ferroelektryczny

Od lat pamięć w komputerach osobistych dzieli się na dwa główne typy: nieulotną oraz ulotną (operacyjną). Coraz częściej jednak w środowisku inżynierów pojawiają się inicjatywy mające na celu częściowe zatarcie tego podziału. Powodem są m.in. rosnące wymagania serwerów AI, które przetwarzają ogromne ilości danych - nie tylko podczas uczenia, ale także w trakcie codziennego działania. Teraz w branży ponownie pojawiło się rozwiązanie DRAM+, bazujące na pamięci typu FeRAM.

Dużo wskazuje na to, że nośniki o pojemności 1 PB (petabajt = 1000 terabajtów) są bliżej, niż mogło nam się wydawać. Jeszcze więcej wskazuje na to, że jako pierwszy wprowadzi je do produkcji Samsung. To przedsiębiorstwo już teraz masowo produkuje pamięci V-NAND 9. generacji, które składają się z 290 warstw. Natomiast już niebawem może zaprezentować pamięci, które będą się opierać na materiałach wykazujących właściwości ferroelektryczne.