V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
Pobijanie rekordów świata jest na swój sposób ciekawym zajęciem, które pozwala przekraczać znane nam technologiczne bariery. Tak oto niemalże z miesiąca na miesiąc pojawiają się kolejne rekordy świata w overclockingu pamięci RAM DDR5. Teraz nowy rekord ustanowił overclocker HiCookie, wykorzystując do tego pamięci V-Color Manta XFinity RGB DDR5. Świadczy to o nieustannej rywalizacji w środowisku overclockerów, gdzie każda optymalizacja jest na wagę złota.
Overclocker HiCookie przesunął kolejną granicę overclockingu sprzętu, ustanawiając nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci RAM DDR5. Dzięki chłodzeniu ciekłym azotem, pojedynczy moduł V-Color Manta XFinity RGB DDR5 osiągnął zawrotne 12752 MT/s.
Micron zaprezentował proces technologiczny 1γ. Rozwiązanie jest już wykorzystywane do produkcji pamięci DDR5
Overclocker HiCookie ustanowił nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci RAM DDR5, osiągając imponujące 12752 MT/s na modułach V-Color Manta XFinity RGB DDR5, które fabrycznie pracują z częstotliwością 8800 MT/s. Dokonał tego na platformie opartej na płycie głównej Gigabyte Z890 AORUS TACHYON ICE oraz procesorze Intel Core Ultra 9 285K. Sukces ten był możliwy dzięki odpowiedniej konfiguracji procesora oraz precyzyjnemu doborowi napięć CPU i RAM, co pozwoliło na pełne wykorzystanie potencjału kontrolerów pamięci. W procesie overclockingu pojedynczy moduł pamięci operacyjnej, jak tradycyjnie w tego typu próbach, był chłodzony ciekłym azotem (LN2).
Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji pamięci DDR3 i DDR4 jeszcze w tym roku
Poprzedni rekord należał do overclockera Splave, który na platformie opartej na płycie głównej ASRock Z890 Taichi OCF oraz procesorze Intel Core Ultra 9 285K podkręcił pamięci G.Skill Trident Z5 CK z 9600 MT/s do 12736 MT/s. W obu przypadkach, jak to zwykle bywa przy ekstremalnym podkręcaniu, opóźnienia pamięci były niezwykle wysokie. Zarówno HiCookie, jak i Splave operowali na ustawieniach 68-127-127-127, gdzie tCR wynosiło 2. Warto również zauważyć, że rekordy są regularnie poprawiane o kilkanaście MT/s z miesiąca na miesiąc, a najnowsze wyniki można śledzić na stronie CPU-Z Validator.
Powiązane publikacje

Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
30
Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko
19
SK hynix największym producentem pamięci DRAM. Samsung po raz pierwszy stracił pozycję lidera. Powód? NVIDIA
9
CXMT opóźnia masową produkcję pamięci DDR5 do końca 2025 roku z powodu problemów z jakością i wydajnością termiczną
7