i systemach AI nowej generacji, a rosnące zapotrzebowanie oznacza ogromne zyski dla producentów, którzy zdołają dostarczyć technologię na czas i w odpowiedniej jakości. Samsung i Micron mierzą się więc nie tylko ze sobą, ale także z oczekiwaniami całej branży, która wymaga coraz bardziej zaawansowanych, stabilnych i energooszczędnych rozwiązań pamięciowych.

Źródło: WCCFTech, TrendForce, The Korea Economic Daily, Samsung, Wikimed
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 3

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.