V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
Pobijanie rekordów świata jest na swój sposób ciekawym zajęciem, które pozwala przekraczać znane nam technologiczne bariery. Tak oto niemalże z miesiąca na miesiąc pojawiają się kolejne rekordy świata w overclockingu pamięci RAM DDR5. Teraz nowy rekord ustanowił overclocker HiCookie, wykorzystując do tego pamięci V-Color Manta XFinity RGB DDR5. Świadczy to o nieustannej rywalizacji w środowisku overclockerów, gdzie każda optymalizacja jest na wagę złota.
Overclocker HiCookie przesunął kolejną granicę overclockingu sprzętu, ustanawiając nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci RAM DDR5. Dzięki chłodzeniu ciekłym azotem, pojedynczy moduł V-Color Manta XFinity RGB DDR5 osiągnął zawrotne 12752 MT/s.
Micron zaprezentował proces technologiczny 1γ. Rozwiązanie jest już wykorzystywane do produkcji pamięci DDR5
Overclocker HiCookie ustanowił nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci RAM DDR5, osiągając imponujące 12752 MT/s na modułach V-Color Manta XFinity RGB DDR5, które fabrycznie pracują z częstotliwością 8800 MT/s. Dokonał tego na platformie opartej na płycie głównej Gigabyte Z890 AORUS TACHYON ICE oraz procesorze Intel Core Ultra 9 285K. Sukces ten był możliwy dzięki odpowiedniej konfiguracji procesora oraz precyzyjnemu doborowi napięć CPU i RAM, co pozwoliło na pełne wykorzystanie potencjału kontrolerów pamięci. W procesie overclockingu pojedynczy moduł pamięci operacyjnej, jak tradycyjnie w tego typu próbach, był chłodzony ciekłym azotem (LN2).
Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji pamięci DDR3 i DDR4 jeszcze w tym roku
Poprzedni rekord należał do overclockera Splave, który na platformie opartej na płycie głównej ASRock Z890 Taichi OCF oraz procesorze Intel Core Ultra 9 285K podkręcił pamięci G.Skill Trident Z5 CK z 9600 MT/s do 12736 MT/s. W obu przypadkach, jak to zwykle bywa przy ekstremalnym podkręcaniu, opóźnienia pamięci były niezwykle wysokie. Zarówno HiCookie, jak i Splave operowali na ustawieniach 68-127-127-127, gdzie tCR wynosiło 2. Warto również zauważyć, że rekordy są regularnie poprawiane o kilkanaście MT/s z miesiąca na miesiąc, a najnowsze wyniki można śledzić na stronie CPU-Z Validator.
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
15
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6